Transistor Özellikleri Nedir?
Transistor özellikleri, çeşitli transistor yapılandırmalarında akım ve voltaj arasındaki ilişkileri tanımlar. Bu yapılandırmalar, iki port ağlarına benzer şekilde, aşağıdaki kategorilere ayrılan karakteristik eğriler aracılığıyla analiz edilir:
Giriş Özellikleri: Bu, çıkış voltajını sabit tutarak giriş voltajındaki değer değişikliklerine bağlı olarak giriş akımındaki değişimleri tanımlar.
Çıkış Özellikleri: Bu, giriş akımının sabit olduğu durumda çıkış akımı ile çıkış voltajı arasındaki ilişkiyi gösteren bir grafiktir.
Akım Aktarım Özellikleri: Bu özellik eğrisi, çıkış voltajını sabit tutarken giriş akımına bağlı olarak çıkış akımındaki değişimleri gösterir.
Transistörün Ortak Baz (CB) Yapılandırması
CB yapılandırmasında, transistörün baz terminali, Şekil 1'de gösterildiği gibi, giriş ve çıkış terminali arasında ortaktır. Bu yapılandırma, düşük giriş direnç, yüksek çıkış direnç, yüksek direnç kazancı ve yüksek voltaj kazancı sunar.
Transistörün CB Yapılandırması için Giriş Özellikleri
CB Yapılandırması için Giriş Özellikleri: Şekil 2, Toplambaz-Kolektör voltajı, VCB'yi sabit tutarken, Emitter-Baz voltajı, VBE'nin değişmesiyle emitter akımı, IE'nin nasıl değiştiğini gösterir.
Bu, giriş direnci için ifadeye yol açar
Transistörün CB Yapılandırması için Çıkış Özellikleri
CB Yapılandırması için Çıkış Özellikleri: Şekil 3, emiter akımı, IE'yi sabit tutarken, kolektör akımı, IC'nin VCB'ye göre nasıl değiştiğini gösterir. Bu grafik, çıkış direncini hesaplamamızı da sağlar.
Transistörün CB Yapılandırması için Akım Aktarım Özellikleri
CB Yapılandırması için Akım Aktarım Özellikleri: Şekil 4, VCB'yi sabit tutarken, emiter akımı, IE'ye göre kolektör akımı, IC'nin nasıl değiştiğini gösterir. Bu, 1'den küçük bir akım kazancına yol açar, aşağıdaki matematiksel ifade ile verilir.
Transistörün Ortak Kolektör (CC) Yapılandırması
Bu transistör yapılandırmasında, transistörün kolektör terminali, giriş ve çıkış terminali arasında ortaktır (Şekil 5) ve ayrıca emiter takipçi yapılandırması olarak da adlandırılır. Bu, yüksek giriş direnç, düşük çıkış direnç, 1'den küçük voltaj kazancı ve büyük bir akım kazancı sunar.
Transistörün CC Yapılandırması için Giriş Özellikleri
CC Yapılandırması için Giriş Özellikleri: Şekil 6, Toplambaz-Kolektör voltajı, VCB'ye göre, Toplambaz-Emitter voltajı, VCE'yi sabit tutarken baz akımı, IB'nin nasıl değiştiğini gösterir.
Transistörün CC Yapılandırması için Çıkış Özellikleri
Aşağıdaki Şekil 7, IB'nin sabit olduğu durumda VCE'ye göre IE'nin nasıl değiştiğini gösterir.
Transistörün CC Yapılandırması için Akım Aktarım Özellikleri
Bu özellik, Şekil 8'de gösterildiği gibi, VCE'yi sabit tutarken IB'ye göre IE'nin nasıl değiştiğini gösterir.
Transistörün Ortak Emitter (CE) Yapılandırması
Bu yapılandırmada, emitter terminali, Şekil 9'da gösterildiği gibi, giriş ve çıkış terminali arasında ortaktır. Bu yapılandırma, orta düzeyde giriş direnç, orta düzeyde çıkış direnç, orta düzeyde akım kazancı ve voltaj kazancı sunar.
Transistörün CE Yapılandırması için Giriş Özellikleri
Şekil 10, VCE'yi sabit tutarken VBE'ye göre IB'nin nasıl değiştiğini gösterir.
Yukarıda gösterilen Şekil 10'dan, transistörün giriş direnci şu şekilde elde edilebilir:
Transistörün CE Yapılandırması için Çıkış Özellikleri
CE yapılandırmasının çıkış özellikleri (Şekil 11), aynı zamanda kolektör özellikleri olarak da adlandırılır. Bu grafik, IB'yi sabit tutarken VCE'ye göre IC'nin nasıl değiştiğini gösterir. Grafikten, çıkış direnci şu şekilde elde edilebilir:
Transistörün CE Yapılandırması için Akım Aktarım Özellikleri
Bu özellik, VCE'yi sabit tutarken IB'ye göre IC'nin nasıl değiştiğini gösterir. Bu, aşağıdaki matematiksel ifade ile verilir:
Bu oran, ortak-emitter akım kazancı olarak adlandırılır ve her zaman 1'den büyüktür.
Son olarak, açıklanan karakteristik eğriler BJT'ler için olmasına rağmen, FET'ler için de benzer bir analiz geçerlidir.
Giriş
