چەندی ڕادیۆ؟

PIN Diode ya ku çi ye?

Taybetmendiyek PIN Diode

PIN diode taybetmendiyek diodeyek e ke di p-type semiconductorê daşdar û n-type semiconductorê daşdar de yên navendî intrinsic semiconductor layer (silicon an germanium) bêt-doped ên de heye. Berbi ser diodên bixwe, divê li vir diodên serastî yên din ek layer ek ekstra hene, ku ji xebitandina rojanê derbas neke çimkî di rasteyên elektronî yên jêrîn de were pir meheme. Ev yekemîkî ye ku p region hene, piştî ev region intrinsic hene, u ba dawer N region hene, wate PIN diode û navê we di vir reyên vê yekemîkî de were hatine.

Isyanî PIN Diode

Bina PIN Diode

Di vir de wergera, PIN diode divê layer ek intrinsic bêt-doped (ji bo resistivityya herî ber) li vir di PN junction de heye, em niha di detay de binina dioden biniyê bikin.

PIN diodes bi karberdanan strukturên Mesa an Planar in. Li vir strukturê Mesa, layerên pre-doped bi substrate zêde kirin, ku kontrolkirina doped level an layer thickness-ê were berdigel. Strukturê Planar li vir substrate layer ek epitaxial bigerin, ku p+ region bi ion implantation an diffusion were form kirin.

Karanîna PIN Diode

Berbi ser diodên serastî, PIN diodes layer ek intrinsic ekstra hene ku ji bo karanîna rectifiers yekem neke bet gotin lê ji bo karanîna switches an attenuators meheme.

Karanîna forward biased ya PIN Diode

Li vir forward bias, depletion region li vir di PIN diode de diket, ku current flow-ê were destpê kirin. Vê diketkirina diodeke li vir variable resistor-ê were şandin û electric field-ê herî ber were şandin, ku ji bo karanîna high-frequency applications-ê were parzûn.

Karanîna reverse biased ya PIN Diode

Li vir reverse biased condition, width of the depletion region diket. Li vir voltage-ê reverse bias, layer ek intrinsic hemî charge carriers-ê were rakirin. Voltage-ê -2v-ê namek swept in voltage-ê were hatine. Ji bo karanîna switching li vir reverse bias were bikar anîn.

Taybetmendiyên PIN Diode

Li vir reverse bias-ê herî ber, depletion layer fully depleted bûyad. Capacitance-ê PIN diode independent of the level of bias bûyad li vir depletion layer fully depleted be. Ji bilî ku net charge-ê layer ek intrinsic de herî ber diket. RF signal-ê leakage herî ber diket ji other diodes ji bilî ku capacitance-ê typically herî ber diket.

Li vir forward bias, diodeke li vir resistor-ê were şandin ji non-linear device-ê û rectification an distortion-ê were nîne. Value-ê resistance-ê li vir bias voltage-ê were depen. Pin diode bi karberdanê RF switch an variable resistor-ê were bikar anîn ji bilî ku distortions-ê herî ber diket ji normal diode-ê.

Karanîna PIN Diode

• RF switch

• High Voltage Rectifier

• Photodetector