چیه یەک پۆتۆترانزیستۆر؟

Fototransistor ne û?

Pêşnûmayek Fototransistor

Fototransistor dihewlî ye ku divê bi rêjiyên nûrî yên baz da, ji bo dîtina xebitandina û zêdetkirina sinyalên nûrî.

Fototransistors dihewlî yên semiconductoran ne ku divê li ser ên (emitter, base, û collector) an du ên (emitter û collector) bia û bazên bi rêjiyên nûrî hene. Her transistorek dikarin bi rastî rêjibin, fototransistores li ser dîtina nûrî taybetandin. Ew diha hatine jêr bikirin bi karbaziya difuziyon an ion-implantation û rejiyonên collector û bazên mezin tar hene yên transistorekan bêtik. Fototransistors dikarin wekî homojunction structure, ji wan materyallike wan, siyasiya silicon, an wekî heterojunction structure, ji materyallikan din, çawa GaAs.

Li ser her du cihê, fototransistores homojunction yek materyalkiyan, ya silikon an germanium, hene. Lakin bi tenê bibaraneke ew efektiv bihin, fototransistores dikarin bi materyallikan din (Group III-V materials like GaAs) diherîn lêgerî p-n dibêjin, ku heta heterojunction devices dadin. Berî vê, homojunction devices pi rojen bihine werdigirin ji ber ku wê ekonomîn hene.

Sîmolê ji bo npn fototransistors di Figure 2 de dihewlî ye ku transistorek bi du sagîn ku bi serebaz bi base dayên, ku rêjibariya nûrî nîşan dide. Ji bo pnp fototransistors, sîmolê yek e, lakin sagîna emitterê navendî ye, nayê derve be.

Prinsipê Xebitandina

Fototransistors dihewlî ye ku ji bo lêgerîna base current bi intensitiya nûrî digire, ku wereke bi taybetmendiya wê di ser xebitandina û zêdetkirina.

Cureyên Konfigurasyon

Fototransistors dikarin bi common collector an common emitter configurations bêtik, wekî transistorekan bêtik.

Factorên Output

Output fototransistorek bi wavelength î nûr î destpêk, area ên collector-base junction, û DC current gain transistorek hate parastî.

Zorav û Pêşnûmayek Fototransistor

Zorav û pêşnûmayek fototransistors bin:

• Basit, kompak û kam girtin.

• Current, gain û response time bi mîna photodiodes.

• Output voltage bi mîna photo resistors.

• Rêjibin bi range-i çêdîn wavelengths li vir ultraviolet (UV) derbas infrared (IR) di nav radiation.

• Rêjibin bi çend source î incandescent bulbs, fluorescent bulbs, neon bulbs, lasers, flames û sunlight.

• Bijarek û temporally stable.

• Kam noisy bi mîna avalanche photodiodes.

• Available in wide variety of package types including epoxy-coated, transfer-molded and surface mounted.

Negativ û Pêşnûmayek Fototransistor

Negativ û pêşnûmayek fototransistors bin:

• Nayê bibaraneke high voltages ji bo silikon.

• Prone to electric spikes and surges.

• Affected by electromagnetic energy.

• Do not permit the easy flow of electrons unlike electron tubes.

• Poor high frequency response due to a large base-collector capacitance.

• Cannot detect low levels of light better than photodiodes.

Endam

• Object detection

• Encoder sensing

• Automatic electric control systems such as in light detectors

• Security systems

• Punch-card readers

• Relays

• Computer logic circuitry

• Counting systems

• Smoke detectors