مفتاح دارة صلبة SiC MOSFET لحماية الجهد المنخفض

1. ملخص المبدأ الأساسي

2. مبدأ العمل

• التصحيح: أولاً، يتم تصحيح الطاقة الكهربائية ذات التردد الخطي (مثل 50 هرتز أو 60 هرتز) إلى طاقة كهربائية مستمرة باستخدام أجهزة إلكترونية للطاقة (مثل IGBTs). هذه الخطوة تقوم بتحويل التيار الكهربائي ذو التردد المنخفض إلى تيار مستقر، مما يهيئه للعمليات اللاحقة.
• التقطيع عالي التردد (العكس): بعد ذلك، يتم عكس الطاقة الكهربائية المستمرة إلى طاقة كهربائية ذات تردد عالٍ (من عدة كيلوهرتز إلى مئات الكيلوهرتز) عن طريق التحكم في أجهزة التحويل. هذه هي الخطوة الأساسية: وفقًا لمبادئ المحولات، فإن زيادة التردد عند نفس مستوى الطاقة تقلل من حجم القلب المطلوب. لذا، فإن زيادة التردد تقلل بشكل كبير من حجم وزن المحول الرئيسي.
• العزل وتحويل الجهد عبر المحول عالي التردد: ثم يدخل هذا التيار الكهربائي عالي التردد إلى محول عالي التردد صغير الحجم. من خلال الإثارة الكهرومغناطيسية، يقوم المحول بتحويل الجهد ويقدم العزل الكهربائي. نظرًا للتردد العالي الذي يعمل به، فإن هذا المحول الصغير عادة ما يكون أكثر كفاءة في استهلاك الطاقة من المحول التقليدي ذو التردد الخطي.
• التصحيح النهائي/العكس للإخراج: يتم تحويل الطاقة الكهربائية عالي التردد التي تم تحويلها إلى الشكل المطلوب من الطاقة. قد يتضمن ذلك تصحيحها مرة أخرى إلى طاقة كهربائية مستمرة لاستخدامها في شبكات الطاقة المستمرة الصغيرة أو شواحن السيارات الكهربائية، أو عكسها إلى طاقة كهربائية. وفي حالة العكس، يتم تنظيم الجهد والتردد والموجة بدقة قبل توصيل الطاقة إلى الأحمال الكهربائية أو ربطها بالشبكة.

3. جملتك التقنية (تم الاحتفاظ بها كما طُلب)

تتيح المقاطع الدائرة الصلبة مع SiC MOSFETs قطع على مستوى الميكروثانية، وإلغاء الانفجار القوس الكهربائي، وتحقيق التنسيق الاختياري الدقيق، وتغيير ثورة الحماية الدائرة ذات الجهد المنخفض مع السلامة والكفاءة العالية.