Transistör Tanımı
Transistör, elektronik sinyalleri ve elektrik enerjisini amplifikasyon veya anahtarlama amacıyla kullanılan bir yarı iletken cihazdır.
Diffüzyon Tekniği
Bu yöntem, neredeyse düz bir wafer üzerinde planar transistörler oluşturur. N-tipi bir wafer, P-tipi gaz kirlilikleri ile fırında ısıtılır ve bu, wafer üzerinde P-tipi bölge (taban) oluşmasına neden olur. Yuvalı bir maske kullanılır ve wafer, N-tipi kirliliklerle tekrar ısıtılır. Bu, P-tipi tabaka üzerine N-tipi bölge (emiter) oluşturur.
Son olarak, tüm yüzeye ince bir silikon dioksit tabakası geliştirilir ve foto damgalanarak, taban ve emiter bağlantıları için alüminyum kontaklar oluşturulur.
Nokta İletişim Tekniği
Bu teknik, metalle tabana yapıştırılmış bir N-tipi yarı iletken wafer kullanır. Tungsten yay (Kedi bıyığı tel) üzerine bastırılır ve tüm kurulum cam veya seramik içinde güçlendirilir. Kısa süreli büyük bir akım geçirilerek, temas noktasında PN bağlantısı oluşturulur. Düşük kapasitansları nedeniyle bu transistörler, yüksek frekanslar için kullanışlıdır.
Füzyon veya Alay Tekniği
Bu yöntemde, N-tipi waferin karşı tarafına indiyum veya alüminyum (kabul edici) iki küçük nokta yerleştirilir. Sonra tüm sistem, wafer malzemesinin erime noktasından daha düşük ve kabul edicinin erime noktasından daha yüksek olan bir sıcaklıkta ısıtılır.
Indiyum'un küçük bir kısmı çözünür ve wafer içine girer ve böylece waferin iki tarafında P-tipi malzeme oluşturulur. Sistem soğutulduğunda (Şekil 4) PNP transistörü oluşturulur.
Oranlanan veya Büyüme Tekniği
Bu yöntem, Czochralski tekniğini kullanarak P-tipi kirlilikleri ile Ge veya Si erimesinden tek kristal çeker. Yarı iletken tohum, grafit külçesindeki erimiş yarı iletkenin içine batırılır. Tohumu tutan çubuk yavaşça döndürüldüğünde ve çekildiğinde, önce P-tipi kirlilikler, sonra N-tipi kirlilikler eklenerek PN bağlantısı büyütülür.
Epitaksial Teknik
Bu yöntem, Yunanca "üzerinde" ve "düzen" anlamlı kelimelerden ismini alır. İnce bir N-tipi yarı iletken veya P-tipi yarı iletken tabaka, aynı yarı iletkenin ağır doygunluğa sahip substratı üzerinde büyütülür. Oluşturulan tabaka, taban, emiter veya toplayıcı olabilir ve oluşturulan bağlantı düşük dirençlidir.
Giriş
