LDZC55 ವಿದ್ಯುತ್ ರೂಪಾಂತರಕ

ಮೂಲ ವಿವರಣೆ

ಒಂದು ಕೇಬಲ್ ಕೋರ್ಸ್ ಟೈಪ್ CT.LDC55 ಹೊಸ ಉತ್ತಮ ಪ್ರವೇಶನ ಕೋರ್ ಅನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸಿ ಉತ್ತಮ ಮಾಪನ ದ್ರುತತೆಯನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ. ಎರಡನೇ ಸ್ಪರ್ಶ ಪೂರ್ಣವಾಗಿ ವ್ಯೂಹ ಡ್ರಿಕ್ ವಿನ್ಯಾಸ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಅಗ್ನಿ ನಿರೋಧಕ ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಶೆಲ್ ಗಳಿಗೆ ಅಂಕಿತವಾಗಿದೆ. ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಕೇಬಲ್ ಪೂರ್ಣ ವಿನ್ಯಾಸ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಸುಲಭವಾಗಿ ಸ್ಥಾಪಿಸಬಹುದು, 0.72KV ರ ಅತ್ಯಧಿಕ ಉಪಕರಣ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ವಿದ್ಯುತ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ಕೇಬಲ್ ಗಳಿಗೆ ಯೋಗ್ಯವಾಗಿದೆ, ವರ್ತನೆಯ ತುಲ್ಯಕಾಲಿಕ ಮಾಪನ, ಚಿಹ್ನೆ ಸಂಗ್ರಹ, ರಿಲೇ ಪ್ರೊಟೆಕ್ಷನ್ ಮಾಡುವ ಪ್ರಕರಣ ಗಳಾಗಿ ಉಪಯೋಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಕರೆಂಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಅನ್ನು IEC 61869-1:2007 ಮತ್ತು IEC 61869-2:2012. ಅಥವಾ IEC60044-1 ಅನುಸರಿಸಿ ನಿರ್ವಹಿಸಬಹುದು.

ಪ್ರಮುಖ ಲಕ್ಷಣಗಳು

• ಬುದ್ಧಿಮತ್ತು ಸ್ವ ಕಲಿಬ್ರೇಷನ್ & ದೋಷ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ: ಉತ್ತಮ ದೃಢತೆಯ ADC ಮತ್ತು ಡಿಜಿಟಲ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯಾ ಯುನಿಟ್ಗಳನ್ನು ಸಹ ಹೊಂದಿದ್ದು, ಅನುಕೂಲವಾಗಿ ಮಾಪಿತ ಮೌಲ್ಯಗಳನ್ನು ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕ ಮೌಲ್ಯಗಳೊಂದಿಗೆ ವಾಸ್ತವವಾಗಿ ಹೋಲಿಸುತ್ತದೆ, ತಾಪಮಾನ, ಪುರಾತನ ಪ್ರಕಾರದ ದೋಷಗಳನ್ನು ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತವಾಗಿ ಪೂರೈಕೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಕಲಿಬ್ರೇಷನ್ ದೃಢತೆ ರೈಂದು ±0.05% ನ್ನು ಪೂರೈಸುತ್ತದೆ. ಐಟಿ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ ಅಲ್ಗಾರಿದಮ್ ಗಳಿಂದ ಐಟಿ ವಿಶೇಷ ದತ್ತಾಂಶಗಳನ್ನು ವಿಶ್ಲೇಷಿಸಿ, ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ದೋಷಗಳನ್ನು (ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧ ಪುರಾತನ, ಸ್ಪರ್ಶ ಹೊರಗೆ ಪ್ರವಾಹಿತ ದೋಷಗಳು, ಇತ್ಯಾದಿ) 72 ಗಂಟೆಗಳ ಮುಂದೆ ಭವಿಷ್ಯ ಮಾಡಿ, ಮೋಡ್ಬಸ್ ಅಥವಾ MQTT ಪ್ರೋಟೋಕಾಲ್ ಗಳ ಮೂಲಕ ಮೇಲ್ ಮೈಕ್ರೋ ನಿರ್ವಹಣಾ ಪ್ಲೇಟ್‌ಫಾರ್ಮ್ ಗಳಿಗೆ ಪ್ರಾರಂಭಿಕ ಚೆಚ್ಚು ಸೂಚನೆಗಳನ್ನು ಮೇಲ್ ಕೊಡುತ್ತದೆ.

