কিভাবে একটি ক্যাপাসিটরের ক্ষমতা হ্রাস করা যায়?
ক্যাপাসিটরের ক্যাপাসিটেন্স কীভাবে হ্রাস করা যায়
একটি ক্যাপাসিটরের ক্যাপাসিটেন্স হ্রাস করা যায় বিভিন্ন পদ্ধতিতে, মূলত ক্যাপাসিটরের পদার্থিক প্যারামিটারগুলির পরিবর্তন দ্বারা। একটি ক্যাপাসিটরের ক্যাপাসিটেন্স C নিম্নলিখিত সূত্র দ্বারা নির্ধারিত হয়:
যেখানে:
C হল ক্যাপাসিটেন্স, ফ্যারাড (F) এ পরিমাপ করা হয়।
ϵ হল ডাইইলেকট্রিক উপাদানের উপর নির্ভর করে পারমিটিভিটি।
A হল প্লেটের ক্ষেত্রফল, বর্গ মিটার (m²) এ পরিমাপ করা হয়।
d হল প্লেটগুলির মধ্যবর্তী দূরত্ব, মিটার (m) এ পরিমাপ করা হয়।
ক্যাপাসিটেন্স হ্রাস করার পদ্ধতি
প্লেটের ক্ষেত্রফল A হ্রাস করুন:
পদ্ধতি: ক্যাপাসিটরের প্লেটের কার্যকর ক্ষেত্রফল হ্রাস করুন।
প্রভাব: ক্ষেত্রফল হ্রাস করলে ক্যাপাসিটেন্স সরাসরি হ্রাস পায়।
উদাহরণ: যদি মূল প্লেটের ক্ষেত্রফল A হয়, তাহলে এটি A/2 করলে ক্যাপাসিটেন্স অর্ধেক হবে।
প্লেটের দূরত্ব d বৃদ্ধি করুন:
পদ্ধতি: ক্যাপাসিটরের প্লেটগুলির মধ্যবর্তী দূরত্ব বৃদ্ধি করুন।
প্রভাব: দূরত্ব বৃদ্ধি করলে ক্যাপাসিটেন্স সরাসরি হ্রাস পায়।
উদাহরণ: যদি মূল প্লেটের দূরত্ব d হয়, তাহলে এটি 2d করলে ক্যাপাসিটেন্স অর্ধেক হবে।
ডাইইলেকট্রিক উপাদান পরিবর্তন করুন:
পদ্ধতি: একটি কম পারমিটিভিটি ϵ সহ উপাদান ব্যবহার করুন।
প্রভাব: কম পারমিটিভিটি ফলে ক্যাপাসিটেন্স কমে।
উদাহরণ: যদি মূল ডাইইলেকট্রিক উপাদানের পারমিটিভিটি ϵ1 হয়, তাহলে এটিকে পারমিটিভিটি ϵ2 সহ একটি উপাদান দিয়ে প্রতিস্থাপন করলে, যেখানে ϵ2 < ϵ1, ক্যাপাসিটেন্স হ্রাস পাবে।
প্রায়োগিক বিবেচনা
ডিজাইন বিবেচনা:
একটি ক্যাপাসিটর ডিজাইন করার সময়, ক্যাপাসিটেন্স মান, পরিচালন ভোল্টেজ এবং ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য প্রভৃতি বিষয়গুলি বিবেচনায় আনা প্রয়োজন।
উদাহরণস্বরূপ, প্লেটের ক্ষেত্রফল হ্রাস করা বা প্লেটের দূরত্ব বৃদ্ধি করা ক্যাপাসিটরের সর্বোচ্চ পরিচালন ভোল্টেজ হ্রাস করতে পারে, কারণ এই পরিবর্তনগুলি তার ব্রেকডাউন ভোল্টেজের উপর প্রভাব ফেলে।
উপাদান নির্বাচন:
ঠিক ডাইইলেকট্রিক উপাদান নির্বাচন করা ক্যাপাসিটেন্স ছাড়াও ক্যাপাসিটরের তাপমাত্রা বৈশিষ্ট্য, লোস এবং স্থিতিশীলতার উপর প্রভাব ফেলে।
উদাহরণস্বরূপ, কিছু সিরামিক উপাদানের কম পারমিটিভিটি থাকলেও উচ্চ তাপমাত্রায় অস্থিতিশীল পারফরম্যান্স প্রদর্শন করতে পারে।
নির্মাণ প্রক্রিয়া:
নির্মাণ সময়ে, প্লেটগুলি সমতল এবং সুষম হওয়া উচিত যাতে স্থানীয় তড়িৎক্ষেত্রের অনিয়মিততা থেকে ডাইইলেকট্রিক ব্রেকডাউন হতে না পারে।
প্রস্তাবিত
