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Caractéristiques des JFET

Cet article explique le JFET en couvrant sa définition les spécifications clés (VGS(off), IDSS, gm, rd, μ) et leurs définitions respectives formules et caractéristiques.

Encyclopedia
Champ: Encyclopédie
Electrical Engineer
10Year<
China
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Définition du JFET


Un JFET est un type de transistor qui contrôle le flux de courant à l'aide d'un champ électrique.

 


Lors de l'achat d'un JFET pour une application spécifique, il est nécessaire de vérifier les spécifications du dispositif. Ces spécifications sont fournies par les fabricants. Les paramètres suivants sont utilisés pour spécifier un JFET et ils sont

 


  • Tension de coupure de la grille (VGS(off))

  • Courant de drain avec la grille court-circuitée (IDSS)

  • Transconductance (gmo)

  • Résistance de sortie dynamique (rd)

  • Facteur d'amplification (μ)

 


Tension de coupure de la grille


À une tension de drain fixe, le courant de drain (ID) d'un JFET dépend de la tension grille-source (VGS).

 


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Si la tension grille-source diminue à partir de zéro dans un JFET de canal n, le courant de drain se réduit également en conséquence. La relation entre la tension grille-source et le courant de drain est donnée ci-dessous. Après une certaine tension grille-source (V25155-1GS), le courant de drain ID devient nul. Cette tension est connue sous le nom de Tension de Coupure de Grille (VGS(off)). Cette tension est numériquement égale à la tension de pincement drain-source (Vp). Dans le cas d'un JFET de canal p, si nous augmentons la tension du terminal de grille à partir de zéro, le courant de drain se réduit et après une certaine tension grille-source, le courant de drain devient nul. Cette tension est la tension de coupure de grille pour le JFET de canal p. Il s'agit de la tension de coupure de grille pour le JFET de canal p.

 


Courant de drain avec la grille court-circuitée


Lorsque le terminal de grille est mis à la masse (VGS = 0) et que la tension drain-source (VDS) est lentement augmentée dans un JFET de canal n, le courant de drain augmente linéairement. Après la tension de pincement (Vp), le courant de drain reste constant, atteignant sa valeur maximale. Ce courant maximal, appelé Courant de Drain avec la Grille Court-Circuitée (IDSS), est fixe pour chaque JFET.

 


Transconductance


La transconductance est le rapport du changement de courant de drain (δID) au changement de tension grille-source (δVGS) à une tension drain-source constante (VDS = Constante).

 


Cette valeur est maximale à V25155-7GS = 0.

 


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Cela est noté par gmo. Cette valeur maximale (gmo) est spécifiée dans une fiche technique JFET. La transconductance à toute autre valeur de tension grille-source (gm) peut être déterminée comme suit. L'expression du courant de drain (ID) est

 


En dérivant partiellement l'expression du courant de drain (I25155-1D) par rapport à la tension grille-source (VGS)

 


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À VGS = 0, la transconductance atteint sa valeur maximale et celle-ci est

 


Par conséquent, nous pouvons écrire,

 


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Résistance de sortie dynamique


Il s'agit du rapport du changement de tension drain-source (δVDS) au changement de courant de drain (δID) à une tension grille-source constante (VGS = Constante). Le rapport est noté rd.

 


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Facteur d'amplification

 


Le facteur d'amplification est défini comme le rapport du changement de tension de drain (δVDS) au changement de tension de grille (δVGS) à un courant de drain constant (ID = Constant). Il existe une relation entre la transconductance (g25155-8m) et la résistance de sortie dynamique (rd) qui peut être établie de la manière suivante.

 


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