• ಮಾಡ್ಯುಲರ್ ಪ್ಲಾಗ್-ಅಂಡ್-ಪ್ಲೇ ಡಿಜಿನ್: ಪ್ರಮಾಣಿತ ಇಂಟರ್‌ಫೇಸ್ ಮತ್ತು ರೇಲ್ ಮೌಂಟೆಡ್ ರಚನೆಗಳನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸಿ, ವಿದ್ಯುತ್ ನಿರ್ತಿರಿಕ್ತ ಸ್ಥಾಪನೆಯನ್ನು ಸಂಬಂಧಿಸಿ ಹೋಗುವ ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುವ ಪ್ರದರ್ಶನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತವಾಗಿ ಬದಲಿಸಬಹುದು. ಕ್ಷಮತೆ ಮಾಡ್ಯುಲ್ಗಳನ್ನು (ಮಾಪನ, ಸಂಪರ್ಕ, ಶಕ್ತಿ ಯುನಿಟ್ಗಳು) ವಿಭಜಿಸಿ ಸ್ವಚ್ಛಂದ ರಚನೆಗಳಿಗೆ ಸ್ವೀಕರಿಸುತ್ತದೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಒಂದು ಓಪ್ಟಿಕಲ್ ಫೈಬರ್ ಮಾಡ್ಯುಲ್ ಸೇರಿದಾಗ, 20 ಕಿಮೀ ಮೇಲೆ ಸಂಪರ್ಕ ದೂರವನ್ನು ವಿಸ್ತರಿಸಿ ದೂರ ಮೇಲ್ ನಿರೀಕ್ಷಣ ಅಗತ್ಯಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸುತ್ತದೆ.

• ಅತಿ ವಾತಾವರಣ ಸ್ವೀಕಾರ್ಯತೆ: 316L ಸ್ಟೆನ್ಲೆಸ್ ಸ್ಟೀಲ್ ಮತ್ತು ದ್ವಿಪದ ಎಪೋಕ್ಸಿ ವ್ಯೂಹ ಡ್ರಿಕ್ ವಿನ್ಯಾಸದ ಮೂಲಕ, IP68 ಪ್ರತಿರೋಧ ಮಟ್ಟವನ್ನು ಪೂರೈಸುತ್ತದೆ. -55℃~+125℃ ತಾಪಮಾನ ನ್ನು ಸಹ ಮಾಡಿಕೊಂಡು, 2000 ಗಂಟೆಗಳ ಮೇಲೆ ಸಾಲು ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು 5000 ಗಂಟೆಗಳ ಮೇಲೆ UV ಪುರಾತನ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ATEX/IECEx ಸರ್ಟಿಫೈ ಮಾಡಿದ ವಿಸ್ಫೋಟಕ ವಾಯು (Zone 1/2) ಮತ್ತು ಪ್ರಾಂತಿಕ ವಾಯು (Zone 21/22) ವಾತಾವರಣಗಳಿಗೆ ಯೋಗ್ಯವಾಗಿದೆ, ಪೆಟ್ರೋಕೆಮಿಕಲ್ ಪ್ಲಾಂಟ್ ಗಳು ಮತ್ತು ಕಾಲ್ ಮೈನ್ ಗಳಂತಹ ಉತ್ತಮ ದ್ವಂದವಾಗಿರುವ ಸ್ಥಳಗಳಿಗೆ ಯೋಗ್ಯವಾಗಿದೆ.

• ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿ ಉಪಯೋಗ ಮತ್ತು ಶಕ್ತಿ ಹರ್ವೆಸ್ಟಿಂಗ್: ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿ ಉಪಯೋಗಿಸುವ CMOS ಚಿಪ್ ಡಿಜಿನ್ ಉಪಯೋಗಿಸಿ, ಮೊತ್ತಮ ಶಕ್ತಿ ಉಪಯೋಗ <0.5W, ಸಾಮಾನ್ಯ ಉತ್ಪನ್ನಗಳಿಗಿಂತ 60% ಕಡಿಮೆ. ಆಂತರಿಕ ಶಕ್ತಿ ಹರ್ವೆಸ್ಟಿಂಗ್ ಮಾಡ್ಯುಲ್ ಗಳನ್ನು ಸೇರಿದಂತೆ, ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಪ್ರವಾಹದಿಂದ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ನಿಕ್ಷೇಪಿಸಿ ದ್ವಿತೀಯ ಪರಿಪಥಗಳಿಗೆ ಶಕ್ತಿ ನೀಡುತ್ತದೆ, ರೇಟೆಡ್ ಪ್ರವಾಹದಲ್ಲಿ 5mA/5V DC ನ್ನು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಪ್ರದರ್ಶನ ವಿಭಾಗಗಳಿಗೆ ಸ್ವ ಶಕ್ತಿ ನೀಡುತ್ತದೆ, ಬಾಹ್ಯ ಶಕ್ತಿ ಅವಲಂಬನೆ ಮತ್ತು O&M ಖರ್ಚುಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.

ತಂತ್ರಿಕ ದತ್ತಾಂಶಗಳು

• ರೇಟೆಡ್ ಇನ್ಸುಲೇಷನ್ ಮಟ್ಟ: 0.72/3/10kV

• ರೇಟೆಡ್ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಪ್ರವಾಹ: ಹೆಚ್ಚುವರೆ 1500A

• ರೇಟೆಡ್ ದ್ವಿತೀಯ ಪ್ರವಾಹ: 5A ಅಥವಾ 1A

• ಸ್ಥಾಪನೆ ಎತ್ತರ: 2000m

ವಿಂಗಡಣೆ

ವಿವರಣೆ