Bipolara Junta Transistora Konektoj
Difino de Bipola Junta Transistoro
Bipola Junta Transistoro (BJT) estas tri-terminala dispozicio. Ĝi povas funkcii kiel amplifikilo aŭ komutilo, postulante unu enigcircuiton kaj unu eligcircuiton. Por trakti tion kun nur tri terminaloj, unu terminalo servas kiel komuna konekto por ambaŭ enigo kaj eligo. La elekto de la komuna terminalo dependas de la apliko. Ekzistas tri tipoj de transistorkonektoj: komuna bazo, komuna emito kaj komuna kolektoro.
Transistoro kun Komuna Bazo
Transistoro kun Komuna Emito
Transistoro kun Komuna Kolektoro.
Ĉi tie oni devas memori, ke tute egalas la konekton de transistoro, sed la bazo-emita jungo devas esti antaŭtenzurita kaj la bazo-kolektora jungo devas esti malantaŭtenzurita.
Konekto de Komuna Bazo de BJT
Ĉi tie la bazterminalo estas komuna al ambaŭ enig- kaj eligcirkvito. La konfiguroj de komuna bazo aŭ modoj estas montritaj en la figuro sube. Ĉi tie, la komuna bazmoda npn-transistoro kaj pnp-transistoro estas montritaj aparte. Ĉi tie la emito-baza cirkvito estas prenita kiel enigcirkvito kaj kolektoro-baza cirkvito kiel eligcirkvito.
Kurenta Guano
Ĉi tie la eniga kurento estas emita kurento IE kaj la eliga kurento estas kolektora kurento IC. La kurenta guano estas konsiderata kiam ni nur konsideras la dc-biasajn voltajojn de la cirkvito kaj ne estas aplikita alternada signalo en la enigon. Nun, se ni konsideras la alternadan signalon aplikitan al la enigo, do la kurenta amplifikfaktoro (α) je konstanta kolektoro-baza voltajo, estus
Ĉi tie vidigas, ke neniu el la kurenta guano kaj la kurenta amplifikfaktoro havas valoron pli grandan ol unueco, ĉar la kolektora kurento en iu maniero ne povas esti pli granda ol la emita kurento. Sed kiel ni scias, ke la emita kurento kaj la kolektora kurento estas preskaŭ egalaj en bipola junta transistoro, tiuj rilatoj estos tre proksimaj al unueco. La valoro ĝenerale varias de 0,9 ĝis eĉ 0,99.
Esprimo de Kolektora Kurento
Se la emita cirkvito estas malfermata, ne estos emita kurento (IC = 0). Sed en ĉi tiu kondiĉo, estos minuta kurento fluanta tra la kolektora regiono. Tio estas pro la fluo de minoraj ŝargokarrieroj kaj tio estas la inversa fuita kurento. Ĉar ĉi tiu kurento fluiĝas tra kolektoro kaj bazo tenante la emitan terminalon malfermitan, la kurento estas signifita kiel ICBO. En malgrandrajtecaj transistoroj la inversa fuita kurento ICBO estas sufiĉe malgranda kaj ĝenerale ni neglektas ĝin dum kalkuloj, sed en grandrajtecaj transistoroj ĉi tiu fuita kurento ne povas esti neglektita. Ĉi tiu kurento estas altdependa de la temperaturo, do je alta temperaturo la inversa fuita kurento ICBO ne povas esti neglektita dum kalkuloj. Ĉi tiu esprimo pruvas, ke la kolektora kurento ankaŭ dependas de la bazkurento.
Karakterizo de Komuna Bazkonekto
Eniga Karakterizo
Ĉi tio estas desegnita inter eniga kurento kaj eniga voltajo de la transistoro mem. La eniga kurento estas emita kurento (IE) kaj la eniga voltajo estas emito-baza voltajo (VEB). Post superado de la emito-baza juntobariera potencialo, la emita kurento (IE) komencas rapide pligrandiĝi kun la pligrandiĝo de la emito-baza voltajo (VEB).
La eniga rezisto de la cirkvito estas la rilatumo de ŝanĝo en emito-baza voltajo (ΔV EB) al emita kurento (ΔIE) je konstanta kolektoro-baza voltajo (VCB = Konstanta). Ĉar la ŝanĝo en emita kurento estas sufiĉe granda komparite kun la ŝanĝo en emito-baza voltajo (ΔIE >> ΔVEB), la eniga rezisto de la komuna baztransistoro estas sufiĉe malgranda.
Eliga Karakterizo
La kolektora kurento ricevas nur konstantan valoron, kiam estas sufiĉa inversa biasado starigita inter baz- kaj kolektoregiono. Tial estas pligrandiĝo de kolektora kurento kun la pligrandiĝo de kolektoro-baza voltajo, kiam ĉi tiu voltajo havas tre malaltan valoron. Sed post certa kolektoro-baza voltajo, la kolektoro-baza jungo ricevas sufiĉan inversan biasadon, kaj do la kolektora kurento fariĝas konstanta por certa emita kurento kaj ĝi tute dependas de la emita kurento.
En tia situacio, la tuta emita kurento, escepte de la bazkurento, kontribuas al la kolektora kurento. Ĉar la kolektora kurento fariĝas preskaŭ konstanta por specifa emita kurento en tiu regiono de la karakterizo, la pligrandiĝo de kolektora kurento estas tre, tre malgranda komparite kun la pligrandiĝo de kolektoro-baza voltajo.
