Bipolar Junction Transistor Note: The term "Bipolar Junction Transistor" is a technical term and is commonly left untranslated in many languages, including Cebuano. If you need a specific Cebuano translation or a description of the term, please provide further instructions.

Pahayag sa BJT

Ang Bipolar Junction Transistor (o BJT o BJT Transistor) usa ka tulo-terminong semiconductor nga gisangpotan sa duha ka p-n junction nga makakapalihog o magnify sa signal. Kini usa ka current controlled device. Ang tulo termino sa BJT mao ang base, collector ug emitter. Ang BJT usa ka tipo sa transistor nga gigamit og electrons ug holes isip mga charge carrier.

Ang signal nga gamay ang amplitude kung ipasabot sa base magamit na sa ika-upat nga form sa collector sa transistor. Kini ang amplification nga gihatag sa BJT. Tandaan nga kinahanglan niya og eksternal nga DC power supply aron mahimo ang proseso sa amplification.

Adunay duha ka tipo sa bipolar junction transistors – NPN transistors ug PNP transistors. Gitakda ang diagram sa matang sa duha ka tipo sa bipolar junction transistors sa ubos.

Gikan sa gibutangan nga figura, makita nato nga adunay tulo ka bahin sa tanang BJT nga gitawag og emitter, base ug collector. Ang JE ug JC representa ang junction sa emitter ug junction sa collector, respektibong. Sa kasagaran, sapat na nga malimtanon nato nga ang emitter-based junction forward biased ug ang collector-base junction reverse biased. Ang sunod nga topic mosulbar sa duha ka tipo sa transistors.

NPN Bipolar Junction Transistor

Sa n-p-n bipolar transistor (o npn transistor), usa ka p-type semiconductor nga nagpuyo sa duha ka n-type semiconductors ang diagram sa ubos ang n-p-n transistor gipakita. Karon ang I E, IC mao ang emitter current ug collect current, respektibong, ug ang VEB ug VCB mao ang emitter-base voltage ug collector-base voltage, respektibong. Sumala sa convention kon para sa emitter, base ug collector current IE, IB ug IC current moguli sa transistor ang sign sa current gikuha isip positibo ug kon ang current moguli gikan sa transistor ang sign gikuha isip negatibo. Mahimo nato ang tabulate sa lain-laing currents ug voltages sa loob sa n-p-n transistor.

PNP Bipolar Junction Transistor

Parehas sa p-n-p bipolar junction transistor (o pnp transistor), usa ka n-type semiconductor nga gi-sandwich sa duha ka p-type semiconductors. Ang diagram sa p-n-p transistor gipakita sa ubos.

Para sa p-n-p transistors, ang current moguli sa transistor pinaagi sa emitter terminal. Parehas sa tanang bipolar junction transistor, ang emitter-base junction forward biased ug ang collector-base junction reverse biased. Mahimo nato ang tabulate sa emitter, base ug collector current, samtang ang emitter-base, collector base ug collector-emitter voltage para sa p-n-p transistors usab.

Prinsipyong Paggamit sa BJT

Ang figura nagpakita sa n-p-n transistor nga bias sa active region (Basaha ang transistor biasing), ang BE junction forward biased tungod kay ang CB junction reverse biased. Ang width sa depletion region sa BE junction gamay kaysa sa CB junction.

Ang forward bias sa BE junction molapos sa barrier potential, pagpasabot sa electrons nga moguli gikan sa emitter sa base. Tungod kay ang base gamay ug lightly doped, adunay kaayo gamay nga holes. Usa ka 2% sa electrons gikan sa emitter recombine sa holes sa base ug moguli gikan sa base terminal.

Kini ang base current, moguli tungod sa recombination sa electrons ug holes (Tandaan nga ang direction sa conventional current flow opol sa flow sa electrons). Ang natubanan nga damu nga electrons moguli sa reverse-biased collector junction aron maconstitute ang collector current. Busa, sumala sa KCL,

Ang base current gamay kaysa sa emitter ug collector current.

