คู่มือผู้เชี่ยวชาญฟรีเกี่ยวกับระบบพลังงาน การออกแบบวงจร และการแก้ไขปัญหาไฟฟ้า

เลเซอร์ไดโอดคืออะไร?คำนิยามของเลเซอร์ไดโอดเลเซอร์ไดโอดถูกกำหนดให้เป็นไดโอดที่สามารถสร้างแสงเลเซอร์เมื่อได้รับการป้อนกระแสไฟฟ้า ประกอบด้วย p-n junction พร้อมกับชั้นภายในที่เป็นกลาง (intrinsic layer) อยู่ระหว่างกลาง ทำให้เกิดโครงสร้าง p-i-n ชั้นภายในที่เป็นกลางเป็นพื้นที่ที่มีการสร้างแสงจากการรวมตัวของอิเล็กตรอนและหลุมพื้นที่ p-type และ n-type ถูกทำให้มีความหนาแน่นสูงของสารเจือปนเพื่อสร้างพาหะส่วนเกิน ในขณะที่ชั้นภายในที่เป็นกลางไม่ได้ถูกเจือปนหรือเจือปนเบาๆ เพื่อให้สามารถขยายแสงได้ ปลายของชั้นภาย

Photodiode คืออะไร?คำนิยามของ PhotodiodePhotodiode คือไดโอดที่มีจุดเชื่อมต่อ PN ซึ่งสร้างกระแสไฟฟ้าเมื่อถูกแสงส่อง โดยจุดเชื่อมต่อนี้เกิดจากการรวมกันของวัสดุกึ่งตัวนำชนิด P และ N วัสดุชนิด P มีประจุบวกเพิ่มเติม (หลุม) ในขณะที่วัสดุชนิด N มีประจุลบเพิ่มเติม (อิเล็กตรอน) เมื่อวัสดุทั้งสองชนิดมาพบกัน อิเล็กตรอนจากพื้นที่ N จะย้ายไปยังพื้นที่ P แล้วรวมตัวกับหลุม ทำให้เกิดพื้นที่การสลายตัว ซึ่งเป็นกำแพงป้องกันการแพร่กระจายของประจุต่อไปPhotodiode มีสองขั้ว คือ anode และ cathode ที่เชื่อมต่อกับพื้นที่

วงจรเตือนภัยป้องกันการโจรกรรม

ซิลิกอนพื้นฐานและซิลิกอนที่ไม่ใช่พื้นฐานคืออะไร?ซิลิกอนพื้นฐานซิลิกอนเป็นธาตุกึ่งตัวนำที่สำคัญ ซิลิกอนเป็นวัสดุกลุ่ม IV ในวงโคจรด้านนอกของมันมีอิเล็กตรอนวาเลนซ์สี่ตัวที่ถูกยึดด้วยพันธะโคเวเลนต์กับอิเล็กตรอนวาเลนซ์ของอะตอมซิลิกอนที่อยู่ใกล้เคียง สี่อิเล็กตรอนวาเลนซ์เหล่านี้ไม่สามารถใช้งานได้สำหรับกระแสไฟฟ้า ดังนั้น ที่ OoK ซิลิกอนพื้นฐานจะทำหน้าที่เหมือนฉนวน เมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้น อิเล็กตรอนวาเลนซ์บางตัวจะแตกพันธะโคเวเลนต์เนื่องจากพลังงานความร้อน ทำให้เกิดช่องว่างที่เรียกว่าหลุม ที่อิเล็กตรอนเคยอ

51 Microcontroller ultrasonic ranging with voice broadcast

พลังงานแบนด์ของซิลิกอนคืออะไร?คำจำกัดความของซิลิกอนซิลิกอนถูกกำหนดให้เป็นสารกึ่งตัวนำที่มีคุณสมบัติอยู่ระหว่างตัวนำและฉนวนไฟฟ้า ซึ่งสำคัญสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ซิลิกอนถูกกำหนดให้เป็นสารกึ่งตัวนำที่มีอิเล็กตรอนเสรีน้อยกว่าตัวนำแต่มากกว่าฉนวนไฟฟ้า คุณสมบัติพิเศษนี้ทำให้ซิลิกอนได้รับการใช้งานอย่างกว้างขวางในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ซิลิกอนมีสองประเภทของพลังงานแบนด์: แบนด์การนำและแบนด์วาเลนซ์ แบนด์วาเลนซ์เกิดจากระดับพลังงานที่มีอิเล็กตรอนวาเลนซ์ เมื่ออุณหภูมิเท่ากับ 0oK แบนด์วาเลนซ์จะเต็มไปด้วยอิเล

