হিস্টিরিসিস লস কি?
হিস্টিরিসিস লস কি?
হিস্টিরিসিস লস হল ফেরোম্যাগনেটিক উপকরণ (যেমন আয়রন কোর) এ ম্যাগনেটাইজেশন প্রক্রিয়ার সময় হিস্টিরিসিস প্রভাবের কারণে ঘটে শক্তি নিঃশেষণ। বাইরের চৌম্বকীয় ক্ষেত্র পরিবর্তন হলে, ফেরোম্যাগনেটিক উপকরণের ম্যাগনেটাইজেশন চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের পরিবর্তনের পিছনে থাকে; বরং, এটিতে একটি ল্যাগ থাকে। বিশেষ করে, যখন চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের শক্তি শূন্যে ফিরে আসে, ম্যাগনেটাইজেশন সম্পূর্ণরূপে শূন্যে ফিরে আসে না, বরং এটি প্রতিক্রিয়াশীল চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের প্রয়োজন হয় অবশিষ্ট ম্যাগনেটাইজেশন দূর করতে। এই ল্যাগের ফলে শক্তি তাপ হিসাবে নিঃশেষিত হয়, যা হিস্টিরিসিস লস হিসাবে পরিচিত।
হিস্টিরিসিস লুপ হল এই ঘটনার গ্রাফিক প্রতিনিধিত্ব, যা চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের শক্তি (এচ) এবং চৌম্বকীয় ফ্লাক্স ঘনত্ব (বি) এর মধ্যে সম্পর্ক দেখায়। হিস্টিরিসিস লুপ দ্বারা আবদ্ধ ক্ষেত্রটি প্রতি ম্যাগনেটাইজেশনের পূর্ণ চক্রের জন্য উপকরণের প্রতি একক আয়তনের শক্তি নিঃশেষণ প্রকাশ করে।
চৌম্বকীয় সার্কিটে হিস্টিরিসিস লসের ভূমিকা
শক্তি নিঃশেষণ:
ট্রান্সফরমার, মোটর এবং অন্যান্য ইলেকট্রোম্যাগনেটিক উপকরণগুলিতে, কোরটি সাধারণত ফেরোম্যাগনেটিক উপকরণ দিয়ে তৈরি হয়। এই ডিভাইসগুলি পরিচালনার সময়, কোরের মধ্যে চৌম্বকীয় ক্ষেত্র প্রায়শই দিক এবং শক্তি পরিবর্তন করে। চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের প্রতিটি পরিবর্তন হিস্টিরিসিস লস তৈরি করে, যা শক্তি তাপ হিসাবে নিঃশেষিত হয়।
এই শক্তি নিঃশেষণ ডিভাইসের মোট দক্ষতা কমিয়ে দেয় কারণ কিছু ইনপুট শক্তি কোর গরম করার জন্য ব্যয় হয়, যা প্রার্থিত কাজের জন্য ব্যবহৃত হওয়ার কথা ছিল।
তাপমাত্রা বৃদ্ধি:
হিস্টিরিসিস লস দ্বারা উৎপাদিত তাপ কোরের তাপমাত্রা বৃদ্ধি করতে পারে। যদি তাপমাত্রা খুব বেশি হয়, তবে এটি প্রতিরোধ উপকরণগুলিকে ক্ষতিগ্রস্ত করতে পারে, যন্ত্রপাতির জীবনকাল কমিয়ে দিতে পারে বা এমনকি ব্যর্থতাও ঘটাতে পারে।
অতএব, ফেরোম্যাগনেটিক উপকরণ নির্বাচন এবং ডিজাইন করার সময় তাদের হিস্টিরিসিস বৈশিষ্ট্যগুলি বিবেচনা করা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ যাতে অপ্রয়োজনীয় তাপ উৎপাদন কমানো যায়।
ডিভাইসের পারফরমেন্সের প্রভাব:
উচ্চ হিস্টিরিসিস লস ডিভাইসের দক্ষতা কমিয়ে দিতে পারে, বিশেষ করে উচ্চ কম্পাঙ্কের অ্যাপ্লিকেশনে যেখানে এই লসগুলি বিশেষভাবে উল্লেখযোগ্য। দক্ষতা উন্নত করার জন্য কম কোঅর্সিভিটি এবং কম হিস্টিরিসিস লস উপকরণ যেমন সিলিকন ইস্পাত বা অ্যামরফাস অ্যালয় পছন্দ করা হয়।
কিছু ক্ষেত্রে, চৌম্বকীয় সার্কিট ডিজাইন অপ্টিমাইজ করা যেতে পারে যাতে চৌম্বকীয় ফ্লাক্স ঘনত্বের পরিবর্তনের কম্পাঙ্ক কমানো যায়, ফলস্বরূপ হিস্টিরিসিস লস কমে।
হিস্টিরিসিস লসের গণনা:
হিস্টিরিসিস লস স্টাইনমেটজ সমীকরণ ব্যবহার করে অনুমান করা যায়:
যেখানে, Wh হল একক আয়তনের হিস্টিরিসিস লস (ওয়াট প্রতি ঘন মিটার);
kh হল উপকরণের সাথে সম্পর্কিত একটি ধ্রুবক;
f হল চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের পরিবর্তনের কম্পাঙ্ক (হার্টজ);
Bm হল সর্বোচ্চ চৌম্বকীয় ফ্লাক্স ঘনত্ব (টেসলা);
n হল একটি অভিজ্ঞতামূলক সূচক, সাধারণত 1.6 থেকে 2.0 পর্যন্ত পরিবর্তিত হয়।
সারাংশ
হিস্টিরিসিস লস হল ফেরোম্যাগনেটিক উপকরণে হিস্টিরিসিস প্রভাবের কারণে ঘটে শক্তি নিঃশেষণ, প্রধানত তাপ হিসাবে প্রকাশ পায়। চৌম্বকীয় সার্কিটে, এটি ডিভাইসের দক্ষতা এবং তাপমাত্রা বৃদ্ধি প্রভাবিত করে, তাই উপকরণ নির্বাচন এবং ডিজাইনের সময় সতর্কতা অবলম্বন করা প্রয়োজন। উপযুক্ত উপকরণ নির্বাচন এবং ডিজাইন অপ্টিমাইজ করার মাধ্যমে হিস্টিরিসিস লস কমানো যায়, ফলস্বরূপ যন্ত্রপাতির মোট পারফরমেন্স এবং জীবনকাল উন্নত হয়।
