Xi huwa Karatteristiċi tal-Transistor?

X’ngħatax huma l-Karatteristiċi tal-Transistor?

Il-Karatteristiċi tal-Transistor jdefinixxu r-riżilta fl-irrelazzjoni bejn il-kurrenti u l-voltaggi f’differenzi konfigurazzjonijiet ta’ transistor. Dawn il-konfigurazzjonijiet, simili għal netwurk b’żewġ porti, jiġu analizzati permezz ta’ kurvi karatteristiċi, kategorizzati kif tali:

Karatteristiċi tal-Input: Dawn jiddeskrivu l-bidliet fil-kurrent tal-input meta tivdil il-valuri tal-voltagġ tal-input waqt li jilqgħu l-voltagġ tal-output kostanti.

Karatteristiċi tal-Output: Dan huwa rappreżentazzjoni grafika tal-kurrent tal-output kontra l-voltagġ tal-output bl-input current kostanti.

Karatteristiċi tal-Transfer tas-Silġ: Dan il-kurva karatteristiċi juri l-bidliet fit-tas-silġ tal-output skont it-tas-silġ tal-input, bl-output voltage kostanti.

Konfigurazzjoni Common Base (CB) tal-Transistor

F’l-konfigurazzjoni CB, it-terminal tal-base tal-transistor ikun komuni bejn it-terminals tal-input u tal-output kif mur fi Figura 1. Din il-konfigurazzjoni toffri impedanza tal-input baxxa, impedanza tal-output ħafiża, gain ta’ reżistanza ħafiża u gain ta’ voltagġ ħafiż.

Karatteristiċi tal-Input għall-Konfigurazzjoni CB tal-Transistor

Karatteristiċi tal-Input għall-Konfigurazzjoni CB: Figura 2 turi kif invarja l-kurrent tal-emitter, IE, skont il-voltagġ tal-Base-Emitter, VBE, waqt li jilqgħu l-voltagġ tal-Collector-Base, VCB, kostanti.

Dan jilgħab il-espressjoni għall-resistenza tal-input kif segue:

Karatteristiċi tal-Output għall-Konfigurazzjoni CB tal-Transistor

Karatteristiċi tal-Output għall-Konfigurazzjoni CB: Figura 3 turi l-bidliet fit-tas-silġ tal-collector, IC, rispetto a VCB, bl-emitter current, IE, kostanti. Dan il-grafiku jippermetti wkoll inkalkulazzjoni tal-resistenza tal-Output.

Karatteristiċi tal-Transfer tas-Silġ għall-Konfigurazzjoni CB tal-Transistor

Karatteristiċi tal-Transfer tas-Silġ għall-Konfigurazzjoni CB: Figura 4 turi kif invarja l-kurrent tal-collector, IC, skont it-tas-silġ tal-emitter, IE, bl-VCB kostanti. Dan jilgħab gain ta’ silġ inferjur għal 1, espress matematikament kif segue.

Konfigurazzjoni Common Collector (CC) tal-Transistor

Din il-konfigurazzjoni tal-transistor tħallie l-terminal tal-collector tal-transistor komuni bejn it-terminals tal-input u tal-output (Figura 5) u jgħidu ukoll konfigurazzjoni tal-emitter follower. Din toffri impedanza tal-input ħafiża, impedanza tal-output baxxa, gain ta’ voltagġ infeż għal wieħed u gain ta’ silġ kbir.

Karatteristiċi tal-Input għall-Konfigurazzjoni CC tal-Transistor

Karatteristiċi tal-Input għall-Konfigurazzjoni CC: Figura 6 turi kif invarja l-kurrent tal-base, IB, rispetto al-Voltagġ tal-Collector-Base, VCB, bl-Voltagġ tal-Collector-Emitter, VCE, kostanti.

Karatteristiċi tal-Output għall-Konfigurazzjoni CC tal-Transistor

Figura 7 tali turi l-karatteristiċi tal-Output għall-konfigurazzjoni CC li juri l-bidliet fit-tas-silġ tal-emitter, IE, rispetto al-bidliet fit-tas-silġ tal-Collector-Emitter, VCE, bl-IB kostanti.

Karatteristiċi tal-Transfer tas-Silġ għall-Konfigurazzjoni CC tal-Transistor

Din il-karatteristiċi tal-konfigurazzjoni CC (Figura 8) turi l-bidliet fit-tas-silġ tal-emitter, IE, rispetto al-kurrent tal-base, IB, bl-VCE kostanti.

Konfigurazzjoni Common Emitter (CE) tal-Transistor

F'din il-konfigurazzjoni, it-terminal tal-emitter huwa komuni bejn it-terminals tal-input u tal-output kif mur fi Figura 9. Din il-konfigurazzjoni toffri impedanza tal-input medja, impedanza tal-output medja, gain ta’ silġ medju u gain ta’ voltagġ medju.

Karatteristiċi tal-Input għall-Konfigurazzjoni CE tal-Transistor

Figura 10 turi l-karatteristiċi tal-Input għall-konfigurazzjoni CE tal-transistor li juri l-bidliet fit-tas-silġ tal-base, IB, skont il-voltagġ tal-Base-Emitter, VBE, meta VCE hija kostanti.

Mill-grafiku mur fi Figura 10 fuq, l-resistenza tal-input tal-transistor tista' tiġi ottenuta kif segue:

Karatteristiċi tal-Output għall-Konfigurazzjoni CE tal-Transistor

Il-karatteristiċi tal-Output għall-konfigurazzjoni CE (Figura 11) jgħidu ukoll karatteristiċi tal-collector. Dan il-plot juri l-bidliet fit-tas-silġ tal-collector, IC, skont il-bidliet fit-tas-silġ tal-Collector-Emitter, VCE, meta l-IB hija kostanti. Mill-grafiku mur, l-resistenza tal-Output tista' tiġi ottenuta kif segue:

Karatteristiċi tal-Transfer tas-Silġ għall-Konfigurazzjoni CE tal-Transistor

Din il-karatteristiċi tal-konfigurazzjoni CE turi l-bidliet fit-tas-silġ tal-collector, IC, skont it-tas-silġ tal-base, IB, bl-VCE kostanti. Dan jista' jiġi espress matematikament kif segue:

Din ir-rapport jgħidu gain ta’ silġ tal-common-emitter u huwa dejjem akbar mill-1.

L-aħħar, huwa daqsar jissemma li anki l-kurvi karatteristiċi spjega huma għal BJTs, analisi similari japplika ukoll għal FETs.