ਉੱਚੀ ਰੀਸਿਸਟੀਵਿਟੀ ਜਾਂ ਨਿਜ਼ਲੀ ਕੰਡਕਟਿਵਿਟੀ ਵਾਲੇ ਸਾਮਗ੍ਰੀ ਕਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਅਬਾਦੀ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਅਤੇ ਅਨੁਵਿਧਾਵਾਂ ਲਈ ਬਹੁਤ ਉਪਯੋਗੀ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਸਾਮਗ੍ਰੀ ਨੂੰ ਉੱਤੇ ਫਲੈਮਨਟ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇਸਤੇਮਾਲ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਇੰਕੈਂਡੈਸ਼ਨ ਲਾਂਭ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਹੀਟਰ ਅਤੇ ਫਰਨੈਕਸ, ਸਪੇਸ ਹੀਟਰ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਆਈਰਨ ਆਦੀ ਲਈ ਹੀਟਿੰਗ ਐਲੀਮੈਂਟ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇਸਤੇਮਾਲ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਹੇਠਾਂ ਲਿਖੇ ਗੁਣ ਉੱਚੀ ਰੀਸਿਸਟੀਵਿਟੀ ਜਾਂ ਨਿਜ਼ਲੀ ਕੰਡਕਟਿਵਿਟੀ ਵਾਲੀ ਕੰਡਕਟਿੰਗ ਸਾਮਗ੍ਰੀ ਵਿੱਚ ਲੋੜੀਦੇ ਹਨ –
ਉੱਚੀ ਰੀਸਿਸਟੀਵਿਟੀ।
ਉੱਚਾ ਪ੍ਰਤੀਸ਼ਖਣ ਬਿੰਦੁ।
ਉੱਚੀ ਮਕਾਨਿਕੀ ਸਹਿਖਤਾ।
ਉੱਚੀ ਡੱਕਟੀਲਿਟੀ, ਤਾਂ ਕਿ ਇਸਨੂੰ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਤਾਰ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਖਿੱਚਿਆ ਜਾ ਸਕੇ।
ਉੱਚੀ ਕੋਰੋਜਨ ਰੋਧਕਤਾ, ਮਤਲਬ ਕਸੀਡੇਸ਼ਨ ਤੋਂ ਮੁਕਤ।
ਨਿਜ਼ਲਾ ਖਰੀਦਦਾਰੀ।
ਲੰਬੀ ਉਮਰ ਜਾਂ ਸਥਾਈ।
ਉੱਚੀ ਲੋੜਤਾ。
ਕਈ ਉੱਚੀ ਰੀਸਿਸਟੀਵਿਟੀ ਜਾਂ ਨਿਜ਼ਲੀ ਕੰਡਕਟਿਵਿਟੀ ਵਾਲੀ ਸਾਮਗ੍ਰੀਆਂ ਨੂੰ ਹੇਠਾਂ ਲਿਖਿਆ ਗਿਆ ਹੈ
ਟੰਗਸਟਨ
ਕਾਰਬਨ
ਨਿਕ੍ਰੋਮ ਜਾਂ ਬ੍ਰਾਈਟਰੇ ਬੀ
ਨਿਕ੍ਰੋਮ ਵੀ ਜਾਂ ਬ੍ਰਾਈਟਰੇ ਸੀ
ਮੈਂਗਨੀਨ
ਟੰਗਸਟਨ ਨੂੰ ਦੁਰਲੱਬ ਓਰਿਲਾਵਾਂ ਜਾਂ ਟੰਗਸਟਿਕ ਏਸਿਡਾਂ ਤੋਂ ਬਹੁਤ ਜਟਿਲ ਪ੍ਰਕ੍ਰਿਆਵਾਂ ਦੁਆਰਾ ਪੈਦਾ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਟੰਗਸਟਨ ਬਾਰੇ ਕੁਝ ਤਥਿਆਂ ਹੇਠਾਂ ਲਿਖੀਆਂ ਗਈਆਂ ਹਨ-
ਬਹੁਤ ਕਠੋਰ।
ਅਲੂਮੀਨੀਅਮ ਦੀ ਰੀਸਿਸਟੀਵਿਟੀ ਦੁਗਣੀ ਹੈ।
ਉੱਚਾ ਟੈਨਸਲ ਸ਼ਕਤੀ।
ਬਹੁਤ ਪਤਲੇ ਤਾਰ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਖਿੱਚਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਓਕਸੀਜਨ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਜਲਦੀ ਓਕਸੀਡਾਇਜ਼ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।
ਨਿਰਕਸ਼ ਗੈਸਾਂ (ਨਾਇਟਰੋਜਨ, ਅਰਗਨ ਆਦੀ) ਦੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ 2000oC ਤੱਕ ਬਿਨ ਓਕਸੀਡਾਇਜ਼ ਹੋਣੇ ਇਸਤੇਮਾਲ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਟੰਗਸਟਨ ਦੇ ਗੁਣ ਹੇਠਾਂ ਲਿਖੇ ਹਨ-
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਵਜਨ : 20 gm/cm3
ਰੀਸਿਸਟੀਵਿਟੀ : 5.28 µΩ -cm
ਤਾਪਮਾਨ ਦਾ ਰੀਸਿਸਟੈਂਸ ਗੁਣਾਂਕ : 0.005 / oC
ਪ੍ਰਤੀਸ਼ਖਣ ਬਿੰਦੁ : 3410oC
ਉਭਾਰ ਬਿੰਦੁ : 5900oC
ਤਾਪਮਾਨ ਦਾ ਵਿਸਥਾਰ ਗੁਣਾਂਕ: 4.44 × 10-9 / oC
ਫਲੈਮਨਟ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਇਸਤੇਮਾਲ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਇੰਕੈਂਡੈਸ਼ਨ ਲਾਂਭ ਲਈ।
X-ਰੇ ਟੁਬਾਂ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ।
ਵਧੀਆ ਕਠੋਰਤਾ, ਉੱਚਾ ਪ੍ਰਤੀਸ਼ਖਣ ਅਤੇ ਉਭਾਰ ਬਿੰਦੁ ਇਹਨਾਂ ਕੋਲ ਕਈ ਅਨੁਵਿਧਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਕਨਟੈਕਟ ਸਾਮਗ੍ਰੀ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਇਸਤੇਮਾਲ ਕਰਨ ਲਈ ਯੋਗ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਕਨਟੈਕਟਾਂ ਦੇ ਚਲਾਉਣ ਦੌਰਾਨ ਉੱਤਪਾਦਿਤ ਨਾਸ਼ਕਤਾ ਵਾਲੀ ਸ਼ਕਤੀਆਂ ਦੇ ਲਈ ਉੱਚ ਰੋਧਕਤਾ ਰੱਖਦਾ ਹੈ।
ਕਾਰਬਨ ਬਹੁਤ ਵਿਸਥਾਰ ਨਾਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਅਬਾਦੀ ਵਿੱਚ ਇਸਤੇਮਾਲ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਕਾਰਬਨ ਸਾਮਗ੍ਰੀ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਅਤੇ ਕਾਰਬਨ ਦੀਆਂ ਹੋਰ ਰੂਪਾਂ ਤੋਂ ਬਣਾਈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।