Hito, ang majority sa charge carriers mao ang electrons. Ang operasyon sa p-n-p transistor sama sa n-p-n, ang tungan nga pinsan mao ang majority charge carriers mao ang holes wala sa electrons. Gamay lang ang bahin sa current moguli tungod sa majority carriers ug ang labi nga damu sa current moguli tungod sa minority charge carriers sa BJT. Busa, sila gitawag isip minority carrier devices.

Equivalent Circuit sa BJT

Ang p-n junction girepresentarhan sa diode. Tungod kay ang transistor adunay duha ka p-n junction, equivalent niya sa duha ka diodes nga gikonekta back to back. Kini gitawag isip ang two diode analogy sa BJT.

Characteristics sa Bipolar Junction Transistors

Ang tulo ka bahin sa BJT mao ang collector, emitter ug base. Bago matun-an ang characteristics sa bipolar junction transistor, kinahanglan nato malimtanon ang modes of operation para sa matang sa transistors. Ang modes mao

• Common Base (CB) mode

• Common Emitter (CE) mode

• Common Collector (CC) mode

Tanang tulo ka tipo sa modes gipakita sa ubos

Ngadto sa characteristics sa BJT adunay lain-lain nga characteristics para sa lain-lain nga modes of operation. Characteristics wala ra gyud ang graphical forms sa relationships sa lain-laing current ug voltage variables sa transistor. Ang characteristics para sa p-n-p transistors gihatag para sa lain-lain nga modes ug parameters.

Common Base Characteristics

Input Characteristics

Para sa p-n-p transistor, ang input current mao ang emitter current (IE) ug ang input voltage mao ang collector base voltage (VCB).

Tungod kay ang emitter-base junction forward biased, busa ang graph sa IE Vs VEB sama sa forward characteristics sa p-n diode. Ang IE mobata para sa fixed VEB kung ang VCB mobata.

Output Characteristics

Ang output characteristics nagpakita sa relasyon sa output voltage ug output current IC mao ang output current ug collector-base voltage ug ang emitter current IE mao ang input current ug gipakigbahin isip parameter. Ang figura sa ubos nagpakita sa output characteristics para sa p-n-p transistor sa CB mode.

Sumala sa atong kabalo para sa p-n-p transistors I E ug VEB positibo ug IC, IB, VCB negatibo. Adunay tulo ka regions sa curve, active region, saturation region ug cut off region. Ang active region mao ang region diin normal nga operasyon ang transistor.

Hito, ang emitter junction reverse biased. Ngadto sa saturation region, ang region diin parehas ang emitter-collector junctions forward biased. Ug finally, ang cut off region mao ang region diin parehas ang emitter ug collector junctions reverse biased.

Common Emitter Characteristics

Input characteristics

IB (Base Current) mao ang input current, VBE (Base – Emitter Voltage) mao ang input voltage para sa CE (Common Emitter) mode. Busa, ang input characteristics para sa CE mode mao ang relasyon sa IB ug VBE uban ang VCE isip parameter. Ang characteristics gipakita sa ubos

Ang typical CE input characteristics sama sa forward-biased sa p-n diode. Ama sa V CB mobata ang base width mobaba.

Output Characteristics

Ang output characteristics para sa CE mode mao ang curve o graph sa pagitan sa collector current (IC) ug collector-emitter voltage (VCE) kung ang base current IB mao ang parameter. Ang characteristics gipakita sa figure sa ubos.

Sama sa output characteristics sa common – base transistor, ang CE mode adunay tulo ka regions gipangngutana (i) Active region, (ii) cut-off regions, (iii) saturation region. Ang active region adunay collector region reverse biased ug ang emitter junction forward biased.

Para sa cut-off region, ang emitter junction gamay ang reverse biased ug ang collector current wala totally cut-off. Ug finally para sa saturation region parehas ang collector ug emitter junction forward biased.