I. Introductio
Status abnormalis circuitus secundari apparati protectionis in statione transformationis magnam influentiam habet super systema totum electricitatis. Primo, circuitus secundarius apparati protectionis est pars essentialis systematis electricitatis, et eius praecipua functio est stabilire operationem systematis electricitatis. Cum status circuitus secundari sit abnormalis, potest ad diminutionem stabilitatis systematis electricitatis et incrementum probabilitatis defectuum ducere.
Praeterea, circuitus secundarius apparati protectionis qui est abnormalis potest ad malfunctionem vel non-operationem apparati protectionis ducere, sicque periculum systematis electricitatis minatur. Exempli gratia, cum defectus short-circuit in linea occurrit, si circuitus secundarius apparati protectionis qui est abnormalis impediat apparatus protectionis ab intercidiendo lineam defectoriam tempestive, potest ad consequentias gravioris, ut damnum apparatorum et incendium, ducere. Itaque, est extremum necessarium ut latentia defectus in circuitu efficaciter detegantur.
Xia Tongzhao et al. methodum pro detectione latentium defectuum in circuitu secundario apparati protectionis stationis transformationis basatam super informatione multi-parametrica proposuerunt. Per colligendum informationem de multis parametris, fit analysis comprehensiva status operationis circuitus secundari apparati protectionis, quae potest latentia defectus accuratius detegere, ac praecisionem et fiduciam detectionis defectuum augere, et iuvare ad identificandum et solvendum potentiales pericula. Tamen, haec methodus ad certam mensuram complexitatem et computatio datae processingis auctificat.
Yang Yuhan methodum pro detectione defectuum in circuitu secundario apparati protectionis stationis transformationis basatam super technologia PLC proposuit. Utilizando flexibile programmationem, altam fiduciam, et fortis expansibilitatem technologiae PLC, automatizatio et intelligentia detectionis defectuum augebantur, et status operationis circuitus secundari realiter monitorari poterat, quod bonum effectum applicationis in meliorando securitate et stabilitate systematis electricitatis habet. Tamen, in stadio applicationis actuali, technologia PLC supportum hardware et software correspondens requirit, quod costum et complexitatem systematis electricitatis augebit.
Super his, huius scripti proponitur studium de methodo automatica detectionis latentium defectuum in circuitu apparati protectionis secundari stationis transformationis, et analysi et verificationi performance methodi detectionis designati in ambiente test comparativi.
II. Design Schematis Automatici Detectionis Latentium Defectuum in Circuitu Secundario Apparati Protectionis
2.1 Analysis Domini Associationis Defectuum Circuitus Secundari Apparati Protectionis
In processu tractandi status questiones circuitus secundari apparati protectionis, ob relationes inter diversas partes [3]. Ergo, cum latentia defectus sint, manifestationes macroscopicae correspondentis non sunt limitatae ad locum specificum defectus. In hac re, hoc scriptum primum analysit dominum associationis defectuum circuitus secundari apparati protectionis [4]. Per constitutionem functionis aptae, problem originale detectionis defectus transformatur in calculum problematis optimi fitness functionis functionis objectivi. Sic, secundum informationem operationis actualis circuitus secundari apparati protectionis, status circuitus secundari aestimari potest.
Pro domino specifico associationis defectuum circuitus secundari apparati protectionis, hoc scriptum similitudinem inter informationem operationis actualis circuitus secundari apparati protectionis et valorem expectatum ut standardem mensurationis accipit. Cum summa currentis in circuitu calculatur, fortasse oporteat addere currentes omnium ramorum in circuitu, et tunc, limites superior et inferior summationis respondent numero currentium ramosorum. Secundum methodum supra, analysis domini associationis defectuum circuitus secundari apparati protectionis realizatur, praebens fundamentum executionis ad subsequentem detectionem latentium defectuum.
2.2 Detectio Latentium Defectuum in Circuitu Secundario Apparati Protectionis

Tab.1 Tabula comparationis resultatorum output valorum characteristicorum currentis criterii defectus circuiti diversorum graduum
I. Analysis Resultatorum Test
Ex resultatis test quae in Tabula 1 ostenduntur, inter tres diversos methodos detectionis, methodus pro detectione latentium defectuum in circuitu secundario apparati protectionis stationis transformationis basata super informatione multi-parametrica in Litteratura [1] proposta, melius performat in detectione status defectus gradus maiori. Quando error comprehensivus circuitus mensurae minor est quam 10.0%, output resultatus valoris characteristicus criterii defectus circuiti significanter minor est, quod certas defectus pro determinatione defectus actuali habet.
