Quid sunt Characteristicae Transistoris

Quid sunt Characteristicae Transistoris?

Characteristicae Transistoris definient relationem inter currentes et voltus in diversis configurationibus transistoris. Haec configurationes, similiter duobus portis, analyzantur per curvas characteristicas, quae sic categorizantur:

Characteristicae Input: Hae describunt mutationes in currente input cum variationibus in valoribus volti input tenendo constantem voltum output.

Characteristicae Output: Haec est plot currentis output versus voltus output cum constante currente input.

Characteristicae Transferentis Currentis: Haec curva characteristicarum monstrat variationem currentis output secundum currentem input, tenendo constantem voltum output.

Configuratio Base Communis (CB) Transistoris

In Configuratione CB, terminus base transistoris erit communis inter terminos input et output ut ostenditur in Figura 1. Haec configuratio offert impedimentum input parvum, impedimentum output magnum, gain resistivitatis magnum et gain volti magnum.

Characteristicae Input pro Configuratione CB Transistoris

Characteristicae Input pro Configuratione CB: Figura 2 illustrat quomodo currentis emitter, IE, variat cum volto Base-Emitter, VBE, tenendo constantem voltum Collector-Base, VCB.

Hoc ducit ad expressionem pro impedimento input ut

Characteristicae Output pro Configuratione CB Transistoris

Characteristicae Output pro Configuratione CB: Figura 3 ostendit mutationes in currente collector, IC, relativa VCB, tenendo constantem currentem emitter, IE. Hoc graphon etiam permittit nobis calculare impedimentum output.

Characteristicae Transferentis Currentis pro Configuratione CB Transistoris

Characteristicae Transferentis Currentis pro Configuratione CB: Figura 4 praebet quomodo currentis collector, IC, variat cum currente emitter, IE, tenendo constantem VCB. Hoc resultat in gain currentis minor quam 1, mathematica expresso infra.

Configuratio Collector Communis (CC) Transistoris

Haec configuratio transistri habet terminum collector communem inter terminos input et output (Figura 5) et etiam nominatur configuratio emitter follower. Haec offert impedimentum input magnum, impedimentum output parvum, gain volti minor quam unum et magnam gain currentis.

Characteristicae Input pro Configuratione CC Transistoris

Characteristicae Input pro Configuratione CC: Figura 6 delineat quomodo currentis base, IB, mutatur in relatione ad voltum Collector-Base, VCB, cum constante volto Collector-Emitter, VCE.

Characteristicae Output pro Configuratione CC Transistoris

Figura 7 infra ostendit characteristicae output pro configuratione CC quae exhibet variationes in IE contra mutationes in VCE pro constantibus valoribus IB.

Characteristicae Transferentis Currentis pro Configuratione CC Transistoris

Haec characteristica configurationis CC (Figura 8) monstrat variationem IE cum IB tenendo VCE constantem.

Configuratio Emitter Communis (CE) Transistoris

In hac configuratione, terminus emitter est communis inter terminos input et output ut ostenditur in Figura 9. Haec configuratio offert impedimentum input medium, impedimentum output medium, gain currentis medium et gain volti medium.

Characteristicae Input pro Configuratione CE Transistoris

Figura 10 ostendit characteristicae input pro configuratione CE transistri quae illustrat variationem in IB secundum VBE quando VCE tenetur constans.

Ex grapho ostento in Figura 10 supra, impedimentum input transistri potest obtineri ut

Characteristicae Output pro Configuratione CE Transistoris

Characteristicae output configurationis CE (Figura 11) etiam nominantur characteristicae collector. Hoc plot monstrat variationem in IC cum mutationibus in VCE quando IB tenetur constans. Ex grapho ostento, impedimentum output potest obtineri ut:

Characteristicae Transferentis Currentis pro Configuratione CE Transistoris

Haec characteristica configurationis CE monstrat variationem IC cum IB tenendo VCE constantem. Hoc mathematica datur ut

Hoc ratio nominatur gain currentis common-emitter et semper maior est quam 1.

Denique, notandum est quod licet curvae characteristicarum explicatae sint pro BJT, simili analysis valent etiam in casu FET.