PN Junction คืออะไร?คำนิยามของ PN JunctionPN junction ถูกกำหนดเป็นอินเทอร์เฟซระหว่างวัสดุกึ่งตัวนำประเภท p และ n ในผลึกเดียวสร้าง PN Junctionตอนนี้เรามาดูว่า pn junction ถูกสร้างขึ้นอย่างไร มีหลุมมากมายในกึ่งตัวนำประเภท p และมีอิเล็กตรอนเสรีจำนวนมากในกึ่งตัวนำประเภท nในกึ่งตัวนำประเภท p มีอะตอมของสิ่งเจือปนที่มีวาเลนซ์สามหลายตัว และในทางทฤษฎีแล้ว แต่ละหลุมในกึ่งตัวนำประเภท p จะเชื่อมโยงกับอะตอมของสิ่งเจือปนที่มีวาเลนซ์สามหนึ่งตัวเราใช้คำว่า 'ในทางทฤษฎี' เพราะเราละเว้นการสร้างอิเล็กตรอนและหลุมโดย

อะไรคือสารกึ่งตัวนำชนิด Nคำนิยามของสารกึ่งตัวนำชนิด Nสารกึ่งตัวนำชนิด N ถูกกำหนดให้เป็นประเภทของสารกึ่งตัวนำที่ได้รับการปนเปื้อนด้วยสิ่งเจือปนที่มีวาเลนซ์ห้า เพื่อเพิ่มความนำไฟฟ้าโดยการเพิ่มอิเล็กตรอนเสรีก่อนที่จะเข้าใจว่าสารกึ่งตัวนำชนิด N คืออะไร เราควรศึกษาเกี่ยวกับวิทยาศาสตร์อะตอมพื้นฐาน อะตอมมีเป้าหมายในการมีอิเล็กตรอนแปดตัวในวงโคจรนอกสุด ซึ่งเรียกว่าอิเล็กตรอนวาเลนซ์ ไม่ใช่ทุกอะตอมที่สามารถทำได้ แต่ทั้งหมดพยายามที่จะเข้าสู่โครงสร้างที่มั่นคงนี้อิเล็กตรอนที่อยู่ในวงโคจรนอกสุดของอะตอมเรียกว่

อะไรคือสารกึ่งตัวนำอินทรินซิก?คำนิยามของสารกึ่งตัวนำอินทรินซิกสารกึ่งตัวนำเป็นวัสดุที่มีความนำไฟฟ้าอยู่ระหว่างตัวนำและฉนวน สารกึ่งตัวนำที่บริสุทธิ์ทางเคมี หมายถึงไม่มี примесь, называются Intrinsic Semiconductors หรือ Undoped Semiconductor หรือ i-type Semiconductor สารกึ่งตัวนำอินทรินซิกที่พบบ่อยที่สุดคือ ซิลิคอน (Si) และเจอร์เมเนียม (Ge) ซึ่งอยู่ในกลุ่ม IV ของตารางธาตุ หมายเลขอะตอมของ Si และ Ge คือ 14 และ 32 ตามลำดับ ซึ่งทำให้โครงสร้างอิเล็กตรอนของพวกมันเป็น 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 และ 1s2 2s2 2p6

นิยามไดโอด PN จังชันไดโอด PN จังชันถูกกำหนดให้เป็นอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่อนุญาตให้กระแสไฟฟ้าไหลในทิศทางเดียวเมื่อมีการขับเคลื่อนแบบส่งกำลัง (forward bias) และป้องกันไม่ให้กระแสไฟฟ้าไหลเมื่อมีการขับเคลื่อนแบบย้อนกลับ (reverse bias)การขับเคลื่อนแบบส่งกำลัง (Forward Bias)ในการขับเคลื่อนแบบส่งกำลัง ภูมิภาค p-type จะเชื่อมต่อกับขั้วบวก และภูมิภาค n-type จะเชื่อมต่อกับขั้วลบ ทำให้ชั้นการขาดแคลนลดลงและอนุญาตให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านการขับเคลื่อนแบบย้อนกลับ (Reverse Bias)ในการขับเคลื่อนแบบย้อนกลับ ภูมิภาค p-type