Definición de JFET
Un JFET es un tipo de transistor que controla el flujo de corriente utilizando un campo eléctrico.
Al comprar un JFET para una aplicación particular, necesitamos verificar las especificaciones del dispositivo. Estas especificaciones son proporcionadas por los fabricantes. Los siguientes son los parámetros utilizados para especificar un JFET y estos son
Voltaje de corte de la puerta (VGS(off))
Corriente de drenaje con la puerta cortocircuitada (IDSS)
Transconductancia (gmo)
Resistencia de salida dinámica (rd)
Factor de amplificación (μ)
Voltaje de corte de la puerta
A un voltaje de drenaje fijo, la corriente de drenaje (ID) de un JFET depende del voltaje de la puerta al terminal de fuente (VGS).
Si el voltaje de la puerta al terminal de fuente disminuye desde cero en un JFET de canal n, la corriente de drenaje también disminuye en consecuencia. La relación entre el voltaje de la puerta al terminal de fuente y la corriente de drenaje se muestra a continuación. Después de un cierto voltaje de la puerta al terminal de fuente (V25155-1GS), la corriente de drenaje ID se convierte en cero. Este voltaje se conoce como Voltaje de Corte de la Puerta (VGS(off)). Este voltaje es numéricamente igual al voltaje de pellizco de drenaje a fuente (Vp). En el caso de un JFET de canal p, si aumentamos el voltaje del terminal de la puerta desde cero, la corriente de drenaje disminuye y después de un cierto voltaje de la puerta al terminal de fuente, la corriente de drenaje se convierte en cero. Este voltaje es el voltaje de corte de la puerta para el JFET de canal p. Es el voltaje de corte de la puerta para el JFET de canal p.
Corriente de drenaje con la puerta cortocircuitada
Cuando el terminal de la puerta está conectado a tierra (VGS = 0) y el voltaje de drenaje a fuente (VDS) se incrementa lentamente en un JFET de canal n, la corriente de drenaje aumenta linealmente. Después del voltaje de pellizco (Vp), la corriente de drenaje se mantiene constante, alcanzando su valor máximo. Esta corriente máxima, llamada Corriente de Drenaje con la Puerta Cortocircuitada (IDSS), es fija para cada JFET.
Transconductancia
La transconductancia es la razón de cambio en la corriente de drenaje (δID) al cambio en el voltaje de la puerta al terminal de fuente (δVGS) a un voltaje de drenaje a fuente constante (VDS = Constante).
Este valor es máximo en V25155-7GS = 0.
Esto se denota como gmo. Este valor máximo (gmo) se especifica en la hoja de datos de un JFET. La transconductancia en cualquier otro valor de voltaje de la puerta al terminal de fuente (gm) puede determinarse de la siguiente manera. La expresión de la corriente de drenaje (ID) es
Al derivar parcialmente la expresión de la corriente de drenaje (I25155-1D) respecto al voltaje de la puerta al terminal de fuente (VGS)
En VGS = 0, la transconductancia alcanza su valor máximo y ese es
Por lo tanto, podemos escribir,
Resistencia de salida dinámica
Esta es la razón de cambio del voltaje de drenaje a fuente (δVDS) al cambio de la corriente de drenaje (δID) a un voltaje de la puerta al terminal de fuente constante (VGS = Constante). La razón se denota como rd.
Factor de amplificación
El factor de amplificación se define como la razón de cambio del voltaje de drenaje (δVDS) al cambio del voltaje de la puerta (δVGS) a una corriente de drenaje constante (ID = Constante).Hay una relación entre la transconductancia (g25155-8m) y la resistencia de salida dinámica (rd) y esta se puede establecer de la siguiente manera.
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