Что такое IGBT?

Что такое IGBT?

Определение IGBT

Изолированный биполярный транзистор (IGBT) определяется как полупроводниковое устройство, которое сочетает в себе преимущества мощных МОП-транзисторов (MOSFET) и мощных биполярных транзисторов (BJT).

Структура

Структура IGBT включает дополнительный слой p+ инжекции, который улучшает его характеристики по сравнению с PMOSFET.

Переключательные характеристики IGBT

Переключение IGBT включает отдельные времена включения и выключения, с определенными временами задержки и нарастания/спада, которые влияют на производительность.

Захват

Захват происходит, когда IGBT остается включен даже после снижения напряжения на затворе, требуя специальных коммутационных цепей для его выключения.

Преимущества

• Низкие требования к питанию затвора

• Малые потери при переключении

• Небольшие требования к снабберным цепям

• Высокое входное сопротивление

• Устройство, управляемое напряжением

• Температурный коэффициент сопротивления в режиме проводимости положителен и меньше, чем у PMOSFET, что приводит к меньшему падению напряжения и потерям мощности в режиме проводимости.

• Улучшенная проводимость благодаря биполярной природе

• Лучшая зона безопасной работы

Недостатки

• Стоимость

• Проблема захвата

• Большее время выключения по сравнению с PMOSFET