Sa pagtaas ng pangangailangan para sa maliwanag/pampaligiran na mga display, healthcare sensors, at robotics, mayroong pangangailangan na i-advance ang pagbuo ng thin-film transistors (TFTs) at malalaking sirkuito. Ang papel na ito ay nagpropose ng isang IGZO-TFT-PDK upang tulungan ang mga edukador at komunidad ng pananaliksik na pagsamantalahan ang espasyo ng disenyo ng sirkuito ng dual-gate IGZO-TFT devices. Upang solusyonan ang problema sa pagbabago ng kuryente dahil sa tensile force sa mga IGZO-TFT device, inipinroposohan ang isang omni-directional na device at ang layout template nito na may paraan ng kompensasyon na bumabawas sa pagbabago nito. Inipinroposohan din ang isang layout template upang mapabilis ang proseso ng pagbuo ng disenyo ng analog at digital IGZO-TFT circuits. Batay sa inipinroposohang layout template, inipinroposohan ang isang tensile force-insensitive na standard cell library. Nag-implement kami ng 32-bit carry select adder upang ipapatunayan ang usability ng standard cell library.
Source: IEEE Xplore
Statement: Respetuhin ang orihinal, mahalagang mga artikulo na karapat-dapat na i-share, kung may labag sa copyright pakiusap ilisan.