| 브랜드 | Switchgear parts |
| 모델 번호 | 반도체용 끊기용 저항 aR 차단기 DNT-J1L 시리즈 |
| 정격전압 | AC690V |
| 정격 전류 | 800-1600A |
| 분단능력 | 100kA |
| 시리즈 | DNT-J1L |
반도체 퓨즈, 또는 고속 퓨즈나 빠른 작동 퓨즈라고도 알려져 있으며, 과전류 상태로부터 민감한 반도체 장치를 보호하도록 설계된 특수한 유형의 전기 퓨즈입니다. 이러한 퓨즈는 회로에서 결함이나 과전류 이벤트가 발생할 때 전류 흐름을 신속하게 차단하도록 설계되었습니다.
1.빠른 응답 시간: 반도체 퓨즈는 과전류 이벤트에 매우 빠르게 반응하도록 설계되었습니다. 이 빠른 응답은 짧은 기간 동안 높은 전류 스파이크에 민감한 반도체 장치를 보호하는 데 도움이 됩니다.
2.특정 전류 등급: 반도체 퓨즈는 그들의 전류 운반 능력에 따라 등급이 매겨집니다. 보호하려는 반도체 장치의 명목상 운용 전류와 일치하거나 약간 초과하는 전류 등급의 퓨즈를 선택하는 것이 중요합니다.
3.전압 등급: 퓨즈의 전압 등급은 보호하려는 회로의 전압과 같거나 이를 초과해야 합니다. 더 낮은 전압 등급의 퓨즈를 사용하면 신뢰할 수 없는 보호가 될 수 있습니다.
4.응용 프로그램 특정: 반도체 퓨즈는 다이오드, 트랜지스터, 스카이스트론, 그리고 다른 반도체 장치와 같은 민감한 전자 부품을 포함하는 회로에서 일반적으로 사용됩니다.
5.구조: 반도체 퓨즈는 반도체 응용 분야의 독특한 특성을 처리하기 위해 특수 재료와 디자인으로 제작됩니다.
6.다른 보호 장치와의 조화: 반도체 퓨즈는 종종 회로 차단기와 같은 다른 보호 장치와 함께 사용되어 전기 시스템에 포괄적인 보호를 제공합니다.
7.표준 및 준수: 반도체 퓨즈는 산업 표준과 인증을 받습니다. 선택한 퓨즈가 관련 표준을 준수하는지 확인하는 것은 안전성과 성능 측면에서 필수적입니다.
8.안전성 및 신뢰성: 반도체 퓨즈의 적절한 선택과 적용은 전자 및 전기 시스템의 안전하고 신뢰성 있는 작동에 필수적입니다.
반도체 퓨즈는 반도체 장치를 잠재적으로 손상시킬 수 있는 과전류 상태로부터 보호하는 중요한 역할을 합니다. 효과적인 보호를 위해서는 전류 등급, 전압 등급, 응답 시간 등의 요소를 기반으로 적절한 퓨즈를 선택하는 것이 중요합니다. 반도체 퓨즈의 적절한 선택과 설치를 위해서는 전기 엔지니어나 해당 분야의 전문가와 상담하는 것이 권장됩니다.
반도체 퓨즈는 민감한 전자 부품이 과전류 상태로부터 보호가 필요한 다양한 산업 및 환경에서 활용됩니다.
산업 자동화: 반도체 퓨즈는 PLC(프로그래머블 로직 컨트롤러)와 같은 민감한 전자 제어 회로가 사용되는 자동화 시스템에서 사용됩니다. 이러한 중요한 구성 요소를 과전류 이벤트로 인해 손상되거나 오작동하지 않도록 보호합니다.
전력 전자: 전력 전자 응용 분야에서는 다이오드, 스카이스트론, IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터), MOSFET(금속-산화물-반도체 필드 효과 트랜지스터)와 같은 반도체 장치가 사용됩니다. 반도체 퓨즈는 이러한 장치를 단락 회로 및 과전류 상태로부터 보호하는데 필수적입니다.
