Search


JFET Özellikleri

Bu makale JFET'in tanımını anahtar özelliklerini (VGS(off), IDSS, gm, rd, μ) ve bunların tanımlarını formüllerini ve özelliklerini kapsar.

Encyclopedia
Alan: Ansiklopedi
Electrical Engineer
10Year<
China
Google'da bizi ekleyin

JFET Tanımı


JFET, akım akışını bir elektrik alan kullanarak kontrol eden bir transistör türüdür.

 


Belirli bir uygulama için JFET satın alırken, cihazın özelliklerini kontrol etmemiz gerekir. Bu özellikler üreticiler tarafından sağlanır. Aşağıdaki parametreler, bir JFET'yi belirtmek için kullanılan parametrelerdir ve bunlar şunlardır:

 


  • Kapı Kesme Gerilimi (VGS(off))

  • Kısaltılmış Kapı Kaynak Akımı (IDSS)

  • Transkondüktans (gmo)

  • Dinamik Çıkış Direnci (rd)

  • Amplifikasyon Katsayısı (μ)

 


Kapı Kesme Gerilimi


Sabit bir kaynak gerilimi altında, bir JFET'in kaynak akımı (ID), kapı-kaynak gerilimine (VGS) bağlıdır.

 


ab4a8a22e7d0dd610644ae7d8c52f7ef.jpeg 

 


n kanal JFET'te, kapı-kaynak gerilimi sıfırdan azalırsa, kaynak akımı da buna göre azalır. Kapı-kaynak gerilimi ile kaynak akımı arasındaki ilişki aşağıda verilmiştir. Belirli bir kapı-kaynak gerilimi (V25155-1GS) sonrasında, kaynak akımı ID sıfır olur. Bu gerilime Kesme Kapı Gerilimi (VGS(off)) denir. Bu gerilim sayısal olarak sıkıştırma nokta kaynak-drain gerilimine (Vp) eşittir. p kanal JFET'te, kapı terminalindeki gerilimi sıfırdan artırırsak, kaynak akımı azalır ve belirli bir kapı-kaynak gerilimi sonrasında, kaynak akımı sıfır olur. Bu gerilim, p kanal JFET için kesme kapı gerilimidir. Bu, p kanal JFET için kesme kapı gerilimidir.

 


Kısaltılmış Kapı Kaynak Akımı


Kapı terminali yerleştirildiğinde (VGS = 0) ve n kanal JFET'te kaynak-kaynak gerilimi (VDS) yavaşça artırıldığında, kaynak akımı doğrusal olarak artar. Sıkıştırma nokta gerilimi (Vp) sonrasında, kaynak akımı sabit kalır ve maksimum değerine ulaşır. Bu maksimum akım, Kısaltılmış Kapı Kaynak Akımı (IDSS) olarak adlandırılır ve her JFET için sabittir.

 


Transkondüktans


Transkondüktans, sabit bir kaynak-kaynak gerilimi (VDS = Sabit) altında, kaynak akımı (δID) değişimine karşılık kapı-kaynak gerilimi (δVGS) değişim oranıdır.

 


Bu değer, V25155-7GS = 0'da en büyük değerini alır.

 


3731c7ee9f535a1627b225b13c9c332d.jpeg

 


Bu, gmo ile gösterilir. Bu maksimum değer (gmo), bir JFET veri sayfasında belirtilir. Diğer kapı-kaynak gerilimi (gm) değerleri için transkondüktans aşağıdaki gibi belirlenebilir. Kaynak akımı (ID) ifadesi

 


Kaynak akımı (I25155-1D) ifadesinin kapı-kaynak gerilimine (VGS) göre kısmi türevi alınarak

 


4fb3c1035e98295c9d1bb55da99d61cd.jpeg

 



 


VGS = 0'da, transkondüktans en büyük değerini alır ve bu değer

 


Bu nedenle, yazabiliriz,

 


5500458a45ecae441d5e55777249f2c7.jpeg

 


Dinamik Çıkış Direnci


Bu, sabit bir kapı-kaynak gerilimi (VGS = Sabit) altında, kaynak-kaynak gerilimi (δVDS) değişimine karşılık kaynak akımı (δID) değişim oranıdır. Bu oran rd ile gösterilir.

 


d2fb43ac57d6c74ae77d2858a39330ad.jpeg

 


Amplifikasyon Katsayısı

 


Amplifikasyon katsayısı, sabit bir kaynak akımı (ID = Sabit) altında, kaynak gerilimi (δVDS) değişimine karşılık kapı gerilimi (δVGS) değişim oranıdır. Transkondüktans (g25155-8m) ve dinamik çıkış direnci (rd) arasında bir ilişki vardır ve bu ilişki şu şekilde kurulabilir.

 


14201b5d7e162862e1c6af79ea0cc751.jpeg

Yazarı Ödüllendir ve Cesaretlendir

Yorumlar

Sorunuzu veya görüşünüzü paylaşın
WhatsApp
Talep
+86
Dosya yüklemek için tıklayın
İndir
IEE Business Uygulamasını Al
IEE-Business uygulamasını ekipman bulmak için kullanın çözümler elde edin uzmanlarla bağlantı kurun ve sektör işbirliğine katılın her yerde her zaman güç projelerinizin ve işlerinizin gelişimini tamamen destekleyerek
Giriş
veya devam et
Burada yeni misiniz?
Kayıt