AIS VT/PT ডুয়াল-এনহান্সড প্রিসিশন এবং ইনসুলেশন সমাধান

মূল লক্ষ্য: সুনির্দিষ্টতা উন্নয়ন এবং পরিবারকরণের শক্তিশালীকরণ
প্রযোজ্য পরিস্থিতি: উপকূলীয় বিদ্যুৎ কেন্দ্র, রাসায়নিক কারখানা, উচ্চ আর্দ্রতা/উচ্চ দূষণ বিষম পরিবেশ

আই. প্রযুক্তিগত সমস্যা বিশ্লেষণ
ট্রাডিশনাল AIS-VT জটিল পরিবেশে দুটি মূল সমস্যার সম্মুখীন হয়:

সুনির্দিষ্টতা পরিবর্তন:

আর্দ্রতা পরিবর্তন এবং দূষণ সঞ্চয়ের কারণে পরিবাহী ধ্রুবক পরিবর্তন, যা দ্বিতীয় পাশের আউটপুট ত্রুটি সীমার অতিক্রম করে (>Class 0.5)।

পরিবারকরণ ব্যর্থতা ঝুঁকি:

নুনের ধোঁয়া/রাসায়নিক দূষণ কারণে পৃষ্ঠতল ফ্ল্যাশওভার, যা ভেঙ্গে যাওয়ার ভোল্টেজ কমিয়ে >30%।

আইআই. অনুবাদনীয় প্রযুক্তিগত সমাধান

পরিবারকরণ সিস্টেম উন্নতি: ন্যানো-কম্পোজিট সিলিকন রাবার বুশিং

মেটেরিয়াল প্রোপার্টি:

হাইড্রোফোবিসিটি জীবনকাল ≥25 বছর (IEC 62073 ত্বরিত বয়স্কতা যাচাইকৃত), আর্দ্রতা প্রবেশ রোধ করে।
দূষণ ফ্ল্যাশওভার টলারেন্স ভোল্টেজ ↑40% (≥145 kV/m নুনের ধোঁয়া পরীক্ষায়)।

স্ট্রাকচারাল অপটিমাইজেশন:

কোণাকৃতি শেড ডিজাইন + বহু-স্তরীয় ক্রিপেজ এক্সটেনশন, স্ব-পরিষ্কার দক্ষতা 50% উন্নত করে।

ডাইনামিক সুনির্দিষ্টতা কম্পেনসেশন সিস্টেম

তাপমাত্রা/আর্দ্রতা সেন্সর: বাস্তব-সময় পরিবেশ পর্যবেক্ষণের জন্য এম্বেডেড উচ্চ-সুনির্দিষ্টতা সেন্সর (±0.5% RH/±0.1℃)।
AI কম্পেনসেশন অ্যালগরিদম: সমস্ত পরিচালনা শর্তে IEC 60044-2024 Class 0.1 স্থিতিশীল 0.1-শ্রেণীর সুনির্দিষ্টতা বজায় রাখে।

অ্যান্টি-ফেরোরেজোন্যান্স ম্যাগনেটিক সার্কিট ডিজাইন

RFC ড্যাম্পিং সার্কিট: সমান্তরাল অ-রৈখিক রেসিস্টর (10kΩ~1MΩ অ্যাডাপ্টিভ অ্যাডজাস্টমেন্ট) রেজোন্যান্ট ওভারভোল্টেজ দমন করে।
জিরো-সিকোয়েন্স ফ্লাক্স বাতিল: সমমিত ডুয়াল-ম্যাগনেটিক সার্কিট স্ট্রাকচার হারমোনিক বিকৃতি <0.2% কমিয়ে দেয়।

আইআইআই. পারফরম্যান্স যাচাই (IEC স্ট্যান্ডার্ড টেস্ট)

টেস্ট আইটেম	ট্রাডিশনাল সমাধান	এই সমাধান	উন্নতি
পাওয়ার ফ্রিকোয়েন্সি টলারেন্স	95 kV (শুকনো)/70 kV (গাঢ়)	130 kV (শুকনো)/115 kV (গাঢ়)	+37%
দূষণ ফ্ল্যাশওভার (E5 শ্রেণী)	28 kV	40 kV	+43%
বার্ষিক ব্যর্থতা হার	>1.5%	0.2%	↓87%
তাপমাত্রা সাইকেলিং ত্রুটি	±0.5%	±0.1%	5× উচ্চ সুনির্দিষ্টতা