Cosa è un IGBT?

Cos'è un IGBT?

Definizione di IGBT

Un Transistor Bipolare a Griglia Isolata (IGBT) è definito come un dispositivo semiconduttore che combina i vantaggi dei MOSFET di potenza e dei BJT di potenza.

Struttura

La struttura dell'IGBT include un ulteriore strato di iniezione p+, che ne migliora le prestazioni rispetto ai PMOSFET.

Caratteristiche di commutazione dell'IGBT

La commutazione dell'IGBT prevede tempi distinti di accensione e spegnimento, con tempi di ritardo e salita/cespita specifici che influiscono sulle prestazioni.

Bloccaggio

Il bloccaggio si verifica quando l'IGBT rimane acceso anche dopo che la tensione alla griglia è stata ridotta, richiedendo circuiti di commutazione speciali per spegnerlo.

Vantaggi

• Requisiti di pilotaggio della griglia inferiori

• Basse perdite di commutazione

• Esigenze ridotte per la snubber circuitry

• Alta impedenza d'ingresso

• Dispositivo controllato a tensione

• Il coefficiente di temperatura della resistenza nello stato ON è positivo e inferiore a quello del PMOSFET, quindi minore caduta di tensione e perdita di potenza nello stato ON.

• Conduzione migliorata grazie alla natura bipolare

• Migliore Area di Operatività Sicura

Svantaggi

• Costo

• Problema di bloccaggio

• Tempo di spegnimento più lungo rispetto al PMOSFET