O que é Capacitância de Difusão?
Definição de capacitância de difusão
A capacitância de difusão é um tipo de efeito de capacitância diferencial da junção p-n quando ela está polarizada positivamente. É causada pelo processo de difusão de diferentes tipos de materiais em dispositivos semicondutores, como junções PN ou MOSFET, ou seja, alguns portadores na região dopada difundem para a região não dopada para formar uma região de carga espacial, e finalmente aparecem como um efeito de capacitância.
Princípio básico
Quando a junção PN está polarizada para frente, os portadores (elétrons e furos) difundirão das regiões P e N, respectivamente. Durante o processo de difusão, a área P acumula uma certa quantidade de Jane não equilibrada (elétrons), e a área N acumula uma certa quantidade de Jane não equilibrada (furos). Esses portadores minoritários acumulados formam uma certa armazenagem de carga, como um capacitor, com a capacidade de armazenar carga. O tamanho da capacitância de difusão está relacionado à tensão de polarização direta, temperatura e propriedades dos materiais semicondutores. Quanto maior a tensão de polarização direta, maior a capacitância de difusão.
Formação da capacitância de difusão
Quando uma tensão alternada é aplicada a uma junção semicondutora, a concentração dos portadores minoritários varia com a tensão. Esses portadores minoritários se movem aleatoriamente no semicondutor e se acumulam perto da junção semicondutora. Este acúmulo é equivalente a um efeito de capacitância, conhecido como capacitância de difusão.
A expressão para a capacitância de difusão pode ser geralmente escrita como:
CD é a capacitância de difusão.
Qn é a carga minoritária.
V é a tensão aplicada.
Capacitância de difusão em um diodo
Em diodos, os capacitores de difusão aparecem principalmente no estado de polarização direta. Quando o diodo está polarizado para frente, os portadores minoritários (como furos em semicondutores do tipo N) são injetados na região P, resultando em uma mudança na concentração minoritária. A mudança de concentração de Jane forma um efeito de capacitância, conhecido como capacitância de difusão.
Capacitância de difusão em um transistor
Em transistores (como BJT, MOSFETs, etc.), a capacitância de difusão também existe entre a base e o emissor. Quando o transistor opera em condições de alta frequência ou alta velocidade, a influência da capacitância de difusão é mais aparente, pois afeta o ganho do transistor e a resposta de frequência.
Efeito da capacitância de difusão
A influência da capacitância de difusão em dispositivos semicondutores é principalmente refletida nos seguintes aspectos:
Desempenho de alta frequência: Em aplicações de alta frequência, os capacitores de difusão limitam a largura de banda do dispositivo e afetam seu desempenho de alta frequência.
Velocidade de comutação: em aplicações de comutação, a capacitância de difusão pode afetar a velocidade dos dispositivos de comutação, aumentando a perda de comutação.
Distorção de sinal: Em amplificadores, os capacitores de difusão podem introduzir atraso de fase adicional, resultando em distorção de sinal.
Fórmula de cálculo
O cálculo da capacitância de difusão é geralmente baseado em modelos de física de semicondutores. Para um diodo, a capacitância de difusão pode ser aproximada como:
Q é a carga eletrônica.
NA é a concentração de dopagem.
μn é a mobilidade dos elétrons.
ϵr é a constante dielétrica relativa.
ϵ0 é a constante dielétrica do vácuo.
VT é a tensão térmica, n = kT/q, k é a constante de Boltzmann, T é a temperatura absoluta.
Vbi é o potencial embutido.
Aplicação
Circuitos de alta frequência: Em circuitos de rádio frequência (RF) e microondas, o efeito da capacitância de difusão não pode ser ignorado.
Circuitos digitais de alta velocidade: em circuitos digitais de alta velocidade, a capacitância de difusão pode afetar o tempo de subida e queda do sinal.
Gerenciamento de energia: Em um circuito de gerenciamento de energia, a capacitância de difusão afeta a eficiência da fonte de alimentação de comutação.
