ნანოკრისტალური რეაქტორის გადაწყვეტილება 550kW VFD-ისთვის 5000 V/μs გამოსვლით

​1. გამოწვევა: გამოყოფის მხარის შედეგი (du/dt > 5000 V/μs) 550kW VFD-ებიდან სტალის დარბაზებში​

სტალის დარბაზის წარმოებისას, მოტორებს (განსაკუთრებით სტალის დარბაზების ძირითად მოტორებს) ქცევის პარამეტრების საშიში ცვლილებები, სწრაფი ჩართვა-გათიშვა და ხშირი ორმხრივი როტაციის გადართვა ხდება. ამ გამოყენების პირობები სერიოზული გამოწვევების იწვევს VFD (Variable Frequency Drive) სისტემებისთვის, განსაკუთრებით მაღალი მომხმარებლის (550kW) აპლიკაციებში. საკუთარი პრობლემა არის საკუთარი მხარის მხარის შედეგი (du/dt) შედეგის შემდეგ გამოყოფის მხარის შედეგი, რომელიც მოიცავს:

• ​შედეგი ძალიან მაღალი du/dt:​​ შედეგი 5000 V/μs-ზე მეტი. ეს ჩანს შემდეგი მიზეზების გამო:
• VFD-ის შიგნით მდებარე IGBT მოწყობილობების ძალიან მაღალი რეჟიმი.
• გაშვების კაბელების (განსაკუთრებით ინტერაქტიული რეჟიმების შესაბამისად VFD-ის PWM გრაფიკის გასწრებით) პარასიტური კაპაციტანტისა და ინდუქციის ეფექტები.
• მოტორის იზოლაციის პარამეტრებსა და VFD-ის გამოყოფის პულსებს შორის იმპედანსის არასაერთობრივობა.
• ​სერიოზული შედეგები:​​
• ​მოტორის კატუშის იზოლაციის დაზიანება:​​ ძალიან მაღალი du/dt შეიძლება მოტორის კატუშის იზოლაციას დაზიანოს, რითაც იწვევს ნაწილობრივი გადატეხას, იზოლაციის შესწრებას და ბოლოს მოტორის დაბრუნებას ან დახურვას.
• ​ბერინგის დენი და ელექტროეროზია:​​ მაღალი du/dt-ის შედეგად, პარასიტური კაპაციტანტებით იწვევს კომუნალურ დენს, რაც იწვევს ბერინგის დენს. ეს იწვევს ბერინგის ელექტროეროზიას, ხმის ზრდას, ტემპერატურის ზრდას და ბერინგის მომხმარებლის შემცირებას.
• ​IGBT მოდულის მაღალი დენის სტრესი:​​ რეფლექტირებული და დამატებული დენის შედეგები შეიძლება იწვევდეს IGBT-ს დროებითი დენის ზრდას მისი რეიტინგზე, რითაც ზრდის რისკს მოდულის დახურვის ("გაფერხება").
• ​ელექტრომაგნიტური ინტერფერენცია (EMI):​​ მაღალი სი частота დენის შედეგები იწვევს ძლიერ კონდუქტირებულ და რადიაციულ ინტერფერენციას, რაც არის ახლოს მდებარე ელექტრონული მოწყობილობების დაზიანება.
• ​სისტემის დარგების შემცირება:​​ სისტემის სულ შერცხვენის რისკი საშიში ზრდას იწვევს, რითაც იწვევს არაგეგმიურ დახურვას და დაზიანებს დარბაზის ეფექტურობას და დაუშვებლობას.

​2. გადარჩენა: FKE ტიპის სამფაზიანი გამოყოფის რეაქტორი (ნანოკრისტალური ბუნები)​

აღწერილი მაღალი დენის შედეგის პრობლემის გადაჭრისთვის, ვრეკომენდებთ 550kW VFD-ის გამოყოფის მხარის დაყენებას ​FKE ტიპის სამფაზიანი გამოყოფის რეაქტორი​. ეს გადარჩენა განსაკუთრებით გამოიყენება მაღალი du/dt და მაღალი სი частота ინტერფერენციის დასაშვებად.

• ​ძირითადი მოწყობილობა:​​ FKE სერიის სამფაზიანი გამოყოფის რეაქტორი
• ​ძირითადი თვისებები:​​
• ​ბუნება:​​ მაღალი პერფორმანსის ნანოკრისტალური ალიაგი
• არის შესაძლებელი ძალიან მაღალი მაგნიტური პერმეიბილიტეტი და უკანასკნელი ბუნების კარგი დაკარგვა (განსაკუთრებით kHz და MHz მაღალი სი частотა დიაპაზონში).
• ძალიან გადარეკილი ტრადიციული სილიკონის სტალის ან ფერიტის ბუნებების შედეგებით ეფექტურად დასაშვებად მაღალი სი частотა დენის შედეგებისა და რიპლის დენის შესაბამისად მაღალი რეჟიმით (ტიპიური IGBT რეჟიმი kHz დიაპაზონში).
• მაღალი მაგნიტური სატურაციო ძალა და ძლიერი შესაძლებლობა ტრანსიენტური ზედამეტის დასახმარებლად.
• ​ძირითადი ტექნოლოგია 1: მაღალი სი частотა ედი ქსელის დასაშვები შესაძლებლობა​
• სპეციალური კონდუქტირებული შესაძლებლობის გამოყენება ნანოკრისტალური ბუნების ან გარემოს ზედაპირზე.
• ეფექტურად დასაშვებად უკანასკნელი სი частотა ედი დაკარგვა (სი частотა მდე MHz დიაპაზონში) ძალიან მაღალი du/dt-ის შედეგად.
• ძალიან გადარეკილი ბუნების ტემპერატურის ზრდა მაღალი სი частотა დიაპაზონში, სტაბილური მაგნიტური პერფორმანსის შენარჩუნება და რეაქტორის გარკვეული დროს დასაშვებად მაღალი du/dt პირობების შესაბამისად.
• ​ძირითადი ტექნოლოგია 2: მრავალფაზიანი სექციური გარემო დაშვებული კაპაციტანტის შესაძლებლობის შესამცირებლად​
• სპეციალური მრავალფაზიანი, სექციური გარემოს დიზაინის გამოყენება.
• ტრადიციული კონცენტრირებული გარემოს დაშვებული კაპაციტანტის (Cdw) დაშვების დიაპაზონი დაშვებული კაპაციტანტის მრავალი მცირე სერიული კაპაციტანტის ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთერთი ერთე......