Ipaglabas ang Paliwanag ng Diode at ang mga Uri nito
Ano ang Diode?
Ang mga diode ay mga elektrikal na aparato na may dalawang terminal na gumagana bilang isang one-way switch, nagpapayag ng pagdaloy (transfer) ng kuryente sa iisang direksyon lamang. Ang mga diode na ito ay gawa mula sa materyales na semiconductor tulad ng
Silicon,
Germanium, at
Gallium arsenide.
Ang dalawang terminal ng diode ay tinatawag na Anode at Cathode. Ang paggana ng diode maaaring maipagkakategorya sa dalawang uri batay sa potential difference (potential energy) sa pagitan ng dalawang terminal na ito:
Kung ang anode ay may mas mataas na voltage kaysa sa cathode, ang diode ay inuuri bilang Forward Bias & kuryente ay maaaring lumiko.
Kung ang cathode ay may mas mataas na voltage kaysa sa anode, ang diode ay sinasabing nasa Reverse Bias, at hindi maaaring lumiko ang kuryente.
Iba't ibang uri ng diode ay nangangailangan ng iba't ibang voltages.
Ang forward voltage ng silicon diodes ay 0.7V, samantalang ang germanium diodes ay 0.3V.
Kapag nagtrabaho sa Silicon Diodes, ang cathode terminal ay karaniwang ipinapahiwatig ng black band o dark band sa isang dulo ng diode, habang ang anode terminal ay karaniwang ipinapakita sa kabilang terminal.
Ang rectification, o pag-convert ng AC to DC, ay isa sa pinakakaraniwang aplikasyon ng diodes.
Ang mga diode ay ginagamit sa reverse polarity protector & transient protector applications dahil pinapayagan nila ang kuryente na lumiko (pass through) sa iisang direksyon lamang at pinipigilan ang paglalakbay ng kuryente sa kabilang direksyon.
Simbolo ng Diode
Isinasalarawan ang simbolo ng diode sa ibaba. Sa ilalim ng forward biased condition, ang arrow-head ay nakapunta (nagsisilbing indikador) sa direksyon ng conventional current flow. Ibig sabihin, ang anode ay naka-link sa p side & ang cathode sa n side.
Isang simpleng PN junction diode sa pamamagitan ng pagdodope ng isang bloke ng silikon o germanium na may pentavalent (o) donor impurity sa isang seksyon at trivalent (o) acceptor impurity sa kabilang seksyon.
Maaari ring mabuo ang isang PN junction sa pamamagitan ng paglalakip ng p-type at n-type semiconductor gamit ang partikular na proseso ng paggawa. Ang anode ay ang terminal na nakakonekta sa p-type. Ang cathode naman ay ang terminal na nakakonekta sa n-type side.
Sa gitna ng bloke, nabubuo ang PN junction mula sa mga dopings na ito.
Pagsasagawa ng Prinsipyong Diode
Ang interaksiyon sa pagitan ng n-type at p-type semiconductors ang pundamental na proseso sa likod ng operasyon ng diode.
Ang n-type semiconductor ay binubuo ng marami (malaking) bilang ng malayang elektron at kaunti (maliit) bilang ng butas. Sa ibang salita, sa n-type semiconductor, malaki ang konsertrasyon ng malayang elektron habang mababa naman ang konsertrasyon ng butas.
Sa n-type semiconductor, tinatawag ang malayang elektron bilang majority charge carriers, samantalang ang mga butas naman ay tinatawag bilang minority charge carriers.
Ang p-type semiconductor ay may mataas na bilang ng butas sa relasyon sa dami ng malayang elektron na ito. Ang mga butas ay bumubuo ng malaking bahagi ng charge carriers sa p-type semiconductor, habang ang malayang elektron lamang ang maliit na bahagi ng ganitong uri ng charge carriers.
Karakteristik ng Diode
Forward biased diode
Reverse biased diode
Unbiased biased diode (Zero biased) diode
1). Forward biased diode
Mayroong maliit na pagbaba ng voltage sa diode kapag ito ay biased sa forward direction at may current na dumaan dito.
Ang forward voltage ng germanium diodes ay 300 mV, na mas mababa kumpara sa forward voltage ng silicon diodes na 690 mV.
Ang potential energy sa p-type material ay positibo, samantalang ang potential energy sa n-type material ay negatibo. Ang p-type materials ay may positibong potential energy.
