Milyen jellemzőkkel rendelkeznek a tranzisztorok?

Mi a tranzisztor jellemzői?

A tranzisztor jellemzői meghatározzák az áramok és feszültségek viszonyát a tranzisztor különböző konfigurációiban. Ezek a konfigurációk, hasonlóan a kétportú hálózatokhoz, karakterisztikus görbékkel vannak elemzve, amelyek a következők szerint osztályozhatók:

Bemeneti jellemzők: Ezek leírják a bemeneti áram változásait a bemeneti feszültség értékeinek megváltozása esetén, miközben a kimeneti feszültség állandó marad.

Kimeneti jellemzők: Ez a kimeneti áram és a kimeneti feszültség közötti összefüggést ábrázolja, ahol a bemeneti áram állandó.

Áramerősítési jellemzők: Ez a jellemző görbe a kimeneti áram változását mutatja be a bemeneti áram függvényében, ahol a kimeneti feszültség állandó.

Tranzisztor közös bázis (CB) konfigurációja

A CB konfigurációban a tranzisztor bázis terminálja közös a bemeneti és a kimeneti terminálok között, ahogy az Ábra 1. mutatja. Ez a konfiguráció alacsony bemeneti ellenállást, magas kimeneti ellenállást, magas ellenállás-erősítést és magas feszültség-erősítést kínál.

CB konfiguráció bemeneti jellemzői

CB konfiguráció bemeneti jellemzői: Az Ábra 2. bemutatja, hogyan változik az emittőr-áram, IE, a Bázis-Emittőr feszültség, VBE, változása során, miközben a Kölcsönző-Bázis feszültség, VCB, állandó marad.

Ez vezet a bemeneti ellenállás kifejezéséhez, mint

CB konfiguráció kimeneti jellemzői

CB konfiguráció kimeneti jellemzői: Az Ábra 3. bemutatja a kollektor-áram, IC, változását a VCB változása során, miközben az emittőr-áram, IE, állandó marad. Ez a grafikon lehetővé teszi a kimeneti ellenállás számítását is.

CB konfiguráció áramerősítési jellemzői

CB konfiguráció áramerősítési jellemzői: Az Ábra 4. bemutatja, hogyan változik a kollektor-áram, IC, az emittőr-áram, IE, változása során, miközben a VCB állandó marad. Ez eredményez egy 1-nél kisebb áramerősítést, amit a következő képlet ad matematikailag kifejezve.

Tranzisztor közös kollektor (CC) konfigurációja

Ebben a tranzisztor konfigurációban a kollektor terminálja közös a bemeneti és a kimeneti terminálok között (Ábra 5), és emellett emittőr-követő konfigurációként is ismert. Ez magas bemeneti ellenállást, alacsony kimeneti ellenállást, 1-nél kisebb feszültség-erősítést és nagy áramerősítést kínál.

CC konfiguráció bemeneti jellemzői

CC konfiguráció bemeneti jellemzői: Az Ábra 6. bemutatja, hogyan változik a bázis-áram, IB, a Kollektor-Bázis feszültség, VCB, változása során, miközben a Kollektor-Emittőr feszültség, VCE, állandó marad.

CC konfiguráció kimeneti jellemzői

Az alábbi Ábra 7. bemutatja a CC konfiguráció kimeneti jellemzőit, amelyek a IE változását mutatják a VCE változása során, ahol az IB állandó.

CC konfiguráció áramerősítési jellemzői

Ez a CC konfiguráció jellemző (Ábra 8) bemutatja a IE változását az IB változása során, ahol a VCE állandó.

Tranzisztor közös emittőr (CE) konfigurációja

Ebben a konfigurációban az emittőr terminálja közös a bemeneti és a kimeneti terminálok között, ahogy az Ábra 9. mutatja. Ez a konfiguráció közepes bemeneti ellenállást, közepes kimeneti ellenállást, közepes áramerősítést és feszültség-erősítést kínál.

CE konfiguráció bemeneti jellemzői

Az Ábra 10. bemutatja a CE konfiguráció bemeneti jellemzőit, amelyek a IB változását mutatják a VBE változása során, miközben a VCE állandó marad.

Az Ábra 10. által bemutatott grafikonból a tranzisztor bemeneti ellenállása a következőképpen számítható:

CE konfiguráció kimeneti jellemzői

A CE konfiguráció kimeneti jellemzői (Ábra 11) gyakran kollektor jellemzőként is emlegetik. Ez a grafikon a IC változását mutatja a VCE változása során, miközben az IB állandó. A grafikonból a kimeneti ellenállás a következőképpen számítható:

CE konfiguráció áramerősítési jellemzői

Ez a CE konfiguráció jellemző a IC változását mutatja az IB változása során, miközben a VCE állandó. Matematikailag a következő képlettel adható meg:

Ez a hányados a közös-emittőr áramerősítésnek nevezik, és mindig nagyobb, mint 1.

Végül megjegyzendő, hogy bár a leírt jellemző görbék BJT-kre vonatkoznak, hasonló elemzés érvényes a FET-ek esetén is.