Düşük Gerilim Koruması için SiC MOSFET Katı Hal Kesici Anahtarlama Sistemleri

1. Ana Prensip Özeti

2. Çalışma Prensibi

• Dikdörtgenleştirme: İlk olarak, giriş çizgi frekanslı AC gücü (örneğin 50 Hz veya 60 Hz) güç elektronik cihazları (IGBT'ler gibi) kullanılarak DC gücüne dikdörtgenleştirilir. Bu adım düşük frekanslı AC'yi istikrarlı DC'ye dönüştürerek sonraki işlemler için hazırlar.
• Yüksek Frekansta Kesme (Ters Dönüştürme): Sonra, dikdörtgenleştirilmiş DC gücü anahtarlama cihazlarının kontrol edilmesiyle yüksek frekanslı AC gücüne (birkaç kilohertz'dan yüzlerce kilohertze kadar) ters dönüştürülür. Bu, temel adımdır: dönüşüm prensiplerine göre, aynı güç seviyesinde daha yüksek frekans, gerekli çekirdek hacmini azaltır. Bu nedenle, frekansın artırılması ana dönüştürücünün boyutunu ve ağırlığını büyük ölçüde azaltır.
• Yüksek Frekanslı Dönüşüm Cihazı ile İzolasyon ve Gerilim Dönüştürme: Bu yüksek frekanslı AC gücü sonra kompakt bir yüksek frekanslı dönüşüm cihazına girer. Elektromanyetik indüksiyon yoluyla, dönüşüm cihazı gerilim dönüştürmesini gerçekleştirir ve elektriksel izolasyon sağlar. Yüksek çalışma frekansı nedeniyle, bu küçük dönüşüm cihazı genellikle geleneksel çizgi frekanslı bir dönüşüm cihazından daha enerji verimlidir.
• Akılan Çıkış İçin Son Dikdörtgenleştirme/Ters Dönüştürme: Dönüştürülen yüksek frekanslı AC gücü sonra gereken elektrik enerjisi formuna dönüştürülür. Bu, DC mikro ağlarda veya elektrikli araç şarj ünitelerinde kullanılacak şekilde tekrar DC gücüne dikdörtgenleştirilebilir ya da AC gücüne ters dönüştürülebilir. Son durumda, güç AC yüklerine sağlanmadan önce veya ağa bağlanmadan önce gerilim, frekans ve faz kesinlikle düzenlenir.

3. Teknik Cümleniz (istenen şekilde korunmuştur)

SiC MOSFET'leri olan katı hal devre kesiciler, mikrosaniye düzeyinde kesme, ark parlamasının ortadan kaldırılmasını, hassas seçmeli koordinasyonu sağlar ve düşük gerilim devre korumasında yüksek güvenlik ve verimlilikle devrim niteliği taşır.