2). Reverse Biased Diode
Kapag ang voltage ng battery ay ibinaba hanggang sa zero, sinasabi na ang diode ay may reverse bias. Ang reverse voltage para sa germanium diodes ay -50(μA) microamperes, habang ang reverse voltage para sa silicon diodes ay -20(μA) microamperes. Kapag tinitingnan ang p-type material, ang potential energy ay negatibo, ngunit kapag tinitingnan ang n-type material, ang potential energy ay positibo.
3). Un-biased Diode (Zero Biased Diode)
Sinabi na ang diode ay may zero-bias condition kapag ang voltage potential na sinusukat sa diode ay zero.
Applications of Diode
Proteksyon laban sa pagdadaloy ng current sa reverse direction gamit ang diodes
Mga diodes ay madalas ginagamit sa mga circuit na nag-clamp (clamping circuits).
Paggamit ng diodes sa logic gate circuitry
Ang mga diodes ay karaniwang komponente sa clipping circuits.
Rectification devices na binubuo ng diodes
Types of Diode
1). Backward Diode
2). BARITT Diode
3). Gunn Diode
4). Laser Diode
5). Light Emitting Diode
6). Photodiode
7). PIN Diode
8). Fast Recovery Diode
9). Step Recovery Diode
10). Tunnel Diode
11). P-N Junction Diode
12). Zener Diode
13). Schottky Diodes
14). Shockley Diodes
15). Varactor (or) Vari-cap Diode
16). Avalanche Diode
17). Constant-current Diode
18). Gold Doped Diodes
19). Super Barrier Diodes
20). Peltier Diode
21). Crystal Diode
22). Bakwitan na Diode
23). Maliit na Signal na Diode
24). Malaking Signal na Diode
1). Backward Diode
Ang uri ng diode na ito ay kilala rin bilang "back diode," at hindi ito kadalasang ginagamit. Ang backward (back) diode ay isang PN-junction diode, na gumagana tulad ng isang tunnel diode. Ang quantum tunnelling ay isang mahalagang bahagi ng paano ang pagtakbo ng kuryente, lalo na sa kabaligtarang direksyon. Sa pamamagitan ng larawan ng energy band, makikita mo nang eksakto kung paano gumagana ang diode.
Ang banda sa pinakatuktok na antas ay tinatawag na "conduction band," at ang banda sa pinakababa na antas ay tinatawag na "valency band." Kapag may dagdag na enerhiya sa mga elektron, may tendensyang makuha nila mas maraming enerhiya at ilipat ang kanilang sarili patungo sa conduction band. Kapag naglipat ang mga elektron mula sa valence band patungo sa conduction band, iiwanan nila ang mga butas sa valence band.
Sa zero-biasing state, ang valency band na napuno ay kabaligtaran sa conduction band na napuno. Sa reverse bias condition, naman, ang N-region ay lumilipat pataas habang ang P-region ay lumilipat pababa. Ngayon, ang banda na kompleto sa P-section ay iba sa banda na walang laman sa N-section. Kaya, nagsisimula ang mga elektron na maglipat mula sa punong banda sa P-section patungo sa walang laman na banda sa N-section sa pamamagitan ng tunnelling.
Kaya, ito ay nangangahulugan na ang pagtakbo ng kuryente ay nangyayari kahit na ang bias ay kabaligtaran. Sa forward bias condition, ang N-region ay lumilipat sa parehong direksyon ng P-region, na pataas. Ngayon, ang banda na puno sa N-section ay iba sa banda na walang laman sa P-section. Kaya, nagsisimula ang mga elektron na maglipat mula sa punong banda sa N-section patungo sa walang laman na banda sa P-section sa pamamagitan ng tunnelling.
Sa ganitong uri ng diode, ang rehiyon ng negatibong resistance ay nabuo, na ang pangunahing bahagi ng diode na nagpapagana nito.
2). BARITT Diode
Ang uri ng diode na ito ay kilala rin sa kanyang pahabang termino, na ang Barrier Injection Transit Time diode, o BARRITT diode. Ito ay angkop sa mga aplikasyon ng microwave at nagbibigay-daan para sa iba't ibang paghahambing sa IMPATT diode, na mas karaniwang ginagamit.
Ang paggamit ng thermal energy ay ang nagsisimula ng emission mula sa partikular na uri ng diode na ito. Kapag ihinahambing sa iba pang mga uri ng diode, ang ito ay lumilikha ng mas kaunti na ingay.
