LDZC55 Трансформатор за струја

Преглед на производот

Једноцифрен кабелски језгро тип CT.LDC55 го користи ново језгро со висока пропусливост и висока точност во мерењето. Секундарната намотка е потполно затворена со вакуумска лејка во антивосклен пластичен карактер. Лесно се инсталира со поминување на главниот кабел низ целата структура, примениво на електрични системи со највисок напон на опремата од 0.72KV, функционира како алатка за мерење на стројот, собирање на сигнали, реле заштита. Трансформаторот на стројот може да се изведе според стандардите IEC 61869-1:2007 и IEC 61869-2:2012. Или IEC60044-1

Клучни карактеристики

• Интелектуална само-калибрација и дијагностика на грешки: Опремен со високо прецизен ADC и единици за обработка на дигитални сигнали, реално време ги споредува мерените вредности со теоретските, автоматски компенсира грешките причинети од температура, стареење итн., постигнува точност на калибрација од ±0.05%. Преку алгоритми на машинско учење што анализираат историски податоци, предвидува потенцијални грешки (стареење на изолацијата, кратки кола на намотката итн.) 72 часа напред, и ги испраќа ранни предупредувања до облачни платформи за управување преку протоколи Modbus или MQTT.

• Модуларен дизајн со plug-and-play: Со користење на стандардизирани интерфејси и структури за монтажа на релси, го поддржува замената без прекин на енергијата. Функционалните модули (мерење, комуникација, јединици за енергија) се независно пакетирани за флексибилна конфигурација. На пример, додавањето на модул со оптички кабел го проширува полето на трансмисија над 20km за да задоволи потребите за долгото проследување.

• Прилагодливост на екстремни услови: Кожухот е направен од нержавејачка челик 316L со двојна епоксидна вакуумска лејка, достигнува IP68 заштита. Издржува -55℃~+125℃, отпорност на солна магла >2000h и UV стареење >5000h. Сертифициран ATEX/IECEx за експлозивни гасови (Зона 1/2) и прашини (Зона 21/22), прифатливо за места со висок риск како што се петрохемиски заводи и угљени мини.

• Ниско консумирање на енергија и харвестирање на енергија: Користење на дизајн на чип CMOS со ниско консумирање, целосно консумирање на енергија <0.5W, 60% подолгу од традиционалните производи. Вградени модули за харвестирање на енергија извлекуваат енергија од главниот строј за да се достави до вторичните цеви, излегува 5mA/5V DC на номиналниот строј за само-достава, намалува зависноста од надворешна енергија и трошоци за одржување и управување.

Технички податоци

• Номинална ниво на изолација: 0.72/3/10kV

• Номинален главен строј: до 1500A

• Номинален вторичен строј: 5A или 1A

• Алтитуда на инсталација: 2000m

Спецификации

Контур