1 ਕੰਬਾਇਨਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਟਰਨਸਫਾਰਮਰਾਂ ਦਾ ਮਾਪਣ ਸਿਧਾਂਤ
1.1 ਵੋਲਟੇਜ ਮਾਪਣ ਦਾ ਸਿਧਾਂਤ
ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਟਰਨਸਫਾਰਮਰ ਕੈਪੈਸਿਟਿਵ ਵੋਲਟੇਜ ਵਿਭਾਜਨ ਪ੍ਰਕਾਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਕੈਪੈਸਿਟਰ ਦੇ ਦੋਵਾਂ ਪਾਸੇ ਦੇ ਵੋਲਟੇਜ ਅਗਲੇ ਪਲ ਬਦਲਦੇ ਨਹੀਂ ਹਨ, ਇਸ ਲਈ ਕੈਪੈਸਿਟਿਵ ਵੋਲਟੇਜ ਵਿਭਾਜਨ ਦੁਆਰਾ ਸਿਧਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਹੋਣ ਵਾਲਾ ਸਕੰਡਰੀ ਵੋਲਟੇਜ ਥੋੜਾ ਸ਼ੁੱਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਮਾਪਣ ਦੀ ਸਹੀਤਾ ਘਟਦੀ ਹੈ। ਮਾਪਣ ਦੀ ਸਹੀਤਾ ਵਧਾਉਣ ਲਈ, ਇੱਕ ਸਹੀਤ ਨਿਖਾਲ ਰੇਜਿਸਟਰ ਨੂੰ ਲਵ ਵੋਲਟੇਜ ਕੈਪੈਸਿਟਰ ਦੇ ਸਾਹਮਣੇ ਸਹਾਇਕ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਦਾ ਸਿਧਾਂਤ ਚਿੱਤਰ 1 ਵਿਚ ਦਰਸਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।
ਚਿੱਤਰ 1 ਵਿਚ, ਇਸ ਹਾਲਤ ਵਿਚ ਕਿ
ਵੋਲਟੇਜ ਵਿਭਾਜਨ ਕੈਪੈਸਿਟਰ ਦਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਮਾਪਿਆ ਜਾ ਰਿਹਾ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਸਮੇਂ-ਵਿਵੇਚਨ ਦੇ ਸਹਾਰੇ ਹੋਣ ਦਾ ਹੋਤਾ ਹੈ। ਇੱਕ ਇਨਟੀਗ੍ਰੇਸ਼ਨ ਲਿੰਕ ਜੋੜਨ ਦੁਆਰਾ, ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਵੋਲਟੇਜ ਮਾਪਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਚਿੱਤਰ 1 ਵਿਚ, ਕਿਉਂਕਿ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਵੋਲਟੇਜ ਗਿਰਾਵਟ C1 ਦੇ ਸਹਾਰੇ ਹੋਣ ਵਾਲੀ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਕੈਪੈਸਿਟਰ C1 ਦੀ ਇਨਸੁਲੇਸ਼ਨ ਲਈ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੋਲਟੇਜ ਟਰਨਸਫਾਰਮਰਾਂ ਵਿਚ, ਜੈਂਕਲ ਕੈਪੈਸਿਟਰ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਵੋਲਟੇਜ ਟਰਨਸਫਾਰਮਰਾਂ ਵਿਚ, ਜੈਂਕਲ ਕੈਪੈਸਿਟਰ ਨਹੀਂ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ; ਇਸ ਦੇ ਬਦਲਵਾਂ ਇਕਵਾਲੈਂਟ ਕੈਪੈਸਿਟਰ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।