Ang mixers, amplifiers, o oscillators ay ilan sa mga posible na aplikasyon para dito dahil sa kanilang small-signal capacity. Maaari rin silang gamitin sa iba't ibang mga device.
3). Gunn Diode
Ang PN junction diode, na kilala rin bilang Gunn diode, ay isang uri ng diode na isang uri ng semiconductor device na binubuo ng dalawang terminal. Sa karamihan ng aplikasyon, ito ay ginagamit sa paggawa ng microwave signals.
Ang mga oscillator na gawa mula sa Gunn diode ay ginagamit kung saan man may pangangailangan para sa radio transmission.
Ginagamit din sila sa mga military organizations. Ang diode na ito ay isang mahalagang komponente ng lahat ng tachometer, kahit ang pinakabasic. Ang Gunn diode ay maaaring madaliin ang paglalapat ng door-opening sensor technology sa modernong monitoring systems, na isang pangangailangan sa modernong monitoring systems. Bukod pa rito, inirerekomenda ang diode na ito para sa paggamit sa mga circuit ng burglar (intruder) alarms circuit.
4). Laser Diode
Dahil gumagawa ito ng coherent light, ang laser diode ay hindi gumagana sa parehong paraan ng isang typical LED (light-emitting diode). Ang mga partikular na uri ng diode na ito ay malawakang ginagamit sa iba't ibang larangan, kabilang ang CD drives, DVD players, at laser pointers na ginagamit sa mga presentation. Bagama't ang mga diode na ito ay mas abot-kaya kaysa sa iba pang mga uri ng laser generators, ang kanilang halaga ay mas mataas kapag ihinahambing sa mga LED. May limitadong buhay din sila.
5). Light Emitting Diode
Ang pariralang light-emitting diode (o) LED ay tumutukoy sa isa sa pinaka-karaniwan at malawak na ginagamit na uri ng diode. Kung ang diode ay naka-link nang may forward bias, ang kasalukuyan ay lalampas sa junction, na magdudulot ng paglikha ng ilaw. Mayroong ilang bagong pag-unlad sa LED na nagpapahiwatig ng pagbabago sa OLEDs at LEDs.
Sa panahon ng forward bias working area, ito ang uri ng diode na nasa operasyon. May daloy ng kasalukuyan kapag nagsimula ang diode na magconduct sa lugar na ito. Ang terminong "forwarding current" ay tumutukoy sa ganitong uri ng kasalukuyan. Ang diode ang pinagmulan ng ilaw na nililikha sa buong operasyon na ito.
Ang mga LED ay may maraming iba't ibang kulay. Mas tiyak pa, isang blinking na maaaring gumana bilang on at off para sa isang nakatakdang haba ng oras. Maaari silang maging bicolor leads, kung saan dalawang kulay ang inilalabas, o maaari ring maging tricolour leads, kung saan tatlong kulay ang inilalabas, depende sa dami ng positibong voltage na natanggap.
Bukod dito, may mga LED na maaaring lumikha ng infrared light. Ang praktikal na aplikasyon nito ay makikita sa mga remote control.
6). Photodiode
Ang ilaw ay nalalaman ng photodiode sa teknikong ito. Natuklasan na ang interaksiyon ng ilaw sa PN junction maaaring magresulta sa paglikha ng electrons at holes. Sa karamihan ng mga kaso, ang mga photodiode ay gumagana sa setting ng reverse bias, na nagbibigay-daan para mabilis na matukoy at i-monitor ang kahit na kaunti na lang na light-induced current flow. Ang paglikha ng lakas ay isa pang posible na gamit para sa mga uri ng diode na ito.
Dahil maaari rin itong magconduct kapag nasa reverse bias, ang paggana ng photodiode ay napakapareho sa zen diode.
Ang halaga ng kasalukuyan at ang halaga ng intensity ng ilaw ay direktang proportional sa isa't isa. Mayroon din silang reaction times na sapat na mabilis, na sinusukat sa nanoseconds hindi milliseconds.
7). PIN Diode
Ang mga katangian ng diode na ito ay natukoy sa buong proseso ng pagpapaunlad nito. Ginagamit ang parehong p-type at n-type standards sa paggawa ng uri ng diode na ito. Ang junction na ipinapalit bilang resulta ng mga interaksiyon na ito ay kilala bilang intrinsic semiconductor dahil hindi ito maglalaman ng anumang doping concentration.
Ang mga aplikasyon tulad ng switching maaaring makapakinabang sa pagkakaroon ng access sa rehiyong ito.
8). Fast Recovery Diode
Ang diode ay magkakaroon ng mas mabilis na recovery time. Ginagamit ang AC bilang signal input sa buong proseso ng rectification. Ang mga level na ito ay may parehong positibong at negatibong aspeto. Para maipaglabas ang polarities mula sa positibo tungo sa negatibo (o) mula sa negatibo tungo sa positibo, ang recovery period ay dapat na mahigpit na maikli.
Kapag ang high-frequency applications ay isinasagawa, napakahalaga na magkaroon ng pinakamabilis na recovery times. Sa mga kondisyong tulad nito, inirerekomenda ang paggamit ng partikular na diode na ito. Bilang kondisyon nito, ang pagpapakita ay dapat na gawin nang tama habang pa rin itinatamo ang integrity ng signal.
9). Step Recovery Diode
Ito ay isa sa mga komponente ng microwave diode. Madalas ito ay nagdudulot ng paglikha ng mga pulse sa high-frequency range. Ang mga diode na ito ay depende (depende) sa uri ng diode na may katangian ng mabilis na pag-off (pag-off) dahil sa kanilang operasyon.
10). Tunnel Diode
Ang mga tunnel diode na ito ay kilala na nangangailangan ng mga switch habang gumagana sa ultra-high-speed range. Ang tagal ng pagbabago ay susukatin sa nanoseconds o picoseconds. Ito ay ginagamit sa mga relaxation oscillator circuits dahil sa ideya ng negative resistance na nauugnay dito.
11). P-N Junction Diode
Ito ang pundamental na diode na nabubuo kapag ang mga p-type at n-type na materyales ay nag-uugnayan. Ito ay nagpapakita ng ideya ng paborito sa isang pananaw kaysa sa iba. Dahil sa biassing na ito, maaari itong gumana sa iba't ibang paraan ng operasyon.
Kapag ang forwarding bias lamang ang inilapat, ang diode na ito ay magkukumpuni. Kapag ang bias ay nasa kabilang direksyon, walang malinaw na pagtumataas ng current. Ito ay nagpapakita na ang current ay nabalisa kapag ang bias ay nasa kabilang direksyon.
Ginagamit ito sa mga sitwasyon kung saan ang mga aplikasyon ay nangangailangan ng mababang current, tulad ng signal diodes, at kaya ito ay paborito. Ang mga rectifier ay isa sa pinakapundamental na gamit ng teknolohiyang ito.
12). Zener Diode
Ito ang uri ng diode na itinayo sa paraan na maaari itong gumana sa reverse-bias mode. Kapag ang forward bias ang inilapat, ang mga katangian ng operasyon ng diode ay magiging katulad ng mga tradisyonal na diode na may p-n junction bilang pundamental na komponente.
Kapag ang diode ay gumagana sa reverse bias mode, kapag ito ay umabot sa pinakamababang Zener voltage, ang halaga ng current ay tataas; ngunit ang voltage ay mananatili pa ring constant pagkatapos noon.
Bilang resulta, ito ay maaaring gamitin sa proseso ng pagkontrol ng voltaje dahil sa katotohanang ito. Kapag nagsimula itong magdala ng kasalukuyan sa ilalim ng forward bias, ipinakita ng diode ang kanyang natatanging kakayahan. Ang mga tagagawa ay nagpapasya nang eksakto kung ano ang mas zen na voltaje para sa partikular na uri ng diode na ito. Dahil dito, posible na gawing mas zen ang mga diode.
13). Schottky Diodes
Ang isang Schottky diode ay isang uri ng diode na kilala sa kanyang kakayahang gumawa ng switching operations sa mataas na bilis. Napakaliit na voltage loss ang nangyayari sa buong forward path, kaya ito ay itinuturing na positibong katangian.
Ang mga clamping circuits na sapat na mabilis ay isang magandang halimbawa kung saan maaaring gamitin ang ganitong uri ng diode, dahil malinaw ang kanyang mga gamit doon. Ang frequency sa gigahertz range ay normal para sa operasyon ng mga diode ng ganitong uri. Sa ibang salita, may potensyal itong maging mas desirableng gamitin sa high-frequency applications.
14). Shockley Diodes
Ang mga switching applications ay gumagamit ng mga diode na ito, na isang ibang uri ng diode mula sa mga nabanggit sa itaas. Ito ay mayroong ilang fundamental voltage, na kilala rin bilang trigger voltage, na naroroon.
Hindi ito maaaring switch dahil mananatiling nasa high resistance mode kung ang voltage na ibinibigay sa kanya ay mas mababa sa basic trigger value. Ang low resistance route ay mabubuo agad kapag ang voltage na ibinibigay ay mas mataas sa basic trigger value. Ang mga Shockley diodes ay gumagampan ng kanilang mga tungkulin sa paraang ito.
15). Varactor (or) Varicap Diode
Ito ay isa pang natatanging kategorya ng diode, na nangyayari kapag inilapat ang reverse voltage sa junction ng device. Ito ay nagdudulot ng pagbabago sa capacitance ng junction. Dahil ito ay isang variable capacitance diode, maaaring gamitin ang katawagan "varicap" upang tumukoy dito.
16). Avalanche Diode
Ang avalanche diode ay isang uri ng reverse bias diode na nagmumula ang operasyon nito mula sa avalanche phenomena. Ang pagkabigo ng avalanche ay nangyayari kapag ang voltage drop ay nananatiling pantay at hindi apektado ng current. Dahil sa mataas na antas ng sensitibidad na pinagkakalooban nila, ginagamit sila para sa photo-detection.
17). Constant-current Diode
Ito ay isang elektrikal na aparato na naghihigpit ng current sa maximum value na ibinigay. Ito rin ay maaaring tawaging current limiting diode (CLD) (o) current regulating diode (CRD) (CRD).
Ang mga diode na ito ay gawa sa (n-channel)-JFET. Ang gate ay konektado sa source at gumagamit bilang dalawang terminal na current limiter (o) current source. Pinahihintulutan nila ang current na lumipas sa kanila hanggang sa tiyak na halaga bago huminto at magpatuloy (magdevelop) pa.
18). Gold Doped Diodes
Ang gold ay ginagamit bilang dopant sa mga diode na ito. Ang ilang diode ay mas makapangyarihan kaysa sa iba. Mas mababa rin ang leakage current sa reverse bias sa mga diode na ito. Kahit may mas malaking voltage drops, maaari pa ring gumana ang diode sa signal frequencies. Ang gold ay tumutulong sa mabilis na recombination ng minority carriers sa mga diode na ito.
19). Super Barrier Diodes
Ito ay isang rectifier diode na may mababang forward voltage drop tulad ng Schottky diode at mababang (reverse) leakage current tulad ng P – N junction diode. Ito ay nilikha para sa high-power, high-speed switching, at low-loss applications. Ang super barrier rectifier diodes ay ang susunod na uri ng rectifiers na may mas mababang forward voltage kaysa sa Schottky diode.
20). Peltier Diode
Naglilikha ito ng init sa dalawang junction ng materyales ng semiconductor sa uri ng diode na ito, na lumilipad mula sa isa sa mga terminal patungo sa iba pang terminal. Ang paglipad na ito ay may iisang direksyon lamang, na kapareho ng direksyon ng paglipad ng kuryente.
Ang init na ito ay nagreresulta mula sa elektrikong kargang nilikha ng recombination ng minority charge carriers. Ito ay kadalasang ginagamit para sa pagpapalamig at pag-init. Ang uri ng diode na ito ay gumagampan bilang isang sensor at heat engine sa thermoelectric cooling.
21). Crystal Diode
Ito ay isang anyo ng point contact diode na kilala rin bilang Cat’s whisker. Ang paggana nito ay nakadepende sa presyur ng kontak sa pagitan ng semiconductor crystal at ang punto.
May metal wire na nasa loob nito, at ito ay pinipilit na sumalubong sa semiconductor crystal. Sa kondisyong ito, ang semiconductor crystal ay nagsisilbing cathode habang ang metal wire ay nagsisilbing anode. Sa kalikasan, ang mga diode na ito ay lumang gamit. Kadalasang ginagamit sa microwave receivers & detectors.
