কোর লস এবং হিস্টেরিসিস লস কিভাবে সম্পর্কিত?
কোর লস এবং হিস্টেরিসিস লসের মধ্যে সম্পর্ক
কোর লস (Core Loss) এবং হিস্টেরিসিস লস (Hysteresis Loss) দুটি সাধারণ ধরনের লস যা ইলেকট্রোম্যাগনেটিক ডিভাইসগুলিতে ঘটে। তারা ঘনিষ্ঠভাবে সম্পর্কিত কিন্তু আলাদা বৈশিষ্ট্য এবং মেকানিজম রয়েছে। নিচে এই দুটি লস এবং তাদের সম্পর্কের বিস্তারিত ব্যাখ্যা দেওয়া হল:
কোর লস
কোর লস হল একটি পরিবর্তনশীল চৌম্বকীয় ক্ষেত্রে মেগনেটাইজেশন প্রক্রিয়ার ফলে কোর উপকরণের মধ্যে ঘটা মোট শক্তি লস। কোর লস প্রধানত দুটি অংশে বিভক্ত: হিস্টেরিসিস লস এবং এডি কারেন্ট লস
হিস্টেরিসিস লস
হিস্টেরিসিস লস হল মেগনেটাইজেশন প্রক্রিয়ার সময় কোর উপকরণে হিস্টেরিসিস ঘটনার ফলে ঘটা শক্তি লস। হিস্টেরিসিস হল চৌম্বকীয় প্রবাহ B এর পিছনে চৌম্বকীয় ক্ষেত্র H-এর পিছনে থাকা দেরি। প্রতিটি মেগনেটাইজেশন চক্র নির্দিষ্ট পরিমাণ শক্তি ব্যবহার করে, যা তাপ হিসাবে বিসর্জিত হয়, যা হিস্টেরিসিস লস গঠন করে।
হিস্টেরিসিস লস নিম্নলিখিত সূত্র দ্বারা প্রকাশ করা যায়:
যেখানে:
Ph হল হিস্টেরিসিস লস (একক: ওয়াট, W)
Kh হল উপকরণের বৈশিষ্ট্য সম্পর্কিত একটি ধ্রুবক
f হল কম্পাঙ্ক (একক: হার্টজ, Hz)
Bm হল সর্বোচ্চ চৌম্বকীয় প্রবাহ (একক: টেসলা, T)
n হল হিস্টেরিসিস ঘাত (সাধারণত 1.2 থেকে 2 এর মধ্যে)
V হল কোরের আয়তন (একক: ঘনমিটার, m³)
এডি কারেন্ট লস
এডি কারেন্ট লস হল পরিবর্তনশীল চৌম্বকীয় ক্ষেত্রে কোর উপকরণে প্রবাহিত হওয়া এডি কারেন্টের ফলে ঘটা শক্তি লস। এই এডি কারেন্টগুলি উপকরণের মধ্যে প্রবাহিত হয় এবং জুল তাপ উৎপন্ন করে, যা শক্তি লসের কারণ হয়। এডি কারেন্ট লস কোর উপকরণের রোধ, কম্পাঙ্ক এবং চৌম্বকীয় প্রবাহের সাথে সম্পর্কিত।
এডি কারেন্ট লস নিম্নলিখিত সূত্র দ্বারা প্রকাশ করা যায়:
যেখানে:
Pe হল এডি কারেন্ট লস (একক: ওয়াট, W)
Ke হল উপকরণের বৈশিষ্ট্য সম্পর্কিত একটি ধ্রুবক
f হল কম্পাঙ্ক (একক: হার্টজ, Hz)
Bm হল সর্বোচ্চ চৌম্বকীয় প্রবাহ (একক: টেসলা, T)
V হল কোরের আয়তন (একক: ঘনমিটার, m³)
সম্পর্ক
সাধারণ ফ্যাক্টর:
কম্পাঙ্ক
f: কোর লস এবং হিস্টেরিসিস লস উভয়ই কম্পাঙ্কের সাথে সমানুপাতিক। উচ্চ কম্পাঙ্ক কোরের মধ্যে বেশি মেগনেটাইজেশন চক্র তৈরি করে, যা বেশি লসের কারণ হয়।
সর্বোচ্চ চৌম্বকীয় প্রবাহ
Bm : কোর লস এবং হিস্টেরিসিস লস উভয়ই সর্বোচ্চ চৌম্বকীয় প্রবাহের সাথে সম্পর্কিত। উচ্চ চৌম্বকীয় প্রবাহ বেশি তীব্র চৌম্বকীয় ক্ষেত্র পরিবর্তন তৈরি করে, যা বেশি লসের কারণ হয়।
কোরের আয়তন
V: কোর লস এবং হিস্টেরিসিস লস উভয়ই কোরের আয়তনের সাথে সমানুপাতিক। বড় আয়তন বেশি মোট লস তৈরি করে।
আলাদা মেকানিজম:
হিস্টেরিসিস লস: প্রধানত কোর উপকরণের হিস্টেরিসিস ঘটনার ফলে ঘটে, যা উপকরণের মেগনেটাইজেশন ইতিহাসের সাথে সম্পর্কিত।
এডি কারেন্ট লস: প্রধানত পরিবর্তনশীল চৌম্বকীয় ক্ষেত্রে কোর উপকরণে প্রবাহিত হওয়া এডি কারেন্টের ফলে ঘটে, যা উপকরণের রোধ এবং চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের শক্তির সাথে সম্পর্কিত।
সারাংশ
কোর লস হিস্টেরিসিস লস এবং এডি কারেন্ট লস দ্বারা গঠিত। হিস্টেরিসিস লস প্রধানত কোর উপকরণের মেগনেটাইজেশন বৈশিষ্ট্যের সাথে সম্পর্কিত, যেখানে এডি কারেন্ট লস প্রধানত পরিবর্তনশীল চৌম্বকীয় ক্ষেত্র দ্বারা উদ্ভূত এডি কারেন্টের সাথে সম্পর্কিত। উভয়ই কম্পাঙ্ক, চৌম্বকীয় প্রবাহ এবং কোরের আয়তনের দ্বারা প্রভাবিত হয়, কিন্তু তাদের আলাদা পদার্থিক মেকানিজম রয়েছে। এই লসগুলির প্রকৃতি এবং সম্পর্ক বোঝা ইলেকট্রোম্যাগনেটিক ডিভাইসের ডিজাইন অপটিমাইজ করতে এবং তাদের দক্ষতা বাড়াতে গুরুত্বপূর্ণ।
