Tranzistorun Tərif
Tranzistor üç terminal (Emiter, Baz, və Kollektor) və iki qoşulma (Baz-Emiter və Baz-Kollektor) ilə birlikdə olan yarıiletken cihaz kimi təyin edilir.
Tranzistor üç terminali olan yarıiletken cihazdır: Emiter (E), Baz (B) və Kollektor (C). İki qoşulması var: Baz-Emiter (BE) və Baz-Kollektor (BC). Tranzistorlar üç bölgədə işləyirlər: kesik (tam olaraq oğurlanmış), aktiv (amplifikator kimi), və doyma (tam olaraq açıq).
Tranzistorlar aktiv bölgədə işlədikdə, girişi sinyalin gücünü çox məhdud dəyişiklik olmadan artırır. Bu davranışı zərürək növlərin hərəkətindən ibarətdir. Npn bipolar qoşulma tranzistorunu (BJT) aktiv bölgədə işləmək üçün təzyiq etməklə, BE qoşulmasının irəli təzyiqli olması və BC qoşulmasının arxa təzyiqli olması nəzərə alınmalıdır.
Npn tranzistorunda, emitər çox zərürək, baz az zərürək, və kollektor orta dərəcədə zərürək olur. Baz dar, emitər geniş, və kollektor ən genişdir.

Baz və emitər terminaları arasındakı irəli təzyiq, baz bölgəsinə kiçik baz akımı (IB) axmağa səbəb olur. Bu akım adətən mikroamper (μA) miqdarında olur, VBE adətən 0,6 V-dən fərqli olmur.
Bu proses elektronların baz bölgəsindən çıxması və ya parçaların ona endirilməsi kimi göstərilə bilər. Endirilmiş parçalar emitərdən elektronları çəkir, bu da parçalar və elektronların birləşməsinə səbəb olur.
Amma bazın emitərə nisbətən daha az zərürək olması səbəbindən, elektronların sayının parçalara nisbətən daha çox olacağını nəzərə almalıyıq. Buna görə, birləşmə effektinin sonra də daha çox elektron azad qalacaq. Bu elektronlar indi dar baz bölgəsini keçirib, kollektor terminalına doğru baz və kollektor arasındakı təzyiq təsiri altında hərəkət edəcək.
Bu, kollektora hərəkət edən kollektor akımı IC-ni təşkil edir. Buradan, baz bölgəsinə axan IB akımını dəyişdirməklə, kollektor akımı IC-nin çox böyük dəyişikliklərinin əldə edilə biləcəyini görmək olar. Bu, heç bir şey deyil, akım amplifikasiyasıdır, bu da npn tranzistorun aktiv bölgədə işlədiyi zaman akım amplifikatoru kimi davrandığını göstərir. İlgili akım qazancı riyazi olaraq ifadə edilə bilər-

İndi, baz və emitər terminaları arasına girişi sinyal uygulanarkən, çıxış, kollektor və baz terminalı arasında bağlanan yük direksiyası RC-nin üzərində toplanan npn tranzistoru nəzərə alaq, Şəkil 2-də göstərilən kimi.
İndi, baz və emitər terminaları arasına girişi sinyal uygulanarkən, çıxış, kollektor və baz terminalı arasında bağlanan yük direksiyası RC-nin üzərində toplanan npn tranzistoru nəzərə alaq, Şəkil 2-də göstərilən kimi.
Əlavə olaraq, tranzistorun uyğun təzyiq mənbələri, V EE və VBC istifadə edərək daima aktiv bölgəsində işləməsinin təmin edildiyi nəzərə alınmalıdır. Burada, girişi təzyiq Vin-in kiçik dəyişiklikləri, girish şəbəkəsinin direksiyasının aşağı olması (irəli təzyiq şəraitindən) səbəbiylə, emitər akımı IE-nin mühüm dəyişməsinə səbəb olur.

Bu da öz növbəsində, müvafiq hallarda baz akımının miqdarının çox az olması səbəbindən, kollektor akımının hemen hemen eyni miqdarında dəyişməsinə səbəb olur. Bu böyük IC dəyişikliği, yük direksiyası RC-nin üzərində böyük təzyiq düşməsinə səbəb olur, bu da çıxış təzyiqidir.
Bundan, cihazın çıxış terminalında girişi təzyiqin amplifikasiya versiyasını əldə edirik, bu da şəbəkənin təzyiq amplifikatoru kimi davrandığını göstərir. Bu hadisə ilə bağlı təzyiq qazancının riyazi ifadəsi aşağıdakı kimi verilir
Verilən izahat npn BJT üçün olub, amma pnp BJT-lər üçün də oxşar analogiya mövcuddur. Eyni prinsiplərə əsaslanaraq, digər növ tranzistor, Saha Effekti Tranzistoru (FET) -nin amplifikasiya təsirini izah edə bilərsiniz. Daha da qeyd edək ki, tranzistorların amplifikator şəbəkəsinin çoxsaylı variantları mövcuddur, məsələn
Birinci Qrup: Ümumi Baz/Gate Konfiqurasiyası, Ümumi Emiter/Source Konfiqurasiyası, Ümumi Kollektor/Drain Konfiqurasiyası
İkinci Qrup: A Sinifi amplifikatorlar, B Sinifi amplifikatorlar, C Sinifi Amplifikatorlar, AB Sinifi amplifikatorlar
Üçüncü Qrup: Yeganə Dərəcəli Amplifikatorlar, Çox Dərəcəli Amplifikatorlar, və s. Amma əsas işləmə prinsipi eyni qalır.