LDZC55 հոսանքի փոխմիացուցիչը

Ապրանքի կառուցվածքը

Միակ կաբելային ստորագրությունը CT.LDC55 օգտագործում է նոր բարձր հոսքի միջոցալիր բարձր չափման ճշգրտությամբ: Երկրորդական պտուհանը լիովին փակ է վակուում դեղավոր կառուցվածքով կողմնային պլաստիկ կայանում: Սա հեշտությամբ ներկայացվում է առաջինական կաբելի համար, որը համակարգի կաբելների համար կիրառվում է առավելագույն 0.72KV գործնական լարվածությամբ, որպես հոսանքի չափման, սիգնալի հավաքագրման, ռելե-պաշտպանության գործիք: Հոսանքի ձեռնարկը կարող է իրականացվել IEC 61869-1:2007 և IEC 61869-2:2012 կամ IEC60044-1 ստանդարտների համաձայն:

Կարևոր особенности

• Ինտելեկտուալ ինքնակալվում և խնդրի անալիզ: Բարձր ճշգրտության ADC և դիջիտալ սիգնալի մշակման միավորներով աշխատելով, այն իրական ժամանակով համեմատում է չափված արժեքները տեսական արժեքների հետ, ավտոմատ կերպով կորեցնում է ջերմաստիճանի, ծույլացման և այլ պատճառների կապով առաջացած սխալները, հասնելով ±0.05% ճշգրտության: Մեքենայական սովորումի ալգորիթմներով տեղի ունեցող տարածքային տվյալների անալիզի միջոցով, այն կարող է կանխատեսել հնարավոր խնդիրները (այլակային ծույլացում, պտուհանների կորոտում և այլն) 72 ժամ առաջ, և առաջարկում է ավանդական ուշադրություն կլուադ կառավարման համակարգերի հետ միջոցով Modbus կամ MQTT պրոտոկոլների օգնությամբ:

• Մոդուլային Plug-and-Play դիզայն: Ստանդարտային ինտերֆեյսների և ռեյլ-կառուցվածքների օգտագործմամբ, այն աջակցում է հոտ-սույն փոխարինմանը առանց էլեկտրաէներգիայի կոտրում: Ֆունկցիոնալ մոդուլները (չափման, հեռահաղորդակցման, էներգիայի միավորները) անկախ պալատվում են համարժեք կոնֆիգուրացիայի համար: Օրինակ, օպտիկայի մոդուլի ավելացումը կարող է ընդլայնել փոխանցման հեռավորությունը 20 կմ-ից ավել հեռավորությունների համար հեռավոր կառավարման պահանջների համար:

• Առավելագույն միջավայրի կարողություն: Կառուցվածքը 316L ստանլես ստալի և կրկնակի էպոքսի վակուում դեղավոր կառուցվածքով է կառուցված, հասնելով IP68 պաշտպանության: Ուղղակի աշխատում -55℃~+125℃ ջերմաստիճաններում, կարող է կարողանալ սունկային սպրեյի և ալիքային ծույլացման 2000 ժամ և 5000 ժամ համապատասխանաբար: ATEX/IECEx ստանդարտների համաձայն այն ապահովում է առաջացող գազ (Zone 1/2) և աղբյուր (Zone 21/22) միջավայրերի համար, համապատասխանելով բարձր ռիսկի կետերին, ինչպիսիք են պետրոքեմիական գործարանները և հանուր արկղերը:

• Ներքին էներգիայի պահանջարարություններ և էներգիայի հավաքագրում: .Low-power CMOS սիպի օգտագործմամբ, ընդհանուր էներգիայի պահանջարարությունը <0.5W, 60% ցածր է ավելի սովորական ապրանքների համար: Ներքին էներգիայի հավաքագրման մոդուլները հավաքում են էներգիա առաջին հոսանքից երկրորդական շղթաների համար առաջացնելով 5mA/5V DC համար սեփական էներգիայի ապահովում, կրճատելով արտաքին էներգիայի կախվածությունը և O&M ծախսերը:

Տեխնիկական տվյալներ

• Հաշվարկված այլակային մակարդակը: 0.72/3/10kV

• Հաշվարկված առաջին հոսանքը: մինչև 1500A

• Հաշվարկված երկրորդական հոսանքը: 5A կամ 1A

• Установка բարձրությունը: 2000m

Սպեցիֆիկացիա

Ստորագրություն