რატომ იყენებენ სილიკონის ფრთხილი სქელები ტრანსფორმატორების ბუშტებში – ედის მიწოდების კლება
რატომ უნდა შევამციროთ სხვა ტიპის კვეთის აკარა – ედის მიწოდება?
როდესაც ტრანსფორმატორი იმუშავებს, ალტერნირებული დენი გადის მის სიმრძლეებზე, რითაც იწვევს შესაბამისად ალტერნირებულ მაგნიტურ ფლაქსს. ეს ცვლილებითი ფლაქსი იწვევს დენის შექმნას რკინის ბუშტში. ეს შექმნილი დენები ჩამორთავს ფლაქსის მიმართულების პერპენდიკულარულ სიბრტყეებში, ქმნით დახურულ წრეებს - ამიტომ ისინი ეწოდებიან ედებს. ედების მიწოდება ასევე გამოიწვევს ბუშტის გათბობას.
რატომ არის ტრანსფორმატორების ბუშტები სილიკონის ფრთხილი სქელებისგან დამზადებული?
სილიკონის ფრთხილი - რკინის ლეგირეტი, რომელიც შეიცავს სილიკონს (ასევე ცნობილი როგორც "სილიკონი" ან "Si") 0.8%-დან 4.8%-მდე შედგენით - ხშირად იყენება ტრანსფორმატორების ბუშტებისთვის. მიზეზი სილიკონის ფრთხილის ძლიერი მაგნიტური პერმეიბილიტის შესახებ. როგორც მაღალეფექტური მაგნიტური მასალა, ის შეიძლება შექმნას მაღალი მაგნიტური ფლაქსის სიმკვრივე, რომელიც აძლევს საშუალებას ტრანსფორმატორების უფრო კომპაქტურ დასამზადებად.
როგორც ვიცით, ნამდვილ მსოფლიოში ტრანსფორმატორები მუშაობენ ალტერნირებული დენის (AC) პირობებში. ენერგიის კლება ხდება არა მხოლოდ სიმრძლეების წინააღმდეგობის გამო, არამედ რკინის ბუშტში ციკლური მაგნიტიზაციის გამო. ეს ბუშტ-დაკავშირებული ენერგიის კლება ცნობილია როგორც "რკინის კლება", რომელიც შედგება ორი კომპონენტისგან:
ჰისტერეზის კლება
ედის კლება
ჰისტერეზის კლება წარმოდგენილია ბუშტის მაგნიტიზაციის პროცესში მიმდინარე ჰისტერეზის მაგნიტური ფენომენის გამო. ამ კლების სიდიდე პროპორციულია მასალის ჰისტერეზის ციკლის მიერ შემოსაზღვრული ფართობის. სილიკონის ფრთხილი აქვს ზედიზედ უფრო ხელმისაწვდომი ჰისტერეზის ციკლი, რაც იწვევს უფრო დაბალ ჰისტერეზის კლებას და მნიშვნელოვანად შემცირებულ გათბობას.
ამ ადვილებების მიხედვით, რატომ არ იყენებენ სილიკონის ფრთხილის ერთი დაჯაფებული ბლოკი ბუშტისთვის? რატომ იყენებენ ის ნაბიჯებში დაჭრილს?
პასუხი არის რკინის კლების მეორე კომპონენტის შემცირება - ედის კლება.
როგორც უკვე აღინიშნა, ალტერნირებული მაგნიტური ფლაქსი იწვევს ედებს ბუშტში. ედების შემცირებისთვის ტრანსფორმატორების ბუშტები არიან დამზადებული სილიკონის ფრთხილის ნაბიჯებისგან, რომლებიც ერთმანეთისგან დაიზოლირებული და დადებული არიან. ეს დიზაინი შეიცვლება ედებს მცირე, გრძელ გზებზე მცირე მოსახლეობით, რითაც ზრდის ელექტრონული წინააღმდეგობა მათ გადატაცების გზებზე. ასევე, სილიკონის დამატება ლეგირეტში ზრდის მასალის ელექტრონულ რეზისტივიტეტს, რითაც დამატებით აკლებს ედების ქსელის ფორმირებას.
ჩვეულებრივ, ტრანსფორმატორების ბუშტები იყენებენ სილიკონის ფრთხილის ნაბიჯებს 0.35 მმ სიმკვრივით. ბუშტის საჭირო ზომების მიხედვით, ეს ნაბიჯები იჭრება გრძელ სტრიპებად და შემდეგ დადებული არიან "日" (დაბლოკი) ან ერთი დაბლოკის კონფიგურაციებში.
თეორიულად, რაც უფრო მცირე ნაბიჯი და რაც უფრო მცირე სტრიპი, მცირე ედის კლება - რითაც იწვევს უფრო დაბალ ტემპერატურას და მასალის რაოდენობის შემცირებას. თუმცა, ნამდვილ წარმოებაში, დიზაინერები არ უნდა განვითარონ მხოლოდ ედების შემცირების გამო. შესაძლებლობა უფრო მცირე ან უფრო მცირე სტრიპების გამოყენება დიდად ზრდის წარმოების დროს და ხელსაწყოს, რითაც შემცირებული ბუშტის ეფექტური მოსახლეობა. ამიტომ, სილიკონის ფრთხილის ბუშტების დამზადებისას ინჟინერები უნდა ფრთხილად დააბალანსონ ტექნიკური პერფორმანსი, წარმოების ეფექტურობა და ღირებულება, რათა აირჩიონ საუკეთესო ზომები.
