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O que são Bandas de Energia do Silício?

Banda de valência (preenchida com elétrons) e banda de condução (vazia a 0K) separadas por uma lacuna proibida de 1.2eV. A dopagem desloca o nível de Fermi.

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O que são as Bandas de Energia do Silício?


Definição de Silício


O silício é definido como um semicondutor com propriedades intermediárias entre as de um condutor e as de um isolante, essencial para a eletrônica.

 


O silício é definido como um semicondutor com menos elétrons livres do que um condutor, mas mais do que um isolante. Essa característica única torna o silício amplamente utilizado na eletrônica. O silício possui dois tipos de bandas de energia: a banda de condução e a banda de valência. A banda de valência é formada por níveis de energia com elétrons de valência. Na temperatura absoluta de 0oK, a banda de valência está preenchida com elétrons e não há fluxo de corrente.


A banda de condução é a banda de nível de energia superior onde são encontrados os elétrons livres, que podem se mover pelo sólido. Esses elétrons livres são responsáveis pelo fluxo de corrente. A lacuna de energia entre a banda de condução e a banda de valência é chamada de lacuna de energia proibida. Esta lacuna determina se um material é um metal, um isolante ou um semicondutor.

 


O tamanho da lacuna de energia proibida determina se um sólido é um metal, um isolante ou um semicondutor. Os metais não têm lacuna, os isolantes têm uma lacuna grande e os semicondutores têm uma lacuna moderada. O silício tem uma lacuna proibida de 1,2 eV a 300 K.


Em um cristal de silício, ligações covalentes mantêm os átomos unidos, tornando o silício eletricamente neutro. Quando um elétron se separa de sua ligação covalente, deixa um buraco. Conforme a temperatura aumenta, mais elétrons saltam para a banda de condução, criando mais buracos na banda de valência.

 


Diagrama de Bandas de Energia do Silício


O diagrama de bandas de energia do silício mostra os níveis de energia dos elétrons. No silício intrínseco, o nível de Fermi está no meio da lacuna de energia. Doping o silício intrínseco com átomos doadores o torna tipo n, movendo o nível de Fermi mais próximo da banda de condução. Doping com átomos aceitores o torna tipo p, movendo o nível de Fermi mais próximo da banda de valência.

 


Diagrama de Bandas de Energia do Silício Intrínseco

 

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Diagrama de Bandas de Energia do Silício Extrínseco

 

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