कोर लाभ र हिस्टेरिसिस लाभ कसरी सम्बन्धित छन्?

कोर लाभ र हिस्टेरीसिस लाभ को बीचका सम्बन्ध

कोर लाभ (Core Loss) र हिस्टेरीसिस लाभ (Hysteresis Loss) दुवै विद्युत चुंबकीय उपकरणहरूमा पाइने सामान्य तरहका नुक्सानहरू हुन्। यी दुई नुक्सानहरू एकान्तर छन् तर उनीहरूको विशेषताहरू र मेकनिजम फरक छन्। निम्नलिखित यी दुई नुक्सानहरू र उनीहरूको सम्बन्धको विस्तृत विवरण छ:

कोर लाभ

कोर लाभ एउटा बदल्ने चुंबकीय क्षेत्रमा कोर सामग्रीमा चुंबकीकरण प्रक्रियामा घट्ने कुल ऊर्जा नुक्सानलाई जनाउँछ। कोर लाभ मुख्यतया दुई अवयवहरू भित्र्याउँछ: हिस्टेरीसिस लाभ र एडी करंट लाभ

हिस्टेरीसिस लाभ

हिस्टेरीसिस लाभ चुंबकीकरण प्रक्रियामा कोर सामग्रीमा हिस्टेरीसिस घटनाले घटाउने ऊर्जा नुक्सान हो। हिस्टेरीसिस चुंबकीय प्रेरण B ले चुंबकीय क्षेत्र शक्ति H भन्दा पछाडी रहने गर्दछ। प्रत्येक चुंबकीकरण चक्र एउटा निश्चित मात्रामा ऊर्जा खप्त गर्छ, जसले ताप रूपमा छिट्टिन्छ, यसले हिस्टेरीसिस लाभ बनाउँछ।

हिस्टेरीसिस लाभ निम्न फारमुला द्वारा व्यक्त गरिन सकिन्छ:

जहाँ:

• Ph हिस्टेरीसिस लाभ हो (इकाई: वाट, W)

• Kh सामग्रीको गुणधर्मसँग सम्बन्धित एक स्थिर राशि हो

• f आवृत्ति हो (इकाई: हर्ट्झ, Hz)

• Bm अधिकतम चुंबकीय प्रेरण हो (इकाई: टेस्ला, T)

• n हिस्टेरीसिस घातांक हो (सामान्यतया 1.2 र 2 बीच)

• V कोरको आयतन हो (इकाई: घन मिटर, m³)

एडी करंट लाभ 

एडी करंट लाभ एउटा बदल्ने चुंबकीय क्षेत्रले कोर सामग्रीमा प्रेरित गर्ने एडी करंटले घटाउने ऊर्जा नुक्सान हो। यी एडी करंटहरू सामग्रीभित्र बहिरहन्छन् र जूल ताप उत्पन्न गर्छन्, यसले ऊर्जा नुक्सान ल्याउँछ। एडी करंट लाभ कोर सामग्रीको प्रतिरोधशीलता, आवृत्ति, र चुंबकीय प्रेरणसँग सम्बन्धित छ।

एडी करंट लाभ निम्न फारमुला द्वारा व्यक्त गरिन सकिन्छ:

जहाँ:

• Pe एडी करंट लाभ हो (इकाई: वाट, W)

• Ke सामग्रीको गुणधर्मसँग सम्बन्धित एक स्थिर राशि हो

• f आवृत्ति हो (इकाई: हर्ट्झ, Hz)

• Bm अधिकतम चुंबकीय प्रेरण हो (इकाई: टेस्ला, T)

• V कोरको आयतन हो (इकाई: घन मिटर, m³)

सम्बन्ध

सामान्य फाक्टरहरू:

आवृत्ति 

f: कोर लाभ र हिस्टेरीसिस लाभ दुवै आवृत्तिको साथ आनुपातिक छन्। उच्च आवृत्तिले कोरमा अधिक चुंबकीकरण चक्रहरू ल्याउँछ, जसले उच्च नुक्सान ल्याउँछ।

अधिकतम चुंबकीय प्रेरण 

Bm : कोर लाभ र हिस्टेरीसिस लाभ दुवै अधिकतम चुंबकीय प्रेरणसँग सम्बन्धित छन्। उच्च चुंबकीय प्रेरणले अधिक तीव्र चुंबकीय क्षेत्रको बदल ल्याउँछ, जसले उच्च नुक्सान ल्याउँछ।

कोरको आयतन 

V: कोर लाभ र हिस्टेरीसिस लाभ दुवै कोरको आयतनको साथ आनुपातिक छन्। ठूला आयतन अधिक कुल नुक्सान ल्याउँछ।

फरक मेकनिजमहरू:

• हिस्टेरीसिस लाभ: मुख्यतया कोर सामग्रीमा हिस्टेरीसिस घटनाले जनित छ, जसले सामग्रीको चुंबकीकरण इतिहाससँग सम्बन्धित छ।

• एडी करंट लाभ: मुख्यतया एउटा बदल्ने चुंबकीय क्षेत्रले कोर सामग्रीमा प्रेरित गरेका एडी करंटले जनित छ, जसले सामग्रीको प्रतिरोधशीलता र चुंबकीय क्षेत्र शक्तिसँग सम्बन्धित छ।

सारांश

कोर लाभ हिस्टेरीसिस लाभ र एडी करंट लाभ दुवै भित्र्याउँछ। हिस्टेरीसिस लाभ मुख्यतया कोर सामग्रीको चुंबकीकरण विशेषतासँग सम्बन्धित छ, जबकि एडी करंट लाभ मुख्यतया बदल्ने चुंबकीय क्षेत्रले प्रेरित गरेका एडी करंटसँग सम्बन्धित छ। दुवै आवृत्ति, चुंबकीय प्रेरण, र कोरको आयतनसँग प्रभावित हुन्छन्, तर उनीहरूको विशिष्ट भौतिक मेकनिजमहरू फरक छन्। यी नुक्सानहरूको प्रकृति र सम्बन्धलाई बुझ्न विद्युत चुंबकीय उपकरणहरूको डिझाइनमा अनुकूलन र उनीहरूको दक्षता बढाउन सकिन्छ।