Face à la demande croissante pour les écrans transparents/flexibles, les capteurs médicaux et la robotique, il est nécessaire de faire progresser le développement de la fabrication des transistors à film mince (TFT) et des circuits à grande échelle. Cet article propose un IGZO-TFT-PDK pour aider les enseignants et la communauté de recherche à explorer l'espace de conception des circuits à base de dispositifs IGZO-TFT à double porte. Pour résoudre le problème de variation du courant induite par la force de traction dans les dispositifs IGZO-TFT, un dispositif omnidirectionnel et son modèle de disposition avec une méthode de compensation qui atténue cette variation sont proposés. Un modèle de disposition est également proposé pour accélérer le flux de développement de conception des circuits analogiques et numériques IGZO-TFT. Sur la base du modèle de disposition proposé, une bibliothèque de cellules standard insensible à la force de traction est proposée. Nous avons implémenté un additionneur à sélection de retenue de 32 bits pour valider l'usabilité de la bibliothèque de cellules standard.
Source : IEE-Business Xplore
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