Quid est Phototransistor?

Quid est Phototransistor?

Definitio Phototransistoris

Phototransistor definitor est ut dispositivum semiconductore cum regione basali sensibili ad lumen, specialiter designatum pro detectando et amplificando signa luminosa.

Phototransistores sunt dispositiva semiconductoria cum tribus terminis (emittente, base, et collector) vel duobus terminis (emittente et collector) et habent regionem basalem sensibilem ad lumen. Quamvis omnes transistores sint aliquantulum sensibiles ad lumen, phototransistores specificiter optimizati sunt pro detectione luminis. Fabricantur per technicas diffusionis vel implantationis ionicae et habent regiones collectores et basales maiores quam transistores regulares. Phototransistores possunt habere structuram homojunctionis, factam ex uno materia sicut silicium, vel structuram heterojunctionis, factam ex diversis materialibus.

In casu phototransistorum homojunctionis, totum dispositivum erit factum ex uno genere materialis; sive silicio sive germanio. Tamen ad incrementum suae efficientiae, phototransistores possunt fieri ex materialibus non identicis (materialibus Gruppi III-V sicut GaAs) ex utraque parte junctionis pn, ducendo ad dispositiva heterojunctionis. Tamen dispositiva homojunctionis frequentius usantur comparate ad dispositiva heterojunctionis, quia sunt oeconomiciora.

Signum circuiti pro phototransistoribus npn, ut monstrat Figura 2, includit transistor cum duobus sagittis tendentibus ad basin, indicantes sensitivitatem ad lumen. Pro phototransistoribus pnp, signum simile est, sed sagitta ad emittentem tendit intra potius quam extra.

Principium Operativum

Phototransistores operantur per substitutionem currentis basalis intensitate luminum, permittentes eis functionare in applicationibus commutationis et amplificationis.

Typi Configurationum

Phototransistores possunt configurari in configurationibus collectoris communis vel emitteris communis, similiter ac transistores regulares.

Factores Output

Output phototransistoris dependet a longitudine undarum incidentis luminis, areae junctionis collectoris-basalis, et DC current gain transistoris.

Advantages Phototransistoris

Advantages phototransistoris includunt:

• Simplicia, compacta et minus onerosa.

• Maior current, maior gain et celeriores tempora responsionis comparate ad photodiodes.

• Resultant in voltage output contra photoresistores.

• Sensibilia ad latam gamman longitudinum undarum ab ultravioletta (UV) ad infrarubrum (IR) per radiationem visibilem.

• Sensibilia ad magnam numerum fontium includent lampadas incandescentes, lampadas fluorescentes, lampadas neon, lasers, flammas et solem.

• Alta fidelitas et stabilitas temporalis.

• Minus sonoros comparate ad avalanche photodiodes.

• Disponibilia in varietate larga typorum packaging inclusis epoxy-coated, transfer-molded et surface mounted.

Disadvantages Phototransistoris

Disadvantages phototransistoris includunt:

• Non possunt sustinere voltages alta si facti sunt ex silicio.

• Propensi ad spikes electricos et surges.

• Affectati ab energia electromagnetica.

• Non permittunt facilem fluxum electronorum contra electron tubes.

• Pessima responsum ad altas frequentias propter capacitance magnum basale-collector.

• Non possunt detectare niveles bassos luminis melius quam photodiodes.

Applicationes

• Detectio objecti

• Sensing encoder

• Systemata controlis electrica automatica sicut in detectoribus luminis

• Systemata securitatis

• Lectores punch-card

• Relays

• Circuitus logici computatorii

• Systemata numerandi

• Detectorum fumi