
Ċellula soġġi (jekk ukoll imsemmija bħala ċellula fotovoltaika jew ċellula PV) hija definita bħala dispożitiv elettriku li jikkonverti l-enerġija tal-lanġas fil-enerġija elettrika permezz ta’ l-effett fotovoltaiku. Il-ċellula soġġi hija bażikament diodu p-n. Il-ċellel soġġi huma forma ta’ ċellula fotoelettrika, definita bħala dispożitiv il-li kkaratteristiċi elettriki – kif l-korrent, il-voltatt, jew ir-resistenza – jiġu modifikati meta jsilġu llum.
Il-ċellel soġġi indiwiżwalment tista’ jiġu miktja biex jagħmlu moduli magħrufa bħala panelli soġġi. Il-ċellula soġġi silġija p-n tistgħu joħorġu voltatt massimu ta’ apertura ta’ circa 0.5 sa 0.6 volts. Daqshekk mhux xejn – iżda rikorda li dawn il-ċellel soġġi huma żgħar. Meta miġbuża f’panel soġġi kbir, tista’ tiholna quantitajiet konsiderabbli ta’ enerġija rinnovabbli.
Il-ċellula soġġi hija bażikament diodu p-n, iżda ftit differenti mill-diodi p-n konvenzjonali. Strata tanina tal-semikonduktör p-type tiġi mmorfa fuq strata n-type relativament tixtri. Napplikaw qishom elektrodi fini fuq it-topp tal-strata p-type.
Dawn l-elektrodi ma jblokuwx l-llum minn erriġi l-strata p-type tanina. Taħt il-strata p-type hemm l-p-n junction. Nipprovdiwk ukoll elektrod ta’ kollezzjoni ta’ kurrent fl-inferju tal-strata n-type. Inkapswlu l-ensambl tal-aħwa b’vitru tanin biex nipproteġġu l-ċellula soġġi minn quqlib mekaniku.
Meta l-llum jirriġi l-p-n junction, l-fotoni tal-llum jistgħu jidħlu l-junction permezz tal-strata p-type tanina. L-enerġija tal-llum, fit-forma ta’ fotoni, taffurna l-enerġija suffizjenti lill-junction biex tkun numru ta’ coppji elektron-bukka. L-llum incident jinqassam l-kondizzjoni ta’ ekvilibrju termiku tal-junction. L-elektronijiet liberi fil-region tal-deplazzjament jistgħu jqisu jirrigu l-inferju n-type tal-junction.
Fl-istess mod, il-bukki fil-region tal-deplazzjament jistgħu jqisu jirrigu l-inferju p-type tal-junction. Waqt li l-elektronijiet liberi ġodda jirrigu l-inferju n-type, ma jistgħux ikkommu jirrigu l-junction għall-potentjal barriera tal-junction.
Fl-istess mod, il-bukki ġodda jirrigu l-inferju p-type ma jistgħux ikkommu jirrigu l-junction għax is-silġ huwa l-istess potentjal barriera tal-junction. Waqt li l-konċentrazzjoni tal-elektronijiet tisba’ akbar fl-inferju, jiġifieri l-inferju n-type tal-junction, u l-konċentrazzoni tal-bukki tisba’ aktar fl-inferju, jiġifieri l-inferju p-type tal-junction, il-p-n junction se jittieħel bħala batteja’ żgħira. Tissettu vottag notifikat bħala vottag foto. Jekk inkonnessjaw lasta żgħir fuq il-junction, jkun hemm kurrent żgħir blu.

Il-materjalijiet li jintużaw għad-dispożitiv dan għandhom ikunu band gap qrib 1.5ev. Il-materjalijiet komuni użu huma-
Silicon.
GaAs.
CdTe.
CuInSe2
Għandhom ikunu band gap minn 1ev sa 1.8ev.
Għandhom ikunu absorption optika tgħaqqad.
Għandhom ikunu konduttività elettrika tgħaqqad.
Il-materjal raw għandu jkun disponibbli b’abbundanza u s-silġ tal-materjal għandu jkun bass.
Ma jkunx polluzzjoni assosjata magħha.
Għandha tlasta ħafna.
Ma jkunx kost ta’ manutenzjoni.
Għandha kost ta’ installazzjoni ħafi.
Għandha effiċjenza bassa.
Fil-ġranet, l-enerġija ma tista’ tkun mogħdija, u wkoll fil-lejl ma nstabblk l-enerġija soġġi.
Tista’ tużata biex tikkelga battriji.
Tużata f’metri tal-llum.
Tużata biex tforni enerġija lil kalkulari u orologi tal-ħdejja.
Tista’ tużata f’spacecraft biex tforni enerġija elettrika.
Konkluzzjoni: Anki ċellula soġġi għandha xi svantaggi assosjati, l-svantaggi jistgħu jiġu superati skont t-teknoloġija tipproġdji, waqt li t-teknoloġija tipproġdji, is-silġ tal-pannjoli soġġi, kif ukoll is-silġ ta’ l-installazzjoni, se jidherx sew issa kollok jista’ jaffordja l-installazzjoni tas-sistema. Fuq id-dħal, il-gvern qed jiekles bil-enerġija soġġi, waqt li jpassaw is-sena, nistgħu naspettaw li kull ħoghol u anki kull sistema elettrika ser jiġu miftuħa mill-enerġija soġġi jew mill-enerġija rinnovabbli.
Deklarazzjoni: Respekt il-oriġinal, l-artikoli ġodda huma dawk li huma wieda għal xtieqa, jekk ikun hemm infringment jekk jogħġbok kontattja għal skonta.