รีแอคเตอร์แรงดันสูง 10kV สำหรับการเชื่อมต่อแบบอนุกรม

 ฟังก์ชัน：

ตัวต้านทานอินดักทีฟเชื่อมต่อแบบอนุกรมกับกลุ่มตัวเก็บประจุไฟฟ้าคู่ขนาน มีฟังก์ชันในการชดเชยพลังงานไร้ปฏิกิริยาของระบบไฟฟ้า ปรับปรุงแฟคเตอร์พาวเวอร์ ลดกระแสฮาร์โมนิก จำกัดกระแสกระแทกขณะปิดวงจร ฯลฯ และเหมาะสมสำหรับระบบไฟฟ้า รถไฟฟ้า เหล็กกล้า ปิโตรเคมี และสถานที่ที่มีความต้องการด้านการป้องกันไฟไหม้สูง เช่น สถานีไฟฟ้าในเมือง สถานีไฟฟ้าใต้ดิน และสถานีควบคุมโดยไมโครคอมพิวเตอร์ที่มีข้อจำกัดด้านการรบกวนแม่เหล็กไฟฟ้าและการติดตั้งพื้นที่

พารามิเตอร์ที่ต้องให้เมื่อสั่งซื้อ：

•  กำลังไฟฟ้ากำหนดของตัวต้านทานอินดักทีฟ

• แรงดันไฟฟ้าและความถี่ระบบที่กำหนด

•  แรงดันปลายตัวเก็บประจุ

•  อินดักทานซ์หรืออัตราอินดักทานซ์ที่กำหนดของตัวต้านทานอินดักทีฟ

•  กระแสไฟฟ้ากำหนดและกระแสไฟฟ้าต่อเนื่อง

• กระแสไฟฟ้าความเสถียรไดนามิกและเทอร์โมและระยะเวลา

• ข้อกำหนดพิเศษอื่น ๆ

มาตรฐาน:

• IEC289-88 "ตัวต้านทานอินดักทีฟ"

• GB10229-88 "ตัวต้านทานอินดักทีฟ"

• JB5346-98 "ตัวต้านทานอินดักทีฟ"

• DL462-92 "เงื่อนไขทางเทคนิคสำหรับการสั่งซื้อตัวต้านทานอินดักทีฟเชื่อมต่อแบบอนุกรมสำหรับตัวเก็บประจุไฟฟ้าแรงดันสูง"

ลักษณะโครงสร้าง:

•  ตัวต้านทานอินดักทีฟแบ่งออกเป็นสามเฟสและเฟสเดียว ทั้งสองแบบเป็นการหล่ออีพ็อกซี่

• แกนทำจากแผ่นเหล็กซิลิคอนที่ม้วนเย็นและมีการเจาะและตัดด้วยเครื่องเจาะความเร็วสูง ซึ่งมีขอบเล็กๆ สม่ำเสมอและสวยงาม การวางชั้นทำให้มั่นใจได้ว่าจะมีการทำงานที่อุณหภูมิต่ำและเสียงรบกวนต่ำระหว่างการทำงานของตัวต้านทานอินดักทีฟ

•  วงจรหล่ออีพ็อกซี่ วงจรเสริมด้วยการวางผ้าตาข่ายอีพ็อกซี่แก้วภายในและภายนอก และใช้ระบบหล่ออีพ็อกซี่ระดับ F ในสภาพสุญญากาศ วงจรไม่เพียงแต่มีคุณสมบัติฉนวนที่ดี แต่ยังมีความแข็งแรงทางกลที่ดีและสามารถทนทานต่อแรงกระแทกจากการเปลี่ยนแปลงของกระแสไฟฟ้าและแรงกระแทกจากความร้อนและความเย็นโดยไม่แตก

•  วงจรหล่ออีพ็อกซี่ไม่ดูดน้ำ มีการปล่อยประจุบางส่วนต่ำ และสามารถทำงานอย่างปลอดภัยภายใต้สภาวะแวดล้อมที่รุนแรง

• ส่วนบนและล่างของวงจรทำจากแผ่นรองอีพ็อกซี่และแผ่นกันกระแทกซิลิโคน ซึ่งลดการสั่นสะเทือนของวงจรระหว่างการทำงานได้อย่างมีประสิทธิภาพ

เงื่อนไขการใช้งาน:

• ความสูงไม่เกิน 2000 เมตร

•  อุณหภูมิสภาวะการทำงาน -25°C~+40°C และความชื้นสัมพัทธ์ไม่เกิน 93%

• ไม่มีแก๊สที่เป็นอันตรายรอบข้าง และไม่มีวัสดุที่ไวไฟและระเบิด

•  สภาวะแวดล้อมรอบข้างควรมีการระบายอากาศที่ดี

•  ระดับฉนวน: ระดับ F ระดับเสียงของตัวต้านทานอินดักทีฟ: ≤45dB

• ความสามารถในการโหลดเกิน: ทำงานต่อเนื่องที่ ≤ 1.35 เท่า

• ความไม่เท่ากันระหว่างเฟสของตัวต้านทานอินดักทีฟไม่เกิน ±3% และความคลาดเคลื่อนของอินดักทานซ์ควบคุมไว้ใน +3%

•  ระดับฉนวน: LI75AC35kV

หลักการของคุณสมบัติอินดักทานซ์ของตัวต้านทานอินดักทีฟคืออะไร?

หลักการของคุณสมบัติอินดักทานซ์:

• ตัวต้านทานอินดักทีฟทำงานตามหลักการของการเหนี่ยวนำแม่เหล็กไฟฟ้า เมื่อมีกระแสไฟฟ้าไหลผ่านวงจร จะสร้างสนามแม่เหล็กในแกน ตามกฎของเลนซ์ สนามแม่เหล็กนี้จะต้านทานการเปลี่ยนแปลงของกระแส ทำให้จำกัดอัตราการเปลี่ยนแปลงของกระแส

• ตัวอย่างเช่น ในวงจรกระแสสลับ (AC) ที่กระแสเปลี่ยนแปลงอย่างต่อเนื่อง อินดักทานซ์ของตัวต้านทานอินดักทีฟทำให้กระแสช้ากว่าแรงดันในเฟส ผลจากการเปลี่ยนเฟสนี้ทำให้เกิดพลังงานไร้ปฏิกิริยา ซึ่งสามารถใช้ในการชดเชยพลังงานไร้ปฏิกิริยาในวงจร

• ในวงจรกระแสตรง (DC) ตัวต้านทานอินดักทีฟสามารถทำให้กระแสราบรื่น ลดการผันผวน และให้กระแสไหลอย่างมั่นคง