La rilatumo de ŝanĝo en kolektoro-baza voltajo al la ŝanĝo en kolektora kurento estas difinita kiel la eliga rezisto de komuna bazmodo de transistoro. Nature, la valoro de la eliga rezisto estas tre alta en la komuna bazmodo de transistoro.
Komuna Emita Konekto de BJT
Komuna Emita Transistoro estas la plej ofte uzita transistora konekto. Ĉi tie la emita terminalo estas komuna por ambaŭ enig- kaj eligcirkvito. La cirkvito konektita inter bazo kaj emito estas la enigcirkvito, kaj la cirkvito konektita inter kolektoro kaj emito estas la eligcirkvito. La komuna emitmoda npn-transistoro kaj pnp-transistoro estas montritaj aparte en la figuro sube.
Kurenta Guano
En komuna emitkonfiguro, la eniga kurento estas bazkurento (IB) kaj la eliga kurento estas kolektora kurento (IC). En bipola junta transistoro, la bazkurento regas la kolektorankurrenton. La rilatumo de ŝanĝo en kolektora kurento (ΔIC) al ŝanĝo en bazkurento (ΔIB) estas difinita kiel la kurenta guano de komuna emittransistoro. En bipola junta transistoro, la emita kurento (IE) estas la sumo de la bazkurento (IB) kaj kolektora kurento (IC). Se la bazkurento ŝanĝiĝas, la kolektora kurento ankaŭ ŝanĝiĝas, kaj kiel rezulto la emita kurento ankaŭ ŝanĝiĝas laŭeble.
Denove, la rilatumo de ŝanĝo de kolektora kurento al la respektiva ŝanĝo en emita kurento estas signifita per α. Ĉar la valoro de bazkurento estas sufiĉe malalta komparite kun la kolektora kurento (IB << IC), la kurenta guano en komuna emittransistoro estas sufiĉe alta kaj ĝi varias de 20 ĝis 500.
Karakterizo de Komuna Emita Transistoro
En komuna emitmodo de transistoro, ekzistas du cirkvitoj – enigcirkvito kaj eligcirkvito. En la enigcirkvito, la parametroj estas bazkurento kaj baz-emita voltajo. La karakteriza kurbo desegnita kontraŭ variabloj de bazkurento kaj baz-emita voltajo estas eniga karakterizo de komuna emittransistoro. La pn-jungo inter bazo kaj emito estas antaŭtenzurita, do la karakterizo estos simila al tiu de antaŭtenzurita pn-junkdio. Ĉi tie ankaŭ la bazkurento ne ricevas iun valoron antaŭ ol la baz-emita voltajo superas la antaŭan barierpotencialon de la jungo, sed poste la bazkurento rapidigas signife kun la pligrandiĝo de baz-emita voltajo. La rapido de pligrandiĝo de bazkurento relative al la baz-emita voltajo estas alta ĉi tie, sed ne tiom alta kiel en la okazo de komuna bazmodo.
Do la eniga rezisto de la cirkvito estas pli alta ol tiu de la komuna bazmodo de transistoro.
Eliga Karakterizo de Komuna Emita Transistoro
La eliga karakterizo estas desegnita kontraŭ variabloj de eliga kurento kaj eliga voltajo de la transistoro. La kolektora kurento estas eliga kurento kaj kolektoro-emita voltajo estas la eliga voltajo de la transistoro. Ĉi tie la vario de kolektora kurento por malsamaj valoroj de kolektoro-baza voltajo estas grafikigita kontraŭ fiksita valoro de bazkurento. Troviĝas, ke komence la kolektora kurento proporcie pligrandigas kun la pligrandiĝo de kolektoro-emita voltajo, sed post certa voltajnivelo, la kolektora kurento fariĝas preskaŭ konstanta. Tio estas ĉar komence la bazo-kolektora jungo ne ricevas sufiĉan inversan biasadon, sed post certa voltajo ĝi fariĝas sufiĉe inverse biasita, kaj tiam la granda parto de ŝargokarrieroj venantaj de emita regiono al bazregiono migrus al kolektoregiono por kontribui al kolektora kurento. La nombro de majoraj karrieroj venantaj de emita regiono dependas de la bazkurento en BJT, do por specifa bazkurento la kolektora kurento estas konstanta.
La eliga rezisto estus
Komuna Kolektora Konekto de BJT
En komuna kolektora konfiguro, la enigcirkvito estas inter bazo kaj kolektorterminalo, kaj la eligcirkvito estas inter emito kaj kolektorterminalo.
La rilatumo de ŝanĝo de emita kurento al ŝanĝo de bazkurento estas difinita kiel la kurenta guano de komuna kolektora konfiguro. Ĉi tio estas signifita kiel,
La kurenta amplifikfaktoro de la cirkvito estas la rilatumo de ŝanĝo de emita kurento al ŝanĝo de bazkurento, kiam tempvaria signalo estas aplikita al la enigo.
Eniga Karakterizo de Komuna Kolektora Transistoro
La eniga kurento estas bazkurento kaj la eniga voltajo de la transistoro estas baz-kolektora voltajo. La baz-kolektora jungo estas inverse biasita, kaj do kun la pligrandiĝo de baz-kolektora voltajo la inversa biasado de la jungo pligrandiĝas. Tio kaŭzas leĝeran malkreskon de bazkurento kun la pligrandiĝo de baz-kolektora voltajo. Ĉar en ĉi tiu kondiĉo pli da minoraj karrieroj de la bazregiono propagos al kolektoregiono, kaj do la rekomponarapido de elektron-holono en la bazregiono malpligrandiĝos, kaŭzante malkreskon de bazkurento.