통신: 통신 장비에서 트랜지스터, 다이오드, 집적 회로와 같은 민감한 전자 부품을 전기적 결함으로부터 보호하기 위해 사용됩니다.
재생 가능 에너지 시스템: 태양광 인버터, 풍력 변환기, 기타 재생 가능 에너지 시스템에서 민감한 전자 장치를 과전류 이벤트로부터 보호하기 위해 사용됩니다.
의료 장비: 여러 의료 장치에는 민감한 전자 부품이 포함되어 있으며, 반도체 퓨즈는 이러한 부품을 과전류 상태로부터 보호합니다.
전기 배전 시스템: 대규모 전기 배전 시스템에서 스위치 기어, 제어 패널, 전력 배전 보드의 중요한 전자 부품을 보호하기 위해 반도체 퓨즈가 사용됩니다.
자동차 전자: 현대 자동차는 다양한 전자 시스템에 의존하며, 반도체 퓨즈는 이러한 전자 부품을 과전류 이벤트로부터 보호하는 역할을 합니다.
소비자 전자: 텔레비전, 오디오 장비, 컴퓨터 시스템과 같은 다양한 소비자 전자 장치에서 민감한 반도체 장치가 사용되며, 반도체 퓨즈가 이러한 장치를 보호합니다.
반도체 장치 자체는 현대 전자 제품의 핵심 구성 요소입니다. 반도체는 금속과 같은 전도체와 세라믹과 같은 절연체 사이의 전기적 특성을 가진 물질입니다. 특정 조건 하에서 전기를 전도할 수 있으며, 그 전도성을 제어하거나 조절할 수 있습니다.
일반적인 반도체 재료로는 실리콘, 갈륨 아르세니드, 기타 화합물이 있습니다. 반도체는 트랜지스터, 다이오드, 집적 회로 등을 포함하는 다양한 전자 장치에서 사용되며, 컴퓨터의 마이크로칩에서 전기 시스템의 전력 장치에 이르기까지 다양한 응용 분야에서 발견됩니다.
| 제품 모델 | 크기 | 정격 전압 V | 정격 전류 A | 정격 차단 용량 kA |
| DNT1-J1L-100 | 1 | AC 690 | 100 | 100 |
| DNT1-J1L-125 | 125 | |||
| DNT1-J1L-160 | 160 | |||
| DNT1-J1L-200 | 200 | |||
| DNT1-J1L-250 | 250 | |||
| DNT1-J1L-315 | 315 | |||
| DNT1-J1L-350 | 350 | |||
| DNT1-J1L-400 | 400 | |||
| DNT1-J1L-450 | 450 | |||
| DNT1-J1L-500 | 500 | |||
| DNT1-J1L-550 | 550 | |||
| DNT1-J1L-630 | 630 | |||
| DNT2-J1L-350 | 2 | 350 | ||
| DNT2-J1L-400 | 400 | |||
| DNT2-J1L-450 | 450 | |||
| DNT2-J1L-500 | 500 | |||
| DNT2-J1L-550 | 550 | |||
| DNT2-J1L-630 | 630 | |||
| DNT2-J1L-710 | 710 | |||
| DNT2-J1L-800 | 800 | |||
| DNT2-J1L-900 | 900 | |||
| DNT2-J1L-1000 | 1000 | |||
| DNT2-J1L-1100 | 1100 | |||
| DNT2-J1L-1250 | 1250 | |||
| DNT3-J1L-800 | 3 | 800 | ||
| DNT3-J1L-900 | 900 | |||
| DNT3-J1L-1000 | 1000 | |||
| DNT3-J1L-11003 | 1100 | |||
| DNT3-J1L-1250 | 1250 | |||
| DNT3-J1L-1400 | 1400 | |||
| DNT3-J1L-1500 | 1500 | |||
| DNT3-J1L-1600* | 1600 |