Pro methodo pro detectione defectuum in circuitu secundario apparati protectionis stationis transformationis basata super technologia PLC in Litteratura [2] proposta, output resultatus valorum characteristicorum criterii defectus circuiti sunt relativiter stabiles, sed spatium ad meliorationem in valoribus generalibus est.
Contrario, sub methodo detectionis designata in hoc scripto, output resultatus valorum characteristicorum criterii defectus circuiti semper super 0.12 A sunt, et maximus valor plus quam 0.22 A excedit, quod potest latentes status defectus circuitus apparati protectionis secundari efficaciter reflectere. Comparato cum gruppo controllo, praebet notabilia praestantia in stabilitate et adaptabilitate.
In analysi performance methodi detectionis designati, modello circuitus apparati protectionis secundari stationis transformationis in PSCAD/EMTDC constructum est. In stadio specifico dispositionis, considerata fuit protectio actualis, modello componentis electrici, et configuratio parametri operationis.
II. Applicationes Tests
2.1 Praeparatio Test
Super linea transmissionis typica, configuratum est protectio distantiae et usus est ut circuitus apparati protectionis secundari. In configuratione specifica parametri operationis, range impeditivus ad 80% - 120% impediti lineae; tempus morae 0.1 s, et tempus operationis 0.02 s; character operativus quadrilateralem adhibuit ad securitatem operationis quando defectus intra range protectionis occurreret et securitatem non-operationis quando defectus extra range protectionis occurreret; quando voltage minor esset quam 80% voltage nominata, protectio obstructa est ad preveniendum maloperationem ad voltage nimis parvo. Ratio transformationis CT erat 1000:1, et currentus nominatus 1.0 A. Ratio transformationis PT erat 10000:1, et voltage nominatus 100 kV. In configuratione filter, filter passus-bassus usus est, et frequencia cut-off 500 Hz ad minimizationem impactus noise high-frequency super protectionem.
2.2 Schema Test
Super ambiento test supra mentionato, methodus pro detectione latentium defectuum in circuitu secundario apparati protectionis stationis transformationis basata super informatione multi-parametrica in Litteratura [1] et methodus pro detectione defectuum in circuitu secundario apparati protectionis stationis transformationis basata super technologia PLC in Litteratura [2] acceptae sunt ut groupi controllo test. Resultatus detectionis trium diversorum methodorum sub eisdem conditionibus operationis testati sunt.
Pro conditionibus specificis test, circuitus mensurae currentis ramus ubi CT sit locus defectus fuit, et errores comprehensivi circuitus mensurae ramus ubi CT sit fuerunt -15%, -10%, -5%, +5%, +10%, et +15% respective. Super hoc, distributiones valorum characteristicorum criterii defectus circuiti ramus mensurae currentis defectus a diversis methodis detectionis separatim recensitae sunt.
2.3 Resultatus et Analysis Test
Output resultatus valorum currentis valorum characteristicorum criterii defectus circuiti diversorum graduum sub diversis methodis detectionis separatim recensiti sunt, et data specifica resultata in Tabula 1 ostenduntur.
III. Conclusio
Abnormalitas circuitus secundari apparati protectionis est unum ex factoribus directissimis ad augmentum amissionis energiae in systema electricitatis. Cum transformatore currentis vel transformatore voltage in circuitu secundario deficiat, ad errores mensurationis ducet, sicque accuratezza settlementi billi electricitatis afficiet.
Hoc scriptum studium de methodo automatica detectionis latentium defectuum in circuitu apparati protectionis secundari stationis transformationis proponit, quae accurate detectionem circuitus secundari diversorum graduum efficaciter realizat et bonum valorem applicationis practicum habet. Per studium et design methodi detectionis defectus circuitus apparati protectionis secundari in hoc scripto, speratur ut referentia valde utiliter pro securitate managementalis actuali stationis transformationis praebetur.
Cum functione fitness domini associationis defectuum circuitus secundari apparati protectionis constructa in parte 2.1, in specifico processu detectionis defectus, hoc scriptum solvit optimum valoris functionis fitness ut finis identificationis. Secundum methodum supra, detectio et analysis latentium defectuum in circuitu apparati protectionis secundari realizantur.