Şeffaf/esnek ekranlar, sağlıq sensorları və robototexnikanın tələblərinin artması ilə birlikdə, ince filmli tranzistorların (TFT) istehsalı və kənar məsahəli krillərində inkişaf etdirməyə ehtiyac yaranır. Bu məqalə, iki qapılı IGZO-TFT cihazlarının kril dizayn sahəsini araşdırmağa və təhsilçilərə kömək edəcək IGZO-TFT-PDK təklif edir. IGZO-TFT cihazlarında gerilmə qüvvəsi tərəfindən meydana gələn elektrik dəyişikliyi problemini həll etmək üçün, bu dəyişikliyi azaldan kompensasiya metodologiyası ilə birgə universal istiqamətli cihaz və onun şablonu təklif olunur. Analog və rəqəmsal IGZO-TFT krillərinin dizayn inkişaf etdirmə prosesini sürətləndirmək üçün də bir şablon təklif olunur. Təklif edilən şablon əsasında, gerilmə qüvvəsinə hassas olmayan standart hüceyrə kitabxanası təklif olunur. Standart hüceyrə kitabxanasının istifadə olunabilirliyini təsdiqləmək üçün 32-bitli daşıma seçimi toplama cihazı tətbiq edilib.
Mənbə: IEEE Xplore
İlan: Orijinalə sayğacılıq, paylaşılmağa layiq yaxşı məqalələr, əgər müxtəlif hüquqları pozduqsa lütfən silinməsi üçün əlaqə saxlayın.