Характеристики JFET

Визначення JFET

JFET - це тип транзистора, який керує потоком струму за допомогою електричного поля.

Під час придбання JFET для певного застосування необхідно перевірити специфікації пристрою. Ці специфікації надаються виробниками. Нижче наведені параметри, які використовуються для визначення JFET:

• Напруга зупинки затвору (VGS(off))

• Струм сток-дрейн при замкнутому затворі (IDSS)

• Транскондукція (gmo)

• Динамічний вихідний опір (rd)

• Коефіцієнт підсилення (μ)

Напруга зупинки затвору

При фіксованій напрузі на дрейні, струм на дрейні (ID) JFET залежить від напруги між затвором і джерелом (VGS).

Якщо напруга між затвором і джерелом у n-канальному JFET зменшується від нуля, струм на дрейні також зменшується відповідно. Зв'язок між напругою між затвором і джерелом та струмом на дрейні наведено нижче. Після певної напруги між затвором і джерелом (V25155-1GS), струм на дрейні ID стає рівним нулю. Ця напруга відома як напруга зупинки затвору (VGS(off)). Ця напруга чисельно дорівнює напрузі згортання дрейн-джерело (Vp). У випадку p-канального JFET, якщо ми збільшимо напругу на затворі від нуля, струм на дрейні зменшиться, і після певної напруги між затвором і джерелом, струм на дрейні стане рівним нулю. Ця напруга є напругою зупинки затвору для p-канального JFET. Це напруга зупинки затвору для p-канального JFET.

Струм сток-дрейн при замкнутому затворі

Коли затвор заземлений (VGS = 0) і напруга між дрейном і джерелом (VDS) повільно збільшується у n-канальному JFET, струм на дрейні лінійно зростає. Після напруги згортання (Vp), струм на дрейні залишається постійним, досягаючи свого максимального значення. Цей максимальний струм, відомий як струм сток-дрейн при замкнутому затворі (IDSS), є сталим для кожного JFET.

Транскондукція

Транскондукція - це співвідношення зміни струму на дрейні (δID) до зміни напруги між затвором і джерелом (δVGS) при постійній напрузі між дрейном і джерелом (VDS = Constant).

Це значення максимальне при V25155-7GS = 0.

Це позначається gmo. Це максимальне значення (gmo) вказано в технічному описі JFET. Транскондукція при будь-якому іншому значенні напруги між затвором і джерелом (gm) може бути визначена наступним чином. Вираз струму на дрейні (ID) є

Частково диференціюючи вираз струму на дрейні (I25155-1D) відносно напруги між затвором і джерелом (VGS)

При VGS = 0, транскондукція набуває свого максимального значення, і воно становить

Отже, ми можемо записати,

Динамічний вихідний опір

Це співвідношення зміни напруги між дрейном і джерелом (δVDS) до зміни струму на дрейні (δID) при постійній напрузі між затвором і джерелом (VGS = Constant). Співвідношення позначається як rd.

Коефіцієнт підсилення

Коефіцієнт підсилення визначається як співвідношення зміни напруги на дрейні (δVDS) до зміни напруги на затворі (δVGS) при постійному струмі на дрейні (ID = Constant).Існує зв'язок між транскондукцією (g25155-8m) та динамічним вихідним опором (rd), який можна встановити таким чином.