Fotovoltaik effekt nima?

Энергия нури кейинки энергияга айлантириш эффекти белгиланган бир полупроводник материалларда полупроводник материалларда фотоэлектрик эффект деган ном bilan tan olinadi. Bu direkt тарзда нур энергиясини электр энергиясига айлантиради, ортакаси йук. Фотоэлектрик эффект ни кўрсатиш учун келинг, силикон кристалли блокни кабул киламиз.
Блокнинг юқори қисми дона импуриталари билан зире ва пастки қисми акцептор импуриталари билан зиреланган. Шунинг учинча, n-тип ҳудудидаги эркин электронлар сони p-тип ҳудудига нисбатан кўпроқ, p-тип ҳудудидаги бозилишлар сони n-тип ҳудудига нисбатан кўпроқ. Блокнинг жойлашув чизиги бошида заряд каучилари концентрацияси ёғин градиенти бор. N-тип ҳудудидан эркин электронлар p-тип ҳудудига диффузия қилмоқчидир ва p-тип ҳудудидаги бозилишлар n-тип ҳудудига диффузия қилмоқчидир. Бунинг сабаби заряд каучилари ҳосил бўлган холдаги табиётан ҳосил бўлган юқори концентрациядан паст концентрацияга ўтишга уринади. N-тип ҳудудидаги ҳар бир эркин электрон диффузия ҳосил бўлган ва p-тип ҳудудига кетганда, n-тип ҳудудида муносабатан мусбат дона иони қолдириб кетади.

Бунинг сабаби, n-тип ҳудудидаги ҳар бир эркин электрон нейтрал дона атоми томонidan қўшимча берилган. Хосил бўлганроқ, p-тип ҳудудидан n-тип ҳудудига бозилиш диффузия қилганда, p-тип ҳудудида манфий акцептор иони қолдириб кетади.

Агар ҳар бир бозилиш p-тип ҳудудида акцептор атоми томонидан қўшимча берилган бўлса. Бу иккита ионлар, яъни дона ионлар ва акцептор ионлар кристалл структурасида қуриб туришга мақсад берилган ва қуриб туришга мақсад берилган. Эркин электронларнинг n-тип ҳудудидаги қайси бирлари p-тип ҳудудига енгиза кетади ва натижада, жойлашув чизиги жанубидаги n-тип ҳудудида мусбат қуриб туришга мақсад берилган дона ионлар қатарини қуриб туришга мақсад берилган.

Хосил бўлганроқ, p-тип ҳудудидаги эркин бозилишлар n-тип ҳудудига енгиза кетади ва натижада, жойлашув чизиги жанубидаги p-тип ҳудудида манфий қуриб туришга мақсад берилган акцептор ионлар қатарини қуриб туришга мақсад берилган. Бу мусбат ва манфий ионлар концентрация қатарлари жойлашув чизиги бошида электр ташкилоти ҳосил қилади, бу электр ташкилоти мусбатдан манфийга, яъни n-тип томонидан p-тип томонига ўтишига мақсад берилган. Эндилар ҳосил бўлган электр ташкилоти таасири табииятан заряд каучилари кристаллда электр ташкилоти ёнгилишини тақсимлашга мақсад берилган. Агар билиб олмосангиз, мусбат заряд ҳосил бўлган электр ташкилоти ёнгилишини тақсимлашга мақсад берилган, шунинг учинча, n-тип ҳудудидаги мусбат заряд бозилишлар (агар бор бўлса) жойлашув чизигининг p-томонига ўтишига мақсад берилган.

Бошқа тарапдан, p-тип ҳудудидаги манфий заряд электронлар (агар бор бўлса) электр ташкилоти ёнгилишининг айланишига қарши n-тип ҳудудига ўтишига мақсад берилган. P-n жойлашув чизиги бошида заряд каучилари диффузия қилмоқда ва электр ташкилоти ёнгилишини тақсимлашга мақсад берилган. Заряд каучилари диффузияси жойлашув чизиги бошининг потенциал барьерини қуриб туришга ва қатиғлашга мақсад берилган, электр ташкилоти ёнгилишини тақсимлашга мақсад берилган заряд каучилари потенциал барьерини камайтиришга мақсад берилган. Нормал температураларда ва ҳеч қандай ташқи кутия йўқ бўлганда, заряд каучилари диффузияси ва электр ташкилоти ёнгилишини тақсимлашга мақсад берилган заряд каучилари қарама-қарши барабар бўлади, шунинг учинча, потенциал барьерининг қатиғлиги сабаби бор.

Эндилар, силикон кристалли блокнинг n-тип томони коён нурига кўрсатилган. Кечирилган фотонларнинг биричилик кечирилган. Кечирилган фотонларнинг биричилик кечирилган энергияси силикон атомларининг валент банд ва кондукция банд ортасидаги энергия ёзиб ўтишига мақсад берилган. Шунинг учинча, силикон атомларининг валент электронларининг биричилик кечирилган валинт банддан чиқиб кетади ва бозилишни кетказиб кетади. Шунинг учинча, нур энергияси таасирида кристаллда электрон-бозилиш парлари ҳосил бўлади. N-тип томонидаги нур энергияси таасирида ҳосил бўлган бозилишлар кўпроқ эркин электронлар (кутиялар) билан кутарма бўлишига мақсад берилган. Шунинг учинча, солнечная батарея так тасвирланган, ки, нур энергияси таасирида ҳосил бўлган электронлар ёки бозилишлар кутарма бўлишига қарши кўпроқ имконият берилмайди.

Полупроводник (силикон) так зиреланган, ки, p-n жойлашув чизиги клеткаси энг яқин жерда қуриб туришга мақсад берилган. Агар электрон-бозилиш пари кутарма зарядлар диффузия ұзынligi ичинда ҳосил бўлса, электрон-бозилиш парларининг электронлари n-тип ҳудудига ўтишига ва бозилишлари p-тип ҳудудига ўтишига мақсад берилган. Жойлашув чизиги бошининг электр ташкилоти таасирида бозилишлар p-тип ҳудудига ўтишига мақсад берилган. Шунинг учинча, ортача ҳисоблап, бу ташкилоти таасирида электр ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасирида заряд каучилари ташкилоти таасир......

Эслатма: Асл матнга қодирлик кўрсатинг, яхши мақолалар булиб өтказилишга лойик, агар ҳуқуқларга зид боғлиба қолган бўлса, ўчириш учун bog'liq bo'ling.