ಹೈವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಅತಿ ಹೈವೋಲ್ಟೇಜ್ ಜಿಇಎಸ್ ನಲ್ಲಿನ ವೇಗವಾಗಿ ಬದಲಾಯಿಸುವ ಉಚ್ಚ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (VFTO) ತರಂಗದ ಸಾಮಾನ್ಯ ಲಕ್ಷಣಗಳು

 ಉನ್ನತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು EHV GIS ನಲ್ಲಿ VFTO (Very Fast Transient Over voltage) ತರಂಗದ ಸಾಮಾನ್ಯ ಲಕ್ಷಣಗಳು

ಸ್ಥೂಲ ತರಂಗದ ಮುಂದಿನ ಭಾಗವು, ಯಾವುದೋ 2 ನಾನೋಸೆಕೆಂಡ್ ರಿಂದ 20 ನಾನೋಸೆಕೆಂಡ್ ವರೆಗೆ ಹೆಚ್ಚಾಗಬಹುದು: ಡಿಸ್ಕಂಟಿನೆಕ್ಟರ್ ಕಾಂಟಾಕ್ಟ್ ಕ್ಲಿಯರನ್ಸ್ ನಲ್ಲಿ ಪುನರ್-ಸ್ಪಾರ್ಕ್ ನಿರೋಧನ ನಡೆಯುವಾಗ, ಆರ್ಕ್-ಸಿದ್ಧಾಂತದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಅತ್ಯಂತ ವೇಗವಾಗಿ ನಡೆಯುತ್ತದೆ. ಈ ಫಲಿತಾಂಶವಾಗಿ, ಶಕ್ತಿ ಗ್ರಿಡ್ ಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸಲಾದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತರಂಗದ ಮುಂದಿನ ಭಾಗ ಅಥವಾ ತಲೆಗಳ ಶೀಘ್ರತೆ ಅತ್ಯಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ.

ತಾತ್ಪರ್ಯದ ದಿಕ್ಕಿನಿಂದ, Very Fast Transient Overvoltage (VFTO) ಯ ಅಂತರ ಸುಮಾರು 3.0 ಪರಿಮಾಣದ ಹೊರ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಆಗಿರಬಹುದು. ಈ ಅತ್ಯಂತ ದುಷ್ಪರಿಣಾಮವು ಓಪನ್-ಸರ್ಕ್ಯುಯಿಟ್ ಶಾಖೆಯ ಎರಡೂ ಪಕ್ಷಗಳ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಗಳ ಪೋಲಾರಿಟಿಗಳು ವಿರುದ್ಧವಾಗಿದ್ದು ಮತ್ತು ಎರಡೂ ಅತ್ಯಧಿಕ ಮೌಲ್ಯಗಳಲ್ಲಿದ್ದಾಗ ನಿರ್ದೇಶಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅಂತಃಸೂಚನೆಗಳಂತಹ ವಾಸ್ತವಿಕ ಅಂಶಗಳನ್ನು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಯಂಟ್ ನ ದಂಡಕ್ಕೆ ಮತ್ತು ಕ್ಷಯವನ್ನು ಹೇಳಿದಾಗ, ವಾಸ್ತವಿಕ ಮಾಪನ ಅಥವಾ ಸಿಮುಲೇಷನ್ ಪರೀಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿ ಸಾಧಾರಣವಾಗಿ ಪಡೆಯಲಾದ VFTO 2.0 ಪರಿಮಾಣದಿಂದ ಹೆಚ್ಚು ಹೋಗುವುದಿಲ್ಲ. ಸರ್ವ ವಿಶೇಷ ದುಷ್ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಬಿಡಿಸಿದಾಗ, ಅತ್ಯಧಿಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ 2.5 ಅಥವಾ 2.8 ಪರಿಮಾಣದ ಸುಮಾರು ಆಗಿರುತ್ತದೆ.

VFTO ಯು 30 ಕಿಲೋಹರ್ಟ್ಸ್ ರಿಂದ 100 ಮೆಗಾಹರ್ಟ್ಸ್ ವರೆಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಹೈ-ಫ್ರೆಕ್ವಂಸಿ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಇದರ ಕಾರಣವೆಂದರೆ ಗ್ಯಾಸ್-ಅನ್ನ ನಿರೋಧಕ ಸಾಧನ (GIS) ಸಲ್ಫರ್ ಹೆಕ್ಸಾ-ಫ್ಲೋರೈಡ್ (SF6) ಗ್ಯಾಸ್ ಅನ್ನು ಮಧ್ಯವಾದ ಪದಾರ್ಥ ಎಂದು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಇದರ ಅನ್ನ ನಿರೋಧಕ ಶಕ್ತಿ ಹವಾ ಕಂತೆ ಹೆಚ್ಚಿರುತ್ತದೆ.VFTO ಯು GIS ಡಿಸ್ಕಂಟಿನೆಕ್ಟರ್ ನ ಪುನರ್-ಸ್ಪಾರ್ಕ್ ಮತ್ತು ಆರ್ಕ್-ನಿರೋಧನ ಸಂದರ್ಭಗಳಿಂದ ಅನೇಕ ಬಾರಿ ಸಂಬಂಧಿಸಿರುತ್ತದೆ, ಅದೇ ರೀತಿ GIS ಉಪಕರಣದಲ್ಲಿನ ಡಿಸ್ಕಂಟಿನೆಕ್ಟರ್ ನೋಡ್ಗಳ ಸ್ಥಾನ ಸಂಬಂಧಿಸಿರುತ್ತದೆ.ಚಿತ್ರವು 750-ಕ್ವಿ ಜಿಎಸ್ ನಲ್ಲಿನ VFTO ತರಂಗದ ಒಂದು ಉದಾಹರಣೆಯನ್ನು ದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ.