ডিসি এবং এসি সার্কিটে প্রধান বৈদ্যুতিক প্যারামিটারগুলি ব্যবহার করে ভোল্টেজ গণনা করুন।
"দুটি বিন্দুর মধ্যে তড়িচ্চাপের পার্থক্য।"
সরাসরি ধারা (DC): ধারা ধ্রুব হয়ে থাকে ইতিবাচক থেকে নেতিবাচক পোলের দিকে। ব্যাটারি, সৌর প্যানেল এবং ইলেকট্রনিক্সে ব্যবহৃত হয়।
পরিবর্তী ধারা (AC): ধারা সময়ের সাথে সাথে দিক এবং আয়তন উল্টায় একটি ধ্রুব ফ্রিকোয়েন্সিতে (উদাহরণস্বরূপ, 50 Hz বা 60 Hz)। শক্তি গ্রিড এবং গৃহস্থালীতে ব্যবহৃত হয়।
সিস্টেমের প্রকার:
একফেজ: একটি ফেজ পরিবাহী এবং একটি নিরপেক্ষ।
দুইফেজ: দুইটি ফেজ পরিবাহী (অপ্রচলিত)।
তিনফেজ: তিনটি ফেজ পরিবাহী; চার-তার নিরপেক্ষ অন্তর্ভুক্ত করে।
একটি পদার্থ দিয়ে তড়িচ্চার প্রবাহ, যা আম্পিয়ার (A) এ মাপা হয়।
এসি সার্কিটে, ধারার ভোল্টেজের সাপেক্ষে একটি পর্যায় স্থানান্তর থাকতে পারে।
ভারে প্রকৃতপক্ষে খরচ করা হয়, যা ওয়াট (W) এ মাপা হয়।
সূত্র: P = V × I × cosφ
উদাহরণ: একটি হিটার সক্রিয় শক্তিকে তাপে রূপান্তরিত করে।
শক্তি যা প্রতিক্রিয়াশীলতায় পর্যায়ক্রমে প্রবাহিত হয় কিন্তু অন্য কোনও শক্তির রূপে রূপান্তরিত হয় না, যা VAR এ মাপা হয়।
সূত্র: Q = V × I × sinφ
সার্কিটে প্রবাহিত মোট শক্তি, সক্রিয় এবং প্রতিক্রিয়াশীল উপাদানগুলি সমন্বিত, যা VA এ মাপা হয়।
সূত্র: S = V × I
সম্পর্ক: S² = P² + Q²
সক্রিয় শক্তি এবং প্রকাশ্য শক্তির অনুপাত: PF = cosφ, যেখানে φ হল ভোল্টেজ এবং ধারার মধ্যে পর্যায় কোণ।
একটি বস্তু যা তড়িচ্চার প্রবাহের বিরোধিতা করে, যা ওহম (Ω) এ মাপা হয়।
ডিসি সার্কিট এবং এসি প্রতিরোধ ভারে প্রযোজ্য।
ওহমের সূত্র: V = I × R
একটি সার্কিটের পরিবর্তী ধারার বিরোধিতা, যা ওহম (Ω) এ মাপা হয়।
প্রতিরোধ এবং প্রতিক্রিয়াশীলতা অন্তর্ভুক্ত: Z = √(R² + X²)
এসি সার্কিটে: V = I × Z
V = I × R
V = P / I
V = √(P × R)
V = I × Z
শক্তি সরবরাহ এবং কনভার্টার ডিজাইন
তারে ভোল্টেজ পতনের ট্রাবলশুটিং
ট্রান্সফরমার রেটিং গণনা
শিল্প প্ল্যান্টে শক্তি ফ্যাক্টর উন্নয়ন
বৈদ্যুতিক সিস্টেমের দক্ষতা বিশ্লেষণ
পদার্থবিজ্ঞান এবং প্রকৌশল ছাত্রদের জন্য শিক্ষামূলক সরঞ্জাম