ਵੋਲਟੇਜ ਵਿਭਾਜਨ ਕੈਪੈਸਿਟਰ ਦੀ ਸਥਾਪਤੀ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਇਨਸੁਲੇਟਿੰਗ ਸਾਮਗ੍ਰੀ ਦੇ ਬਣੇ ਸਿਲੰਡਰ ਨੂੰ ਇੱਕ ਕੰਡਕਟਿਵ ਰੋਡ 'ਤੇ ਲਾਧਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਫਿਰ, ਇੱਕ ਦੋ-ਲੈਅਰ ਫਲੈਕਸੀਬਲ ਸਰਕਿਟ ਬੋਰਡ ਨੂੰ ਸਿਲੰਡਰ ਦੇ ਬਾਹਰ ਲਾਧਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਸਹੀਤ ਨਿਖਾਲ ਰੇਜਿਸਟਰ ਇੱਕ ਚਿੱਪ ਰੇਜਿਸਟਰ ਹੈ ਜੋ ਫਲੈਕਸੀਬਲ ਸਰਕਿਟ ਬੋਰਡ ਦੇ ਬਾਹਰੀ ਲੈਅਰ 'ਤੇ ਲਾਧਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਕੈਪੈਸਿਟਰ ਵੋਲਟੇਜ ਵਿਭਾਜਕ ਦੀ ਸਥਾਪਤੀ ਯੋਜਨਾ ਚਿੱਤਰ 2 ਵਿਚ ਦਰਸਾਈ ਗਈ ਹੈ।
C1 ਦੀ ਕੈਪੈਸਿਟੈਨਸ ਇੰਦਰੀ ਲੈਅਰ ਸਿਲੰਡਰ ਦੁਆਰਾ ਬਣਦੀ ਹੈ। ਕੰਡਕਟਿਵ ਰੋਡ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਪਲੇਟ ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹੈ, ਅਤੇ ਫਲੈਕਸੀਬਲ ਸਰਕਿਟ ਬੋਰਡ ਦਾ ਅੰਦਰੂਨੀ ਕੰਪੈਕ ਫਿਲਮ ਇੱਕ ਹੋਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਪਲੇਟ ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹੈ, ਜਿੱਥੇ ਇਨਸੁਲੇਟਿੰਗ ਸਾਮਗ੍ਰੀ ਡਾਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਹੈ। C2 ਦੀ ਕੈਪੈਸਿਟੈਨਸ ਬਾਹਰੀ ਲੈਅਰ ਸਿਲੰਡਰ ਦੁਆਰਾ ਬਣਦੀ ਹੈ। ਦੋ-ਲੈਅਰ ਫਲੈਕਸੀਬਲ ਸਰਕਿਟ ਬੋਰਡ ਦੇ ਦੋਵੇਂ ਪਾਸੇ ਦੇ ਕੰਪੈਕ ਫਿਲਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਪਲੇਟਾਂ ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹਨ, ਅਤੇ ਫਲੈਕਸੀਬਲ ਸਰਕਿਟ ਬੋਰਡ ਦਾ ਬੇਸ ਮੈਟੈਰੀਅਲ, ਜਿਵੇਂ ਪੋਲੀਅਇਮਾਈਡ, ਡਾਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਹੈ। ਇਸ ਦਾ ਰੇਡੀਅਲ ਕੱਲੋਸ ਸੈਕਸ਼ਨ ਵੇਵ ਚਿੱਤਰ 3 ਵਿਚ ਦਰਸਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ। ਇਕਵਾਲੈਂਟ ਕੈਪੈਸਿਟੈਨਸ C ਨੂੰ ਫਾਰਮੂਲੇ ਦੁਆਰਾ ਕੈਲਕੁਲੇਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਫਾਰਮੂਲੇ ਵਿਚ: r1 ਸਿਲੰਡਰ ਦਾ ਅੰਦਰੂਨੀ ਰੇਡੀਅਸ ਹੈ; r2 ਸਿਲੰਡਰ ਦਾ ਬਾਹਰੀ ਰੇਡੀਅਸ ਹੈ; H ਫਲੈਕਸੀਬਲ ਪ੍ਰਿੰਟਡ ਸਰਕਿਟ ਬੋਰਡ ਦੀ ਲੰਬਾਈ ਹੈ; εr ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਇਟ ਦੀ ਸਾਪੇਖਿਕ ਪੈਰਮੀਟੀਵਿਟੀ ਹੈ; ε0 ਵੈਕੂਮ ਦੀ ਪੈਰਮੀਟੀਵਿਟੀ ਹੈ।
1.2 ਕਰੰਟ ਮਾਪਣ ਦਾ ਸਿਧਾਂਤ
ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਟਰਨਸਫਾਰਮਰ ਰੋਗੋਵਸਕੀ ਕੋਇਲਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਨ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਮਾਪਣ ਲਈ। ਸਕੰਡਰੀ ਆਉਟਪੁੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਇਨਪੁੱਟ ਕਰੰਟ ਦੇ ਬੀਚ ਸੰਬੰਧ ਇਸ ਪ੍ਰਕਾਰ ਹੈ:
ਫਾਰਮੂਲੇ ਵਿਚ, M ਇੱਕ ਨਿਯਤ ਸੰਖਿਆ ਹੈ ਜੋ ਮਾਪਿਆ ਜਾ ਰਿਹਾ ਕਰੰਟ ਦੇ ਸਥਾਨ ਦੇ ਸਹਾਰੇ ਨਹੀਂ ਹੈ। ਰੋਗੋਵਸਕੀ ਕੋਇਲ ਦਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਮਾਪਿਆ ਜਾ ਰਿਹਾ ਕਰੰਟ ਦੇ ਵਿਵੇਚਨ ਦੇ ਸਹਾਰੇ ਹੋਣ ਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ, ਰੋਗੋਵਸਕੀ ਕੋਇਲ ਦੇ ਆਉਟਪੁੱਟ ਦੇ ਬਾਅਦ ਇੱਕ ਇਨਟੀਗ੍ਰੇਸ਼ਨ ਲਿੰਕ ਜੋੜਨ ਦੁਆਰਾ, ਮਾਪਿਆ ਜਾ ਰਿਹਾ ਕਰੰਟ ਪੁਨਰੁਠਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਇਸ ਪ੍ਰੋਜੈਕਟ ਵਿਚ, ਰੋਗੋਵਸਕੀ ਕੋਇਲ ਇੱਕ ਪ੍ਰਿੰਟਡ ਸਰਕਿਟ ਬੋਰਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਬਣਾਈ ਗਈ ਹੈ। ਇਸ ਦੀ ਸੈਂਸਿਟਿਵਿਟੀ, ਮਾਪਣ ਦੀ ਸਹੀਤਾ, ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਸਥਿਰਤਾ, ਪ੍ਰੋਡਕਟ ਇੰਟਰਚੈਂਜੇਬਿਲਿਟੀ, ਅਤੇ ਪ੍ਰੋਡਕਸ਼ਨ ਦੀ ਕਾਰਵਾਈ ਸਭ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਵਿਚ ਟ੍ਰੈਡੀਸ਼ਨਲ ਰੂਪ ਵਿਚ ਲਾਈਏ ਗਏ ਕੋਇਲਾਂ ਤੋਂ ਬਿਹਤਰ ਹੈ।
ਅਕਸਰੀ ਮੈਗਨੈਟਿਕ ਫੀਲਡ ਦੀ ਵਿਹੜਣ ਅਤੇ ਮਾਪਣ ਦੀ ਸਹੀਤਾ ਵਧਾਉਣ ਲਈ, ਪ੍ਰਿੰਟਡ ਸਰਕਿਟ ਬੋਰਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਬਣਾਈ ਗਈ ਰੋਗੋਵਸਕੀ ਕੋਇਲ ਸਾਹਮਣੇ ਇੱਕ ਡੀਫ੍ਰੈਂਸ਼ੀਅਲ ਇਨਪੁੱਟ ਦੇ ਸਹਾਰੇ ਲਗਾਈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਦੋ ਪੀਸੀਬੀ ਕੋਇਲਾਂ ਦੀ ਸਹਾਰੇ ਲਗਾਈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਨਾਂ ਦੀਆਂ ਵਿੰਡਿੰਗ ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ ਵੱਖਰੀਆਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ। ਇੱਕ ਦੀ ਵਿੰਡਿੰਗ ਦਾਹਿਣੇ ਹਾਥ ਦੇ ਨਿਯਮ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਦੀ ਵਾਂਹ ਦੇ ਨਿਯਮ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ, ਦੋ ਵਿੱਤ੍ਰ ਪੋਲਾਰਿਟੀ ਵਾਲੇ ਇੰਡੁਕਟਡ ਵੋਲਟੇਜ ਉਤਪਾਦਿਤ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਸਿਰੀਜ਼ ਕਨੈਕਸ਼ਨ ਦਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਇੱਕ ਹੀ ਰੋਗੋਵਸਕੀ ਕੋਇਲ ਦੇ ਵੱਲੋਂ ਦੁਗਣਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਚਿੱਤਰ 4 ਵਿਚ ਦਰਸਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।
