UHVDC গ্রাউন্ডিং ইলেকট্রোডের কাছাকাছি পুনরুজ্জীবিত শক্তি স্টেশনের ট্রান্সফরমারগুলিতে DC বায়াসের প্রভাব
ফিল্ড: প্রস্তুতকরণ
China
ইউএইচভিডি গ্রাউন্ডিং ইলেকট্রোডের কাছাকাছি পুনরুৎপাদিত শক্তি স্টেশনের ট্রান্সফরমারে ডিসি বাইয়াসের প্রভাব
যখন একটি অতি-উচ্চ-ভোল্টেজ ডায়ারেক্ট কারেন্ট (ইউএইচভিডি) ট্রান্সমিশন সিস্টেমের গ্রাউন্ডিং ইলেকট্রোড পুনরুৎপাদিত শক্তি পাওয়ার স্টেশনের কাছাকাছি অবস্থিত, তখন পৃথিবী দিয়ে প্রবাহিত রিটার্ন কারেন্ট ইলেকট্রোড এলাকার চারপাশে গ্রাউন্ড পটেনশিয়াল বৃদ্ধি ঘটায়। এই গ্রাউন্ড পটেনশিয়াল বৃদ্ধি নিকটবর্তী পাওয়ার ট্রান্সফরমারগুলির নিষ্ক্রিয়-পয়েন্ট পটেনশিয়াল পরিবর্তন ঘটায় এবং তাদের কোরে ডিসি বাইয়াস (বা ডিসি অফসেট) আন্দোলিত করে। এই ডিসি বাইয়াস ট্রান্সফরমারের কার্যকারিতা হ্রাস করতে পারে এবং গুরুতর ক্ষেত্রে যন্ত্রপাতি ক্ষতি ঘটাতে পারে। তাই, কার্যকর নির্ভরণ ব্যবস্থা অত্যন্ত প্রয়োজনীয়।
এই সমস্যার বিস্তারিত বিশ্লেষণ নিম্নে প্রদান করা হল:
1. প্রভাবকারী ফ্যাক্টর
ডিসি বাইয়াসের গুরুত্ব বহু ফ্যাক্টরের উপর নির্ভর করে, যেমন:
ডিসি বাইয়াসের গুরুত্ব বহু ফ্যাক্টরের উপর নির্ভর করে, যেমন:
- ইউএইচভিডি সিস্টেমের পরিচালন কারেন্ট;
- গ্রাউন্ডিং ইলেকট্রোডের অবস্থান এবং ডিজাইন;
- মাটির রোধের স্পেসিয়াল বিতরণ;
- ট্রান্সফরমারের ওয়াইন্ডিং সংযোগ কনফিগারেশন এবং কাঠামোগত বৈশিষ্ট্য।
2. ডিসি বাইয়াসের প্রভাব
ট্রান্সফরমারে ডিসি বাইয়াস ফলাফল হিসেবে উৎপন্ন হতে পারে:
ট্রান্সফরমারে ডিসি বাইয়াস ফলাফল হিসেবে উৎপন্ন হতে পারে:
- শ্রুতিগোচর শব্দ এবং যান্ত্রিক কম্পনের বৃদ্ধি;
- অতিরিক্ত কোর লসের কারণে তাপমাত্রা বৃদ্ধি;
- প্রস্তারিত সময়ের প্রভাবে ওয়াইন্ডিং ইনসুলেশনের দ্রুত বয়স্কতা।
- এই প্রভাবগুলি ট্রান্সফরমারের নিরাপদ এবং বিশ্বসনীয় পরিচালনাকে হ্রাস করে এবং তাদের সেবা জীবনকে ছোট করে।
3. নির্ভরণ ব্যবস্থা
ডিসি বাইয়াস নির্ভরণের জন্য বেশ কিছু প্রযুক্তিগত রणনীতি প্রয়োগ করা যেতে পারে:
ডিসি বাইয়াস নির্ভরণের জন্য বেশ কিছু প্রযুক্তিগত রणনীতি প্রয়োগ করা যেতে পারে:
- পুনরুৎপাদিত শক্তি স্টেশনের নিষ্ক্রিয় গ্রাউন্ডিং মোড পরিবর্তন (উদাহরণস্বরূপ, সোলিডলি গ্রাউন্ড এবং উচ্চ-রোধ গ্রাউন্ড মধ্যে);
- গ্রাউন্ডিং গ্রিড ডিজাইন অপটিমাইজ করা যাতে পুনরুৎপাদিত প্ল্যান্ট এবং নিকটবর্তী সাবস্টেশনের মধ্যে পটেনশিয়াল বিতরণ সামঞ্জস্য থাকে;
- ট্রান্সফরমারের নিষ্ক্রিয় পয়েন্টে ডিসি-ব্লকিং ডিভাইস (উদাহরণস্বরূপ, ক্যাপাসিটিভ বা একটিভ-টাইপ নিষ্ক্রিয় ব্লকিং ডিভাইস) স্থাপন করা যাতে জিওম্যাগনেটিক বা স্ট্রে ডিসি কারেন্ট ব্লক করা যায়।
সংক্ষিপ্তসার
ইউএইচভিডি গ্রাউন্ডিং ইলেকট্রোডের কাছাকাছি পুনরুৎপাদিত শক্তি স্টেশনের ট্রান্সফরমারে ডিসি বাইয়াসের প্রভাব একটি জটিল জিওইলেকট্রিক এবং পাওয়ার সিস্টেম সমস্যা যা একটি সম্পূর্ণ পদ্ধতির প্রয়োজন। প্রভাবিত ট্রান্সফরমারে ডিসি বাইয়াস স্তরের নিরবচ্ছিন্ন পর্যবেক্ষণ, পর্যায়ক্রমিক ঝুঁকি মূল্যায়ন এবং প্রো-অ্যাক্টিভ নির্ভরণ ব্যবস্থা বিন্যাস করা পরামর্শ দেওয়া হয়। এতে ইউএইচভিডি সিস্টেমের প্রভাবিত অঞ্চলে পুনরুৎপাদিত শক্তি সুবিধাগুলির নিরাপদ, স্থিতিশীল এবং দীর্ঘমেয়াদী পরিচালনা নিশ্চিত করা হয়।
ইউএইচভিডি গ্রাউন্ডিং ইলেকট্রোডের কাছাকাছি পুনরুৎপাদিত শক্তি স্টেশনের ট্রান্সফরমারে ডিসি বাইয়াসের প্রভাব একটি জটিল জিওইলেকট্রিক এবং পাওয়ার সিস্টেম সমস্যা যা একটি সম্পূর্ণ পদ্ধতির প্রয়োজন। প্রভাবিত ট্রান্সফরমারে ডিসি বাইয়াস স্তরের নিরবচ্ছিন্ন পর্যবেক্ষণ, পর্যায়ক্রমিক ঝুঁকি মূল্যায়ন এবং প্রো-অ্যাক্টিভ নির্ভরণ ব্যবস্থা বিন্যাস করা পরামর্শ দেওয়া হয়। এতে ইউএইচভিডি সিস্টেমের প্রভাবিত অঞ্চলে পুনরুৎপাদিত শক্তি সুবিধাগুলির নিরাপদ, স্থিতিশীল এবং দীর্ঘমেয়াদী পরিচালনা নিশ্চিত করা হয়।
লেখককে টিপ দিন এবং উৎসাহ দিন
প্রস্তাবিত