22). Vacuum Diodes
Ang vacuum diodes ay binubuo ng dalawang electrode na nagsisilbing anode at cathode. Ang tungsten ang ginagamit para gawin ang cathode, na nagpapalabas ng mga electron sa direksyon ng anode. Ang paglipad ng mga electron ay laging mula sa cathode patungo sa anode. Bilang resulta, ito ay gumagana tulad ng switch.
Kapag ang cathode ay nakabalot ng oxide material, ang kakayahan ng pagpapalabas ng mga electron ay tumataas. Ang mga anode ay mas mahaba sa haba, at ang kanilang mga ibabaw ay kadalasang inihaharurot upang bawasan ang temperatura na nangyayari sa diode. Ang diode ay magkukumpiyansa lamang kung ang anode ay positibo (+) sa kaugnayan sa cathode terminal.
23). Small Signal Diode
Ito ay isang maliliit na aparato na may hindi proporsyonado na mga tampok, na pangunahing ginagamit sa mataas na frequency at mababang current na application fields tulad ng radios & TVs.
Ang mga signal diodes ay mas maliit kaysa sa mga power diodes. Ang isang gilid nito ay may marka na itim (o) pula upang ipahayag ang cathode terminal. Ang pagganap ng maliliit na signal diode ay partikular na epektibo para sa mga aplikasyon sa mataas na frequency.
Sa paghahambing sa kanilang kakayahang iba pang kategorya, ang mga signal diodes ay tipikal na may modest current carrying capability at mababang power dissipation. Karaniwan silang nasa range ng 150mA & 500mW.
Ito ay ginagamit sa
Mga aplikasyon ng diode,
Mabilis na switching,
Parametric amplifiers & marami pang ibang aplikasyon.
24). Large Signal Diode
Ang PN junction layer sa mga diodes na ito ay medyo makapal. Bilang resulta, kadalasang ginagamit sila sa rectification, o sa pag-convert ng AC to DC. Ang malaking PN Junction ay nagpapataas ng forward current carrying capability at reverse blocking voltage ng diode. Ang large signal diodes ay hindi angkop para sa mga high-frequency applications.
Ang mga diodes na ito ay pangunahing applicable sa mga power supplies tulad ng
Rectifiers,
Converter,
Inverters,
Battery charging devices, etc.
Ang forward resistance ng mga diodes na ito ay ilang Ohms, habang ang reverse blocking resistance ay inimeasure sa Mega Ohms.
Dahil sa kanyang mataas na current & voltage capability, maaari itong gamitin sa mga electrical devices na suppres ang malaking peak voltages.
Bilang resulta, ang maraming uri ng diodes at ang kanilang mga gamit ay napag-usapan sa post na ito. Bawat diode ay may sariling one-of-a-kind method of representation, kasama ang sariling unique method of operation.
Mga Madalas Itanong
1). Nagco-convert ba ang diode ng alternating current (AC) to direct current (DC)?
Ang diode na nagpapahintulot sa pag-flaw (daanan) ng kuryente sa isang direksyon. Kapag ginamit sa alternating current, ang mga diode ay kumokondukt lamang sa kalahati ng cycle. Bilang resulta, ginagamit sila sa konwersyon ng alternating current sa direct current. Bilang resulta, ang mga diode ay direct current (DC).
2). Ano ang Ideal Diodes?
Ang mga diode na ginagamit upang regulan ang direksyon ng pag-flaw ng kuryente ay kilala bilang ideal diodes. Sa may isang ideal diode, ang kuryente ay maaari lamang tumakbo sa isang direksyon, na kilala bilang forward direction, at hindi ito maaaring tumakbo sa reverse directions.
Ang mga ideal diodes ay tila isang open circuit kapag sila ay reverse biassed, at ang voltage sa paligid nito ay negatibo sa kondisyong ito.
3). Ano ang pagkakaiba sa pagitan ng forward & reverse bias?
Nangyayari ang forward biassing sa isang conventional diode kapag ang voltage sa paligid ng diode ay nagpapahintulot sa normal na pag-flaw ng kuryente, habang ang reverse biassing ay nagpapahiwatig ng isang voltage sa paligid ng diode sa kabaligtarang direksyon. Gayunpaman, ang voltage na inilapat sa paligid ng diode sa panahon ng reverse biassing ay hindi nagresulta sa anumang mahalagang pag-flaw ng kuryente.
Pahayag: Igalang ang orihinal, mabubuti na artikulo na karapat-dapat ibahagi, kung may paglabag sa copyright paki-delete.