1.2 ਕਰੰਟ ਮਾਪਣ ਦਾ ਸਿਧਾਂਤ (ਚਲਾਉਣ)
ਕੰਪੈਕ ਫਿਲਮ ਅਤੇ ਪੀਸੀਬੀ ਸਬਸਟ੍ਰੇਟ ਦੇ ਵਿੱਤ੍ਰ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਸਹਾਰੇ ਵਿੱਤ੍ਰ ਤਾਪਮਾਨ ਵਿਚ ਬਦਲਾਵ ਦੇ ਕਾਰਨ ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੀਆਂ ਵਿਵਰਤਾਓਂ ਵਿੱਚ ਵਿੱਤ੍ਰ ਹੋਣ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਵਿਵਰਤਾਓਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੋਣ ਵਾਲੀ ਗਲਤੀਆਂ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ ਅਤੇ ਕੰਪੈਕ ਫਿਲਮ ਦੀ ਟੋੜ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ, ਬਣਾਏ ਗਏ ਪੀਸੀਬੀ ਕੋਇਲਾਂ ਨੂੰ ਤਾਪਮਾਨ ਦੀ ਉਮੀਰ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ, ਇੱਕ ਸਾਹਾਰਾ, ਕੋਇਲਾਂ ਦੇ ਅੰਦਰੂਨੀ ਟੈਨਸ਼ਨ ਨੂੰ ਰਿਲੀਜ਼ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਕਿ ਗਲਤੀਆਂ ਨੂੰ ਘਟਾਇਆ ਜਾ ਸਕੇ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਹੋਰ ਸਾਹਾਰਾ, ਕੋਇਲਾਂ ਦੀ ਚੁਣਾਅ ਲਈ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਹਾਲਾਂਕਿ ਡੀਫ੍ਰੈਂਸ਼ੀਅਲ ਆਉਟਪੁੱਟ ਵਾਲੀ ਰੋਗੋਵਸਕੀ ਕੋਇਲਾਂ ਦੀ ਕੰਮਨ-ਮੋਡ ਸੁਪ੍ਰੈਸ਼ਨ ਸਹਿਤ ਕਾਮ ਕਰਨ ਦੀ ਕ੍ਸਮਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, 10 kV ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਦੀ ਵਿਹੜਣ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਂਤ ਹੋਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ, ਰੋਗੋਵਸਕੀ ਕੋਇਲਾਂ ਨੂੰ ਕੰਪੈਕ ਫੋਲ ਨਾਲ ਢਕਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਕੰਪੈਕ ਫੋਲ ਨੂੰ ਗਰਾਉਂਦੇ ਹਨ।
2 ਕੰਬਾਇਨਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਟਰਨਸਫਾਰਮਰਾਂ ਦਾ ਸਥਾਪਤੀ ਸਿਧਾਂਤ
2.1 ਕੰਬਾਇਨਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਟਰਨਸਫਾਰਮਰਾਂ ਦੀ ਸਥਾਪਤੀ ਬਲਾਕ ਡਾਇਅਗਰਾਮ
ਕੰਬਾਇਨਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਟਰਨਸਫਾਰਮਰ ਦੀ ਬਲਾਕ ਡਾਇਅਗਰਾਮ ਚਿੱਤਰ 5 ਵਿਚ ਦਰਸਾਈ ਗਈ